永磁电机用钕铁硼磁材电镀方法与流程

文档序号:13506046阅读:363来源:国知局

本发明涉及永磁电机材料制备方法,具体涉及一种永磁电机用钕铁硼磁材的电镀方法。



背景技术:

永磁电机既可达到传统电励磁电机所无法比拟的高性能(如特高效、特高速、特高响应速度),又可以制成能满足特定运行要求的特种电机,从而提高所配套的技术装备的性能和水平,是电机行业调整产业结构的重要发展方向。

钕铁硼磁性材料使一种永磁材料,其磁能积是铝镍钴系的5~6倍、铁氧体系的约10倍、钐钴系的约2倍,是目前为止磁性最强的永磁材料,也是制备永磁电机的理想材料。然而钕铁硼极易受到腐蚀。所以,钕铁硼磁材在使用前必须进行严格的防腐处理,方可满足永磁电机的使用工况要求。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题在于提供一种永磁电机用钕铁硼磁材电镀方法,能对钕铁硼磁材进行批量处理,所得产品表面光洁,抗腐蚀能力强,可适应永磁电机使用工况。

为解决上述技术问题,本发明的永磁电机用钕铁硼磁材电镀方法包括以下步骤:

a、烘烤除油

将已成型的钕铁硼磁材放入烤箱中,200℃条件下烘烤1h;

b、表面光整

将步骤a所得磁材放置在振动抛光机内,开机运行2h,进行表面光整处理;

c、封孔

将硬脂酸锌加热至130~140℃熔化,将步骤b所得磁材浸渍30±5min,取出在600℃下干燥30min,使其固化;

d、酸洗

按硝酸30~40ml/l、硫脲0.5g/l配制溶液,使用氨水调节ph值为4~5,室温条件下对步骤c所得磁材酸洗30±10min,至零件表面呈均匀、细致、有光泽的银白色为止;

e、活化

按磺基水杨酸20~25g/l、氟化氢铵10~15g/l配制溶液,室温条件下对步骤d所得磁材进行活化处理;

f、浸镍

按照醋酸镍70g/l、硼酸65g/l、氢氟酸170ml/l配制溶液,室温条件下对步骤e所得磁材处理30s的浸镀;

g、电镀

采用电镀方法,在步骤f所得磁材表面镀铜,镀层厚度4μm,即得成品。

所述步骤b中,所述振动抛光机的研磨石采用斜三角4mm,研磨石粒度为280目。

所述步骤f中,磁材表面形成2μm的镍镀层。

本发明的优点体现在:a、本发明通过多个步骤,在磁材表面形成2μm的镍镀层、4μm的镀铜层,从而使得产品表面光洁,具备良好的防腐蚀能力,可适应永磁电机使用环境;b、通过抛光使零件表面平整、光滑,从而利于镀层快速、均匀沉积。c、通过对零件表面的孔隙进行封闭处理,以使其后各道工序的处理液不渗入孔内,从而避免镀后镀层的内部腐蚀,保证了质量。d、通过浸镍、电镀分布实施,提高了镀层厚度和电镀效果。

具体实施方式

本发明的永磁电机用钕铁硼磁材电镀方法包括以下步骤:

a、烘烤除油

将已成型的钕铁硼磁材放入烤箱中,200℃条件下烘烤1h。

b、表面光整

将步骤a所得磁材放置在振动抛光机内,开机运行2h,进行表面光整处理;

所述步骤b中,所述振动抛光机的研磨石采用斜三角4mm,研磨石粒度为280目。

c、封孔

将硬脂酸锌加热至130~140℃熔化,将步骤b所得磁材浸渍30±5min,取出在600℃下干燥30min,使其固化。

d、酸洗

按硝酸30~40ml/l、硫脲0.5g/l配制溶液,使用氨水调节ph值为4~5,室温条件下对步骤c所得磁材酸洗30±10min,至零件表面呈均匀、细致、有光泽的银白色为止。

e、活化

按磺基水杨酸20~25g/l、氟化氢铵10~15g/l配制溶液,室温条件下对步骤d所得磁材进行活化处理。

f、浸镍

按照醋酸镍70g/l、硼酸65g/l、氢氟酸170ml/l配制溶液,室温条件下对步骤e所得磁材处理30s的浸镀;所述步骤f中,磁材表面形成2μm的镍镀层。

g、电镀

采用电镀方法,在步骤f所得磁材表面镀铜,镀层厚度4μm,即得成品。

所得产品经48h中性盐雾试验,表面未出现斑点及其他基体腐蚀迹象,证明本发明具备良好的镀层效果。

本发明的具体实施方式包括但不局限于上述实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但仍然落入本发明的保护范围。



技术特征:

技术总结
本发明提供了一种永磁电机用钕铁硼磁材电镀方法,包括A、烘烤除油,B、表面光整,C、封孔:将硬脂酸锌加热至130~140℃熔化,将步骤B所得磁材浸渍30±5min,取出在600℃下干燥30min,使其固化;D、酸洗,按硝酸30~40mL/L、硫脲0.5g/L配制溶液,使用氨水调节PH值为4~5,室温条件下对步骤C所得磁材酸洗30±10min,至零件表面呈均匀、细致、有光泽的银白色为止;E、活化;F、浸镍;G、电镀等步骤得成品。本发明能对钕铁硼磁材进行批量处理,所得产品表面光洁,抗腐蚀能力强,可适应永磁电机使用工况。

技术研发人员:陈国军;吴结华;曹彬;陈远鹏;余东劲
受保护的技术使用者:安徽中磁高科有限公司
技术研发日:2017.10.23
技术公布日:2018.01.19
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