粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板的制作方法

本发明涉及粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板。

背景技术：

1、在印刷电路板的制造工序中，铜箔以与绝缘树脂基材贴合的覆铜层叠板的形式被广泛使用。在这点上，为防止在印刷电路板制造时发生布线的剥落，期望铜箔与绝缘树脂基材间具有高密合力。因此，在通常的印刷电路板制造用铜箔中，会在铜箔的贴合面实施粗糙化处理从而形成由微细的铜颗粒构成的凹凸，并通过冲压加工使该凹凸咬入绝缘树脂基材的内部从而发挥锚固效果，由此提高密合性。

2、作为进行了这种粗糙化处理的铜箔，例如，在专利文献1(日本特开2018-172785号公报)中公开了一种表面处理铜箔，其具有铜箔、且在铜箔的至少一个表面具有粗糙化处理层，粗糙化处理层侧表面的算术平均粗糙度ra为0.08μm以上且0.20μm以下，粗糙化处理层侧表面的td(宽度方向)的光泽度为70％以下。根据这样的表面处理铜箔，可以良好地抑制设置于铜箔表面的粗糙化颗粒的脱落，并且可以良好地抑制与绝缘基板贴合时的褶皱和条纹的发生。

3、但是，随着近几年便携式电子设备等的高功能化，为了大容量数据的高速处理，无论是数字信号还是模拟信号，信号的高频化不断发展，要求适用于高频用途的印刷电路板。对于这种高频用印刷电路板，为了能够使高频信号不发生劣化地进行传输，期望降低传输损耗。印刷电路板具备加工成布线图案的铜箔和绝缘基材，但作为传输损耗中主要的损耗，可列举出由铜箔引起的导体损耗和由绝缘基材引起的介电损耗。

4、在这点上，提出一种实现了传输损耗的降低的粗糙化处理铜箔。例如，在专利文献2(日本特开2015-148011号公报)中公开了，以提供信号的传输损耗小的表面处理铜箔及使用该表面处理铜箔的层叠板等为目的，通过表面处理将铜箔表面的依据jis b0601-2001的偏度rsk控制在-0.35以上且0.53以下这一规定范围等。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本特开2018-172785号公报

8、专利文献2:日本特开2015-148011号公报

技术实现思路

1、如上所述，近年来，要求提高印刷电路板的传输特性(高频特性)。为了应对这样的要求，尝试了对铜箔的与绝缘树脂基材的接合面进行更微细的粗糙化处理。即，为了降低成为增大传输损耗的主要原因的铜箔表面的凹凸，考虑对波纹度小的铜箔表面(例如双面平滑箔的表面、电解铜箔的电极面)进行微细粗糙化处理。另外，可以认为通过使用波纹度小的粗糙化处理铜箔，可以提高电路形成时的布线图案的直线性(以下称为电路直线性)。然而，在使用这样的粗糙化处理铜箔进行覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造的情况下，一般会产生铜箔-基材间的剥离强度低、密合可靠性差的问题。

2、本发明人等此次获得了如下见解：在粗糙化处理铜箔的表面，通过将截面高度差rdc与峰度rku之比rdc/rku和最大截面高度wt控制在规定范围，在使用其制造的覆铜层叠板和/或印刷电路板中，传输特性和电路直线性优异，且能够实现高剥离强度。

3、因此，本发明的目的在于，提供一种在用于覆铜层叠板和/或印刷电路板的情况下，传输特性和电路直线性优异，且能够实现高剥离强度的粗糙化处理铜箔。

4、根据本发明，提供以下方式。

5、[方式1]

6、一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，

7、所述粗糙化处理面的粗糙度曲线的截面高度差rdc相对于粗糙度曲线的峰度rku之比rdc/rku为0.180μm以下，且波纹度曲线的最大截面高度wt为2.50μm以上且10.00μm以下，

8、所述rku是依据jis b0601-2013在倍率为200倍、基于截止值λs的截止波长为0.3μm以及基于截止值λc的截止波长为5μm的条件下测定的值，

9、所述rdc是依据jis b0601-2013在倍率为200倍、基于截止值λs的截止波长为0.3μm以及基于截止值λc的截止波长为5μm的条件下测定的粗糙度曲线中的、以负载长度比(rmr1)20％与负载长度比(rmr2)80％之间的高度方向的截面高度c之差(c(rmr1)-c(rmr2))的形式得到的值，

10、所述wt是依据jis b0601-2013在倍率为20倍、基于截止值λc的截止波长为5μm以及不进行基于截止值λf的截止的条件下测定的值。

11、[方式2]

12、根据方式1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述最大截面高度wt为2.90μm以上且10.00μm以下。

13、[方式3]

14、根据方式1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述截面高度差rdc为0.45μm以下。

15、[方式4]

16、根据方式1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的波纹度曲线的最大峰高度wp为1.00μm以上且6.00μm以下，所述wp是依据jis b0601-2013在倍率为20倍、基于截止值λc的截止波长为5μm以及不进行基于截止值λf的截止的条件下测定的值。

17、[方式5]

18、根据方式1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的粗糙度曲线要素的平均高度rc为0.70μm以下，所述rc是依据jis b0601-2013在倍率为200倍、基于截止值λs的截止波长为0.3μm以及基于截止值λc的截止波长为5μm的条件下测定的值。

19、[方式6]

20、根据方式1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的波纹度曲线的截面高度差wdc为1.20μm以上且3.10μm以下，所述wdc是依据jis b0601-2013在倍率为20倍、基于截止值λc的截止波长为5μm以及不进行基于截止值λf的截止的条件下测定的波纹度曲线中的、以负载长度比(wmr1)20％与负载长度比(wmr2)80％之间的高度方向的截面高度c之差(c(wmr1)-c(wmr2))的形式得到的值。

21、[方式7]

22、根据方式1～6中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的粗糙度曲线的均方根高度rq为0.290μm以下，所述rq是依据jis b0601-2013在倍率为200倍、基于截止值λs的截止波长为0.3μm以及基于截止值λc的截止波长为5μm的条件下测定的值。

23、[方式8]

24、根据方式1～7中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述峰度rku为1.30以上且8.00以下。

25、[方式9]

26、根据方式1～8中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其在所述粗糙化处理面具备防锈处理层和/或硅烷偶联剂处理层。

27、[方式10]

28、根据方式1～9中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔为电解铜箔，所述粗糙化处理面存在于电解铜箔的析出面侧。

29、[方式11]

30、一种覆铜层叠板，其具备方式1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔。

31、[方式12]

32、一种印刷电路板，其具备方式1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔。