一种批量转移微纳米结构的方法

文档序号:31467479发布日期:2022-09-09 21:59阅读:86来源:国知局
一种批量转移微纳米结构的方法

1.本发明涉及转移打印的技术领域,尤其涉及一种批量转移微纳米结构的方法。


背景技术:

2.在柔性电子中,直接在柔性基底上制备具有微纳米结构的功能性材料是具有较大挑战性的。因此,将提前制备好的微纳米结构或器件批量转移到柔性基底上是一个很有潜力的解决方案。在已有的转移技术中,多数技术关注于金属或者功能材料的薄膜结构(厚度小于100nm)。对于具有较高深宽比的微纳米结构的转移,已有技术并不能较好的解决。


技术实现要素:

3.本发明的目的在于提供一种转移方法简单有效且成功率极高的批量转移微纳米结构的方法。
4.本发明提供一种批量转移微纳米结构的方法,包括如下步骤:
5.s1:在暂存基板上形成图案化的开孔;
6.s2:在暂存基板的开孔内形成氧化锌微纳米结构;
7.s3:在暂存基板上旋涂覆盖氧化锌微纳米结构的第一高分子溶液涂层,使得氧化锌微纳米结构能够被完全覆盖,然后固化该第一高分子溶液涂层;
8.s4:在待转移的目标柔性基底上同样旋涂第二高分子溶液涂层,并固化第二高分子溶液涂层;
9.s5:目标柔性基底具有第二高分子涂层的一面与暂存基板的氧化锌微纳米结构结合,同时施加压力和加热并保持一段时间,使得目标基板的第二高分子涂层和暂存基板的第一高分子涂层热熔结合在一起;
10.s6:冷却后,模板目标柔性基底与暂存基板分离,即将暂存基板的氧化锌微纳米结构转移至模板目标柔性基底上。
11.优选地,步骤s5的施加一定的压力与加热温度保持10-15分钟。
12.优选地,步骤s1的具体方法为:
13.s11:在暂存基板上沉积一层光阻层;
14.s12:采用电子束对光阻层进行曝光和显影形成阵列设置的开孔。
15.优选地,步骤s2的具体方法为:
16.s21:在步骤s1的基础上,沉积一层氧化锌溶液;
17.s22:通过曝光显示形成位于开孔内的氧化锌微纳米结构;
18.s23:显影去掉光阻层。
19.本发明还提供一种批量转移微纳米结构的方法,包括如下步骤:
20.s1:在暂存基板上形成图案化的开孔;
21.s2:在暂存基板的开孔内形成氧化锌微纳米结构;
22.s3:在待转移的目标柔性基底上旋涂第一高分子溶液涂层,并固化第一高分子溶
液涂层;
23.s4:在暂存基板上旋涂覆盖氧化锌微纳米结构的第二高分子溶液涂层,使得氧化锌微纳米结构能够被完全覆盖,然后固化该第二高分子溶液涂层;
24.s5:目标柔性基底具有第一高分子涂层的一面与暂存基板的氧化锌微纳米结构结合,同时施加压力和加热并保持一段时间,使得目标基板的第一高分子涂层和暂存基板的第二高分子涂层热熔结合在一起;
25.s6:冷却后,模板目标柔性基底与暂存基板分离,即将暂存基板的氧化锌微纳米结构转移至模板目标柔性基底上。
26.本发明批量转移微纳米结构的方法针对3d结构的微纳米结构转移,转移方法简单有效且成功率极高,可大大延长暂存基板的寿命;可在模板目标柔性基底上图形化具有高深宽比的微纳米图案;整个过程跟纳米压印类似是低成本,可大规模应用的。
附图说明
27.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1是本发明表面批量转移微纳米结构的方法的暂存基板的结构示意图;
29.图2是本发明批量转移微纳米结构的方法的暂存基板上形成氧化锌微纳米结构的结构示意图;
30.图3是本发明批量转移微纳米结构的方法的暂存基板进行旋涂高分子涂层的结构示意图;
31.图4是本发明批量转移微纳米结构的方法的暂存基板和目标柔性基底进行转移的结构示意图;
32.图5是本发明批量转移微纳米结构的方法的暂存基板和目标柔性基底进行分离的结构示意图;
33.图6是本发明批量转移微纳米结构的方法的标柔性基底的氧化锌微纳米结构的结构示意图。
具体实施方式
34.下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
35.在本发明的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
36.本发明一种批量转移微纳米结构的方法,属于转印打印的技术领域,如miro-led
转移技术。
37.一种批量转移微纳米结构的方法,包括如下步骤:
38.s1:如图1所示,在暂存基板10上形成图案化的开孔11;
39.s2:如图2所示,在暂存基板10的开孔11内形成氧化锌微纳米结构12;
40.s3:如图3所示,在暂存基板10上旋涂覆盖氧化锌微纳米结构12的第一高分子溶液涂层13,使得氧化锌微纳米结构12能够被完全覆盖,然后固化该第一高分子溶液涂层13(比如热固化或者uv固化);
41.s4:如图4所示,在待转移的目标柔性基底20上同样旋涂第二高分子溶液涂层21,并固化第二高分子溶液涂层21;
42.s5:如图4所示,目标柔性基底20具有第二高分子涂层21的一面与暂存基板10的氧化锌微纳米结构12结合,同时施加压力和加热并保持一段时间,使得目标基板20的第二高分子涂层21和暂存基板10的第一高分子涂层13热熔结合在一起;
43.s6:如图5和图6,冷却至常温后,模板目标柔性基底20与暂存基板10分离,即将暂存基板10的氧化锌微纳米结构12转移至模板目标柔性基底20上。
44.步骤s5的施加一定的压力与加热温度保持10-15分钟。
45.步骤s1的具体方法为:
46.s11:在暂存基板10上沉积一层光阻层(图未示);
47.s12:采用电子束对光阻层进行曝光和显影形成阵列设置的开孔(图未示)。
48.s2:如图2所示,在暂存基板10的开孔11内形成氧化锌微纳米结构12;
49.步骤s2的具体方法为:
50.s21:在步骤s1的基础上,沉积一层氧化锌溶液;
51.s22:通过曝光显示形成位于开孔11内的氧化锌微纳米结构12;
52.s23:显影去掉光阻层。
53.其中上述步骤s3和s4的顺序也可以替换,一种批量转移微纳米结构的方法,包括如下步骤:
54.s1:如图1所示,在暂存基板10上形成图案化的开孔11;
55.s2:如图2所示,在暂存基板10的开孔11内形成氧化锌微纳米结构12;
56.s3:如图4所示,在待转移的目标柔性基底20上旋涂第一高分子溶液涂层,并固化第一高分子溶液涂层;
57.s4:如图3所示,在暂存基板10上同样旋涂覆盖氧化锌微纳米结构12的第二高分子溶液涂层,使得氧化锌微纳米结构12能够被完全覆盖,然后固化该第二高分子溶液涂层(比如热固化或者uv固化);
58.s5:如图4所示,目标柔性基底20具有第一高分子涂层的一面与暂存基板10的氧化锌微纳米结构12结合,同时施加压力和加热并保持一段时间,使得目标基板20的第一高分子涂层和暂存基板10的第二高分子涂层热熔结合在一起;
59.s6:如图5和图6,冷却至常温后,模板目标柔性基底20与暂存基板10分离,即将暂存基板10的氧化锌微纳米结构12转移至模板目标柔性基底20上。
60.步骤s5的施加一定的压力与加热温度保持10-15分钟。
61.本发明批量转移微纳米结构的方法针对3d结构的微纳米结构转移,转移方法简单
有效且成功率极高,可大大延长暂存基板的寿命;可在模板目标柔性基底上图形化具有高深宽比的微纳米图案;整个过程跟纳米压印类似是低成本,可大规模应用的。
62.以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本发明权利要求所作的等同变化,仍属于发明所涵盖的范围。
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