全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电解槽设备技术领域，特别是指一种全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽。
【背景技术】
[0002]传统对焦粒焙烧法周围糊焙烧方法是焦粒铺满槽底，厚度约为三公分，阳极炭块与焦粒全接触式，焦粒与炭块之间无空间全封闭，掩埋式的，热量传递受到空间的阻隔，所以要想达到预设温度必须持续长时间加热已达到槽内温度均匀平衡，这种方法的缺点是:
1.无法迅速的达到平衡，2.焦粒使用量多，造成电解质污染；同时达到预设温度后需要及时取出焦粒，大量的焦粒使工人作业强度增加，如果不完全取出就会污染电解质。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽，其解决了上述问题，使用该电解槽后，热传递效果好，焦粒使用量少，防止了电解质被污染。
[0004]为了实现上述目的，本实用新型采用了以下的技术方案:一种全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽，包括电解槽底部和设于电解槽底部上方的炭块，所述电解槽底部和炭块之间设有焦粒层，所述焦粒层间隔设置，焦粒层之间形成通风通道。
[0005]其中，所述焦粒层之间间距相等。
[0006]本实用新型的有益效果在于:采用上述电解槽后，通风通道的存在减小了焦粒层与炭块间的接触面积，是两者之间的电阻增加，进而增加了发热量；同时通风通道加大空间的热传递，更容易使空间温度达到热均匀。焦粒使用量小，减少对电解质含量的影响。
【附图说明】
[0007]为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对-实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0008]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0010]如图1所示的一种全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽，包括电解槽底部(2)和设于电解槽底部(2)上方的炭块(I)，所述电解槽底部(2)和炭块(I)之间设有焦粒层(3)，所述焦粒层(3)间隔设置，焦粒层(3)之间形成通风通道(4)。通风通道(4)的存在减小了焦粒层(3)与炭块(I)间的接触面积，是两者之间的电阻增加，进而增加了发热量；同时通风通道(4)加大空间的热传递，更容易使空间温度达到热均匀。
[0011]进一步的，所述焦粒层(3)之间间距相等。
[0012]本实用新型的工作原理为:
[0013]电流通过一定数量的焦粒层(3)发热来加热电解槽腔内空气，通过高温空气的对流、辐射来加热周围糊和阴极、阳极及少量防止氧化的物料，通过掌握槽内衬的焙烧温度选择合适的时机启动，本方案焦粒层(3)的接触面积比传统焦粒焙烧方法减少最少一半，因此电阻成倍增加，发热量肯定会增加。
[0014]第一步先确认实现焦粒空腔焙烧效果，阳极和阴极之间给热空气的流通留出通道，焦粒不能满铺，设计成圆柱形状，数量与阳极钢爪数量相等，即确保发热量足够；在此基础上再考虑减少焦粒层(3)用量，在确保温度满足的条件下，减少对电解质的污染程度。
[0015]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽，包括电解槽底部(2)和设于电解槽底部(2)上方的炭块(I)，所述电解槽底部(2)和炭块(I)之间设有焦粒层(3)，其特征在于，所述焦粒层(3)间隔设置，焦粒层(3)之间形成通风通道(4)。2.根据权利要求1所述的全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽，其特征在于:所述焦粒层(3)之间间距相等。
【专利摘要】本实用新型涉及电解槽设备技术领域，具体公开一种全空腔半接触式焦粒焙烧电解槽，包括电解槽底部和设于电解槽底部上方的炭块，所述电解槽底部和炭块之间设有焦粒层，所述焦粒层间隔设置，焦粒层之间形成通风通道。本实用新型优点是，通风通道的存在减小了焦粒层与炭块间的接触面积，是两者之间的电阻增加，进而增加了发热量；同时通风通道加大空间的热传递，更容易使空间温度达到热均匀。焦粒使用量小，减少对电解质含量的影响。
【IPC分类】C25C3/08
【公开号】CN204727963
【申请号】CN201520363364
【发明人】蒋小林, 祁宗斌, 蒋赟卓, 卢超
【申请人】陕西银仕达信息科技有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年5月29日