一种电容器用铝箔腐蚀工艺的制作方法

本发明涉及电化学腐蚀，具体是一种电容器用铝箔腐蚀工艺。

背景技术：

1、在现代电子领域，电容器是电路中常见的元件，用于存储电荷并在需要时释放。电容器的性能往往取决于其内部结构，而铝箔是电容器中常见的材料之一。为了改善电容器的性能，特别是提高其电容量和稳定性，研究人员不断努力探索新的制造工艺。

2、目前，电容器中常用的铝箔腐蚀工艺主要包括采用酸性或碱性溶液对铝箔进行腐蚀处理。这个过程可以在铝箔表面形成一层氧化层，有助于提高电容器的稳定性和电容量。这样的工艺通常能够提供相对稳定和可靠的电容器性能。尽管现有的电容器用铝箔腐蚀工艺在提高性能方面取得了一定成就，但仍存在一些缺点值得关注。其中之一是在使用电子铝箔制造腐蚀箔时，若孔径不够，容易造成化成后容损较大，大大降低了有效孔洞。

3、于是，有鉴于此，针对现有的技术予以研究改良，提出了一种电容器用铝箔腐蚀工艺。

技术实现思路

1、本发明提供一种腐蚀箔孔径更大的电容器用铝箔腐蚀工艺。

2、本发明所采用的技术方案为：一种电容器用铝箔腐蚀工艺，包括如下步骤：

3、s1：前处理：通常使用前处理腐蚀液对铝箔进行清洗，除去箔面油污及杂质，并去除铝箔上的氧化膜；

4、s2：一次电腐蚀：将铝箔浸泡在第一电解液中，进行5级腐蚀；第一电解液中含有hcl、h2so4、a13+；第一电解5级腐蚀均采用直流电腐蚀，平均电流密度为0.4-0.5a/cm2，腐蚀电量30-40c/cm2，温度70-80℃，反应时间60-80s；

5、s3：二次电腐蚀：将铝箔浸泡在第二电解液中，进行2级腐蚀，第二电解液中含有hno3、添加剂、a13+；电流密度0.15-0.3a/cm2，腐蚀电量50-60c/cm2，温度80-85℃，反应时间200-400s；

6、s4：后处理：采用后处理腐蚀液对铝箔进行清洗，除去孔洞内的残留氯根，并将清洗后的铝箔干燥。

7、作为本发明进一步的方案：所述铝箔由铁0.0001％、硅0.0001％、铜0.0050％组成，其厚度为115μm。

8、作为本发明进一步的方案：所述铝箔在前处理腐蚀液中进行处理，前处理腐蚀液中含有5％h3po4，腐蚀时间为75-85s，前处理腐蚀液的温度为55-65℃。

9、作为本发明进一步的方案：所述一次电腐蚀具体为2％-5％hcl，20％-25％h2so4，0.5％-1.0％a13+。

10、作为本发明进一步的方案：所述二次电腐蚀具体为5-10％hno3，1-3％添加剂，1.0-1.5％al3+。

11、作为本发明进一步的方案：所述后处理腐蚀液中含有5％hno3，后处理腐蚀液对铝箔的腐蚀的时间为195-205s，后处理腐蚀液的温度为55-65℃。

12、本发明的有益效果：

13、本发明通过一次腐蚀生成的初始点蚀的蚀孔，决定了最终蚀孔的分布均匀性、蚀孔密度，通过二次腐蚀实现了扩孔的目的，并且能尽可能减少表面减薄，使得腐蚀箔孔径更大，避免由于孔径不够造成化成后容损较大，大大降低了有效孔洞。

技术特征：

1.一种电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：所述铝箔由铁0.0001％、硅0.0001％、铜0.0050％组成，其厚度为115μm。

3.根据权利要求1所述的一种电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：所述铝箔在前处理腐蚀液中进行处理，前处理腐蚀液中含有5％h3po4，腐蚀时间为75-85s，前处理腐蚀液的温度为55-65℃。

4.根据权利要求1所述的一种电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：所述一次电腐蚀具体为2％-5％hcl，20％-25％h2so4，0.5％-1.0％a13+。

5.根据权利要求1所述的一种电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：所述二次电腐蚀具体为5-10％hno3，1-3％添加剂，1.0-1.5％al3+。

6.根据权利要求1所述的一种电容器用铝箔腐蚀工艺，其特征在于：所述后处理腐蚀液中含有5％hno3，后处理腐蚀液对铝箔的腐蚀的时间为195-205s，后处理腐蚀液的温度为55-65℃。

技术总结
本发明涉及电化学腐蚀技术领域，具体是一种电容器用铝箔腐蚀工艺。包括如下步骤：前处理：通常使用前处理腐蚀液对铝箔进行清洗，除去箔面油污及杂质，并去除铝箔上的氧化膜；一次电腐蚀：将铝箔浸泡在第一电解液中，进行5级腐蚀；第一电解液中含有HCl、H2SO4、A13+；第一电解5级腐蚀均采用直流电腐蚀，平均电流密度为0.4‑0.5A/cm2，腐蚀电量30‑40C/cm2，温度70‑80℃，反应时间60‑80S；二次电腐蚀：将铝箔浸泡在第二电解液中，进行2级腐蚀，第二电解液中含有HNO3、添加剂、A13+；电流密度0.15‑0.3A/cm2，腐蚀电量50‑60C/cm2，温度80‑85℃，反应时间200‑400S；后处理：采用后处理腐蚀液对铝箔进行清洗，除去孔洞内的残留氯根，并将清洗后的铝箔干燥。本发明提供一种腐蚀箔孔径更大的电容器用铝箔腐蚀工艺。

技术研发人员：李志勇,张瑞涛,何志卿
受保护的技术使用者：石河子工业技术研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/5/16