一种压力场重构的方法、判定井下复杂方法及装置与流程

1.本发明涉及石油钻完井与天然气水合物钻采领域，特别涉及一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法及相关装置、一种判定井下复杂的方法及相关装置。


背景技术：

2.压力是关系钻完井工程安全的最重要参数之一，井筒压力的精确控制对于保证井筒稳定性，避免井下复杂的发生有着重要作用，特别是针对天然气水合物的开发，在非低温条件0℃-15℃，天然气水合物很不稳定，对压力控制条件要求很高，如发生气侵，则可能在井筒内形成水合物堵塞流体循环通道，造成更加复杂的钻井事故。因此对整个井筒压力的实时监测、建立随钻压力采集剖面，并对采集的压力数据进行有效的处理，可以让地面工程人员尽早通过获取井下压力信息，发现可能发生井下复杂的层位，及时做出预防措施。


技术实现要素：

3.发明人发现，现有技术中的随钻测量技术只能测得近钻头处的井筒压力信息，无法反应整个井筒的压力立体变化，压力测量芯片工具对实测数据的处理上没有相关进展，尤其是在如何对工具的测量数据的有效利用、并以此分析井下复杂方面尚未发展出相关方法，无法产生实际应用效果。为了至少部分地解决现有技术存在的技术问题，发明人做出本发明，通过具体实施方式，提供一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法。
4.第一方面，本发明实施例提供一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法，包括：
5.计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深、井内流体循环时间，确定所述测量点井深与所述井内流体循环时间的对应关系；
6.根据所述测量点井深与所述井内流体循环时间的对应关系，计算不同所述测量点井深对应的理论井筒压力值，得到测量点井深-理论压力函数关系；
7.根据所述测量点井深-理论压力函数关系，在测量点井深-压力坐标系绘制测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到重构的全井筒压力场。
8.在一些可选的实施例中，所述计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深之前，包括：
9.测量并记录全井筒井深。
10.在一些可选的实施例中，所述计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深、井内流体循环时间，确定所述测量点井深与所述井内流体循环时间的对应关系之前，包括：
11.计算压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间。
12.在一些可选的实施例中，所述计算压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间，包括：
13.获取压力测量芯片工具测量的不同压力测量点的实测井筒压力值；
14.当所述实测井筒压力值达到最大值时，确定所述压力测量芯片工具到达井底；
15.获取从开泵循环到将所述压力测量芯片工具投入井口的时间、从将所述压力测量芯片工具投入井口到所述压力测量芯片工具自行激活完成的时间以及从所述压力测量芯片工具自行激活完成到所述实测井筒压力值达到最大值之间的时间；
16.将所述从开泵循环到将压力测量芯片工具投入井口的时间、从将所述压力测量芯片工具投入井口到所述压力测量芯片工具自行激活完成的时间、从所述压力测量芯片工具自行激活完成到所述实测井筒压力值达到最大值之间的时间求和，得到压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间。
17.在一些可选的实施例中，所述计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的井内流体循环时间，包括：
18.针对第1个压力测量点，将所述压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间加上一个测压时间间隔，得到所述压力测量芯片工具在第一个压力测量点对应的井内流体循环时间；
19.针对第n个压力测量点，n大于1，将所述压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间加上n个所述测压时间间隔，得到所述压力测量芯片工具在第n个压力测量点对应的井内流体循环时间。
20.在一些可选的实施例中，所述计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深，包括：
21.针对第1个压力测量点，计算压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点的速度，根据所述压力测量芯片工具从井底上返到第一个压力测量点的速度和预设的测压时间间隔，计算得到所述压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点的上返距离，作为第一个压力测量点对应的上返距离；
22.用全井筒井深减去所述第一个压力测量点对应的上返距离，得到第一个压力测量点对应的测量点井深；
23.针对第n个压力测量点，n大于1，计算所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的速度，根据所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的速度和测压时间间隔，计算得到所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的上返距离，作为第n个压力测量点对应的上返距离；
24.将第1～n个压力测量点对应的上返距离求和，得到第n个压力测量点的累计上返距离；用全井筒井深减去所述第n个压力测量点的累计上返距离，得到第n个压力测量点对应的测量点井深。
25.在一些可选的实施例中，所述计算压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点的速度，包括：计算所述压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点的平均速度，作为所述压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点不同位置的速度；所述计算所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的速度，包括：计算所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的平均速度，作为所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点不同位置的速度。
26.在一些可选的实施例中，所述根据所述测量点井深与所述井内流体循环时间的对应关系，计算所述不同测量点井深对应的理论井筒压力值，得到测量点井深-理论压力函数
关系，包括：
27.建立理论压力场模型；
28.根据所述测量点井深与所述测量点井深对应的井内流体循环时间，利用所述理论压力场模型，计算不同测量点井深对应的理论井筒压力值；
29.根据所述不同测量点井深对应的理论井筒压力值，得到测量点井深-理论压力函数关系。
30.在一些可选的实施例中，所述建立理论压力场模型，包括：
31.建立钻柱内温度计算模型，所述钻柱内温度计算模型的公式为，
[0032][0033]
建立环空内温度计算模型，所述环空内温度计算模型的公式为，
[0034][0035]
在所述钻柱内温度计算模型的公式和所述环空内温度计算模型的公式中，π为圆周率，ta、t
p
分别为环空和钻柱内流体温度，ca、c
p
分别为环空和钻柱内流体比热，h
pi
、h
po
分别为钻柱壁内和钻柱壁外的对流换热系数，λ
dp
为钻柱的导热系数，ρa、ρ
p
分别为环空和钻柱内流体密度，qm为钻井液循环排量，q
cp
为钻柱内压耗产生的热量，z为测量点井深，t为井内循环时间，δz为空间距离，δt为时间间隔，d
pi
和d
po
分别为钻柱内径和外径，hf为地层与环空流体之间的对流换热系数，dw为井眼直径，tf为井壁温度，q
ca
为环空压耗产生的热量；
[0036]
建立井内流体密度计算模型，所述井内流体密度计算模型的公式为，
[0037]
ρ(p,t)＝ρ0exp[ξ
p
(p-p0)+ξ
pp
(p-p0)2+ξ
t
(t-t0)+ξ
tt
(t-t0)2+ξ
pt
(p-p0)(t-t0)]
[0038]
式中，p0为地面压力，t0为地面温度，ρ(p,t)为压力为p且温度为t时的流体密度，ξ
p
、ξ
pp
、ξ
t
、ξ
tt
、ξ
pt
为结合室内高温高压实验数据拟合出的待定系数；
[0039]
建立井筒压力计算模型，所述井筒压力计算模型的公式为：
[0040]
p＝ρgh+pf+pb[0041]
式中，ρ为井内流体密度，g为重力加速度，h为测量点垂深，h由测量点井深和井斜角度计算得到，pf为循环摩阻，pb为井口回压。
[0042]
第二方面，本发明实施例提供一种判定井下复杂的方法，包括：
[0043]
建立实测的全井筒压力场；
[0044]
根据如前述基于压力测量芯片工具的压力场重构方法得到重构的全井筒压力场；
[0045]
将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场进行对比；
[0046]
根据所述对比结果，确定是否出现井下复杂。
[0047]
在一些可选的实施例中，所述建立实测的全井筒压力场，包括：
[0048]
用压力测量芯片工具测量不同压力测量点的井筒压力并记录，得到所述不同压力测量点的实测井筒压力值；计算各个压力测量点对应的测量点井深；确定所述测量点井深
与所述实测井筒压力值的对应关系，得到测量点井深-实测压力函数关系；根据所述测量点井深-实测压力函数关系，在测量点井深-压力坐标系绘制测量点井深-实测压力对应关系曲线，得到实测的全井筒压力场。
[0049]
在一些可选的实施例中，将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场进行对比，包括：
[0050]
将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场分别转化为对应当量循环密度表示的曲线，分别得到所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场对应的测量点井深-当量循环密度曲线；
[0051]
将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场的测量点井深-当量循环密度曲线绘制在同一坐标系上，并进行对比。
[0052]
第三方面，本发明实施例提供一种压力场重构装置，使用了前述基于压力测量芯片工具的压力场重构方法。
[0053]
第四方面，本发明实施例提供一种判定井下复杂的装置，使用了前述一种判定井下复杂的方法。
[0054]
第五方面，本发明实施例提供一种计算机存储介质，包括：所述计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令被处理器执行时实现前述基于压力测量芯片工具的压力场重构方法或前述一种判定井下复杂的方法。
[0055]
第六方面，本发明实施例提供一种终端设备，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储于存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现前述基于压力测量芯片工具的压力场重构方法或前述一种判定井下复杂的方法。
[0056]
本发明实施例提供的上述技术方案的有益效果至少包括：
[0057]
本发明实施例提供的一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法，通过绘制测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到重构的全井筒压力场，根据重构的全井筒压力场，可以对钻完井工程的安全做出分析，有助于对井筒压力进行精确控制，保护井筒的完整性，保障工程和油气井的安全，实现了对压力测量芯片工具测量数据的有效利用。
[0058]
本发明实施提供的一种判定井下复杂的方法，通过绘制测量点井深-实测压力对应关系曲线和测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到实测的全井筒压力场和重构的全井筒压力场，对比两种压力场，将对比结果作为判定是否出现井下复杂的依据之一，可以对钻完井工程的安全做出分析，实现了对压力测量芯片工具测量数据的有效利用。
[0059]
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0060]
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0061]
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
[0062]
图1为本发明一实施例中一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法流程图；
[0063]
图2为本发明一实施例中压力测量芯片工具井内运动过程示意图；
[0064]
图3为本发明一实施例中重构的全井筒压力场曲线图；
[0065]
图4为本发明一实施例中一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法的一种具体实现过程流程图；
[0066]
图5为本发明一实施例中一种判定井下复杂的方法流程图；
[0067]
图6为本发明一实施例中实测的全井筒压力场曲线图；
[0068]
图7为本发明一实施例中一种判定井下复杂的方法的一种具体实现过程流程图；
[0069]
图8为本发明一实施例中实测井筒ecd与重构井筒ecd对比图。
具体实施方式
[0070]
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0071]
为了解决现有技术中存在的的问题，本发明实施例提供一种压力场重构的方法、判定井下复杂方法及装置。
[0072]
下列实施例中所出现的全井筒井深，指的是井的测深，测井时从钻台面到井底的测量长度，由测量工具实测得到。
[0073]
下列实施例中所出现的测量点井深，指的是从各个压力测量点对应位置到钻台面的长度，可由全井筒井深减去压力测量芯片工具从井底到测量点的上返距离得到。
[0074]
实施例一
[0075]
本发明实施例一提供一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法，其流程如图1所示，包括如下步骤：
[0076]
步骤s101：计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深、井内流体循环时间，确定测量点井深与井内流体循环时间的对应关系；
[0077]
目前对于井下压力的监测主要采用随钻测量技术，近些年国内外发展出了一种由钻井液携带进入井内，至井底后沿环空上返并在地面收回的压力测量芯片工具。该工具以固定的时间间隔测量并存储井筒压力，可以测量全井筒的压力数据。
[0078]
参照图2所示的压力测量芯片工具井内运动过程示意图，压力测量芯片工具在钻杆中下放，投入井口，压力测量芯片工具自行激活后，开始以固定的时间间隔测量并存储井筒中的压力值。压力测量芯片工具到达井底后进入环空并上返运动，上返一定距离后，从环空排出，由振动筛回收压力测量芯片工具，然后读取压力测量芯片工具中存储的不同时间的实测井筒压力值。
[0079]
在钻井现场，开泵循环后不会立即将压力测量芯片工具投入井口，可以将这段前期准备时间记为t0，即为初始循环时间。由于电池供电时间的限制，压力测量芯片工具在投入井口后经过一段时间自行激活，记压力测量芯片工具投入井筒后自行激活的时间为ts。由于井筒内压力随测量点井深增加而不断增加，压力测量芯片工具在井底时，所测压力数据为最大值，因此所测压力数据为最大值时，确定压力测量芯片工具到达井底。记压力测量芯片工具实测压力数据最大值对应的时间为tb，则压力测量芯片工具到达井底时井内流体已经循环的时间为t，t＝t0+ts+tb。
[0080]
压力测量芯片工具到达井底后，进入环空并沿环空上返。压力测量芯片工具在随井内流体流动的过程中主要受重力、浮力、升力等力的作用，通过建立压力测量芯片工具在井筒中的运动方程并求解，可以得到压力测量芯片工具的运动速度。压力测量芯片工具在两个压力测量点之间的上返运动距离即为芯片工具的运动速度乘以测量时间间隔。用全井筒井深与芯片工具上返的累计运动距离相减，即为压力测量芯片工具在不同压力测量点处对应的测量点井深。
[0081]
压力测量芯片工具到达井底后，进入环空并沿环空上返。根据得到的压力测量芯片工具到达井底时流体的已循环时间与压力测量时间间隔，可以得到压力测量芯片工具在环空中不同压力测量点处的对应流体循环时间。进一步，结合压力测量芯片工具在不同压力测量点处对应的测量点井深，可以得到压力测量芯片工具的每一个压力测量点处测量点井深与井内流体循环时间的对应关系。
[0082]
例如，在该压力测量芯片工具的实施过程中，以单片机程序设定测量时间间隔为5s，该实施井h井测深(即全井筒井深)h’＝5745m。
[0083]
在该芯片工具的实施过程中，投入井口时流体的初始循环时间t0为3h，单片机程序设定芯片自行激活时间ts为1.3h。根据压力测量芯片工具得到的曲线图，压力测量芯片工具压力实测数据最大值处对应的时间tb为0.7h，则压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间t0+ts+tb为3h+1.3h+0.7h＝5h。
[0084]
在压力测量芯片工具在环空上返中第一个压力测量点处，实测井筒压力值为55mpa，压力测量芯片工具运动平均速度为压力测量芯片工具上返移动距离为对应的测量点井深为h1＝h
′‑
s1＝5745m-2m＝5743m，对应井内流体循环时间为t1＝t+δt
×
1＝t0+ts+tb+δt
×
1＝3h+1.3h+0.7h+0.0014h＝5.0014h；
[0085]
在第二个压力测量点处，实测井筒压力值为54.9mpa，压力测量芯片工具运动平均速度为压力测量芯片工具累计上返移动距离为压力测量芯片工具累计上返移动距离为对应的测量点井深为h2＝h
′‑
s2＝5745m-4m＝5741m，对应井内流体循环时间为t2＝t+δt
×
2＝t0+ts+tb+δt
×
2＝3h+1.3h+0.7h+0.0014h
×
2＝5.0028h；
[0086]
在第三个压力测量点处，实测井筒压力值为54.83mpa，压力测量芯片工具运动平均速度为压力测量芯片工具累计上返移动距离为压力测量芯片工具累计上返移动距离为对应的测量点井深为h3＝h
′‑
s3＝5745m-6.5m＝5738.5m，对应井内流体循环时间为t3＝t+δt
×
3＝t0+ts+tb+δt
×
3＝3h+1.3h+0.7h+0.0014h
×
3＝5.0042h；
[0087]
类似的，按照上述方法计算得到压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深、井内流体循环时间。从而得到测量点井深与井内流体循环时间的对应关系。
[0088]
步骤s101利用了压力测量芯片工具以固定的时间间隔测量并存储井筒压力的功能，得到测量点井深与井内流体循环时间的对应关系，为下一步利用理论压力场模型计算不同测量点井深对应的理论井筒压力值，提供了理论压力场模型的输入数据。
[0089]
步骤s102：根据测量点井深与井内流体循环时间的对应关系，计算不同测量点井
深对应的理论井筒压力值，得到测量点井深-理论压力函数关系；
[0090]
提取井筒内流体性质参数，包括：密度、粘度、流变特性等。提取井筒物理参数，包括：钻柱内外径、套管层次、套管内外径等。提取相应的施工工况，包括：钻井过程、固井过程等。建立相应状态下的理论压力场模型。根据相应的施工工况，将前述的井筒内流体性质参数、井筒物理参数等钻井参数，代入到所建立的相应状态下的理论压力场模型中的对应位置。
[0091]
例如，h井为一口水平井，钻井参数如下，测深(即全井筒井深)5745m，垂深4902m，造斜点4069m。钻井液密度1.31g/cm3，n值(流性指数)为0.8，k值(稠度系数)为0.2pa
·
sn，导热系数1.73w/(m
·
℃)，循环排量16l/s。地温梯度0.024℃/m，岩石导热系数2.25w/(m
·
℃)，表层套管内径320.4mm，下深500m；技术套管1内径220.5mm，下深3430m；技术套管2内径155.8mm，下深4624m。钻杆内径108.6mm，外径127mm。井眼尺寸158.4m。
[0092]
建立相应状态下的理论压力场模型。理论压力场模型可以由钻柱内温度计算模型、环空内温度计算模型、井内流体密度计算模型和井筒压力计算模型组成。
[0093]
建立钻柱内温度计算模型，所述钻柱内温度计算模型的公式为，
[0094][0095]
建立环空内温度计算模型，所述环空内温度计算模型的公式为，
[0096][0097]
在所述钻柱内温度计算模型的公式和所述环空内温度计算模型的公式中，π为圆周率，ta、t
p
分别为环空和钻柱内流体温度，ca、c
p
分别为环空和钻柱内流体比热，h
pi
、h
po
分别为钻柱壁内和钻柱壁外的对流换热系数，λ
dp
为钻柱的导热系数，ρa、ρ
p
分别为环空和钻柱内流体密度，qm为钻井液循环排量，q
cp
为钻柱内压耗产生的热量，z为测量点井深，t为井内循环时间，δz为空间距离，δt为时间间隔，d
pi
和d
po
分别为钻柱内径和外径，hf为地层与环空流体之间的对流换热系数，dw为井眼直径，tf为井壁温度，q
ca
为环空压耗产生的热量；
[0098]
建立井内流体密度计算模型，所述井内流体密度计算模型的公式为，
[0099]
ρ(p,t)＝ρ0exp[ξ
p
(p-p0)+ξ
pp
(p-p0)2+ξ
t
(t-t0)+ξ
tt
(t-t0)2+ξ
pt
(p-p0)(t-t0)]
[0100]
式中，p0为地面压力，t0为地面温度，ρ(p,t)为压力为p且温度为t时的流体密度，ξ
p
、ξ
pp
、ξ
t
、ξ
tt
、ξ
pt
为结合室内高温高压实验数据拟合出的待定系数；
[0101]
建立井筒压力计算模型，所述井筒压力计算模型的公式为：
[0102]
p＝ρgh+pf+pb[0103]
式中，ρ为井内流体密度，g为重力加速度，h为测量点垂深，h由测量点井深和井斜角度计算得到，pf为循环摩阻，pb为井口回压。
[0104]
根据得到的压力测量点处测量点井深与井内流体循环时间的对应关系，并依据井筒内流体性质参数、井筒物理参数等钻井参数和对应工况下的理论压力场模型，计算测量
点井深及相应井内流体循环时间下对应的理论井筒压力值，从井底开始，自下而上依次计算，得到每一压力测量点的测量点井深对应的理论井筒压力值，从而得到测量点井深-理论压力函数关系。
[0105]
例如，在h井，用上述方法得到测量点井深对应的理论井筒压力值：
[0106]
测量点井深为5743m时，理论井筒压力值为55.71mpa；
[0107]
测量点井深为5741m时，理论井筒压力值为55.65mpa；
[0108]
测量点井深为5738.5m时，理论井筒压力值为55.59mpa；
[0109]
类似的，直到得到每一压力测量点的测量点井深对应的理论井筒压力值。
[0110]
依据上述每一压力测量点的测量点井深对应的理论井筒压力值计算结果，可以得到测量点井深-理论压力函数关系，记为f
′
(n)，n为压力测量点序数，n为正整数。则从井底自下而上可以表示为：
[0111]f′
(1)＝(5743m，55.71mpa)
[0112]f′
(2)＝(5741m，55.65mpa)
[0113]f′
(3)＝(5738.5m，55.59mpa)
[0114]
类似的，直到得到每一压力测量点的测量点井深-理论压力函数关系表达式。
[0115]
步骤s102利用步骤s101提供的测量点井深与井内流体循环时间的对应关系，计算不同测量点井深对应的理论井筒压力值，得到测量点井深-理论压力函数关系，为实现压力场重构提供了数据来源。
[0116]
步骤s103：根据测量点井深-理论压力函数关系，在测量点井深-压力坐标系绘制测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到重构的全井筒压力场。
[0117]
将测量点井深-理论压力函数关系以笛卡尔坐标系和曲线形式表示，参照图3所示的重构的全井筒压力场曲线图，横坐标为压力，单位mpa，纵坐标为测量点井深，单位m，根据f
′
(n)的函数关系，绘制出所有压力测量点对应的的坐标点，然后按照测量点井深由大到小的顺序，将这些坐标点，连成一条连续的曲线，得到测量点井深-理论压力对应关系曲线。从图3可以看出，随着测量点井深增大，井筒内压力也增大，并且在到达一定测量点井深后，井筒压力增大趋势明显放缓，在井底时压力到达最大。测量点井深-理论压力对应关系曲线即为最终的全井筒压力场重构结果。
[0118]
通常，把溢流、漏失、起下钻遇阻划眼等井下问题称为井下复杂，其中溢流、漏失为风险最大的井下复杂之一，只要处理措施和方法正确得当，井下复杂将逐步好转并恢复正常状态，但若处理不当，则井下复杂可能进一步加剧，造成更为严重的钻井事故，井筒压力是判定井下复杂的重要参数之一。
[0119]
本实施例中，利用压力测量芯片工具的实测井筒压力值和测量时间间隔，计算得到各压力测量点处的理论井筒压力值，通过绘制测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到重构的全井筒压力场，根据重构的全井筒压力场，可以对钻完井工程的安全做出分析，有助于对井筒压力进行精确控制，保护井筒的完整性，保障工程和油气井的安全，实现了对压力测量芯片工具测量数据的有效利用。
[0120]
实施例二
[0121]
本发明实施例二提供一种基于压力测量芯片工具的压力场重构方法的一种具体实现过程，其流程如图4所示，包括如下步骤：
[0122]
步骤s201：收集钻井参数。其中，包括测量并记录全井筒井深。全井筒井深指的是整个井筒的测深。除此之外，也可以收集井筒内流体性质参数、井筒物理参数等钻井参数备用。例如，压力测量芯片工具在h井的实施过程中，实施井h井测深(即全井筒井深)5745m，垂深4902m，造斜点4069m。钻井液密度1.31g/cm3，n值(流性指数)为0.8，k值(稠度系数)为0.2pa
·
sn，导热系数1.73w/(m
·
℃)，循环排量16l/s。地温梯度0.024℃/m，岩石导热系数2.25w/(m
·
℃)，表层套管内径320.4mm，下深500m；技术套管1内径220.5mm，下深3430m；技术套管2内径155.8mm，下深4624m。钻杆内径108.6mm，外径127mm。井眼尺寸158.4m。
[0123]
步骤s202：计算压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间。
[0124]
获取压力测量芯片工具测量的不同压力测量点的实测井筒压力值；压力测量芯片工具的使用参照图2所示的压力测量芯片工具井内运动过程示意图，压力测量芯片工具在钻杆中下放，投入井口，压力测量芯片工具自行激活后，开始以固定的时间间隔测量并存储井筒中的压力值。压力测量芯片工具到达井底后进入环空并上返运动，上返一定距离后，从环空排出，由振动筛回收压力测量芯片工具，然后读取压力测量芯片工具中存储的不同时间的实测井筒压力值。
[0125]
当所述实测井筒压力值达到最大值时，确定所述压力测量芯片工具到达井底。
[0126]
获取从开泵循环到将所述压力测量芯片工具投入井口的时间、从将所述压力测量芯片工具投入井口到所述压力测量芯片工具自行激活完成的时间以及从所述压力测量芯片工具自行激活完成到所述实测井筒压力值达到最大值之间的时间；
[0127]
将所述从开泵循环到将压力测量芯片工具投入井口的时间、从将所述压力测量芯片工具投入井口到所述压力测量芯片工具自行激活完成的时间、从所述压力测量芯片工具自行激活完成到所述实测井筒压力值达到最大值之间的时间求和，得到压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间。
[0128]
例如，在钻井现场，开泵循环后不会立即将压力测量芯片工具投入井口，可以将这段前期准备时间记为t0，即为初始循环时间。由于电池供电时间的限制，压力测量芯片工具在投入井口后经过一段时间自行激活，记压力测量芯片工具投入井筒后自行激活的时间为ts。由于井筒内压力随测量点井深增加而不断增加，压力测量芯片工具在井底时，所测压力数据为最大值，因此所测压力数据为最大值时，确定压力测量芯片工具到达井底。记压力测量芯片工具实测压力数据最大值对应的时间为tb，则压力测量芯片工具到达井底时井内流体已经循环的时间为t，t＝t0+ts+tb。
[0129]
例如，在该压力测量芯片工具在h井的实施过程中，压力测量芯片工具投入井口时流体的初始循环时间t0为3h，单片机程序设定芯片自行激活时间ts为1.3h。根据压力测量芯片工具得到的曲线图，压力测量芯片工具压力实测数据最大值处对应的时间tb为0.7h，则压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间为3h+1.3h+0.7h＝5h。
[0130]
步骤s203：计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深、井内流体循环时间，确定所述测量点井深与所述井内流体循环时间的对应关系。
[0131]
压力测量芯片工具到达井底后，进入环空并沿环空上返。根据得到的压力测量芯片工具到达井底时流体的已循环时间与压力测量时间间隔，可以得到压力测量芯片工具在环空中不同压力测量点处的对应流体循环时间。
[0132]
计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的井内流体循环时间，包括：
[0133]
针对第1个压力测量点，将所述压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间加上一个测压时间间隔，得到所述压力测量芯片工具在第一个压力测量点对应的井内流体循环时间；
[0134]
针对第n个压力测量点，n大于1，将所述压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间加上n个所述测压时间间隔，得到所述压力测量芯片工具在第n个压力测量点对应的井内流体循环时间。n为压力测量点序数，n为正整数。
[0135]
例如，在该压力测量芯片工具在h井的实施过程中，以单片机程序设定测量时间间隔为5s。步骤s202得到压力测量芯片工具到达井底时流体已经循环的时间为3h+1.3h+0.7h＝5h。
[0136]
在压力测量芯片工具在环空上返中第一个压力测量点处，对应井内流体循环时间为t1＝t+δt
×
1＝t0+ts+tb+δt
×
1＝3h+1.3h+0.7h+0.0014h＝5.0014h；
[0137]
在第二个压力测量点处，对应井内流体循环时间为t2＝t+δt
×
2＝t0+ts+tb+δt
×
2＝3h+1.3h+0.7h+0.0014h
×
2＝5.0028h；
[0138]
在第三个压力测量点处，对应井内流体循环时间为t3＝t+δt
×
3＝t0+ts+tb+δt
×
3＝3h+1.3h+0.7h+0.0014h
×
3＝5.0042h；
[0139]
类似的，按照上述方法计算得到压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的井内流体循环时间。
[0140]
计算压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深，包括：
[0141]
针对第1个压力测量点，计算压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点的速度。压力测量微型芯片在随井内流体流动的过程中主要受重力、浮力、升力等力的作用，且芯片工具的受力主要与其外形尺寸、整体密度，以及钻井液密度和粘度等有关，建立芯片工具的运动方程。
[0142][0143]
建立运动方程并求解，可以得到芯片工具的运动速度。由于两个压力测量点之间的时间间隔较短，因此可以用平均速度代替不同位置处的速度分布。
[0144]
计算所述压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点的平均速度，作为所述压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点不同位置的速度；
[0145]
例如，压力测量芯片工具在h井的实施过程中，在压力测量芯片工具在环空上返中第一个压力测量点处，压力测量芯片工具运动平均速度为计算得到
[0146]
类似的，计算压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的速度，包括：计算压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的平均速度，作为压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点不同位置的速度。在第二个压力测量点处，压力测量芯片工具运动平均速度为计算得到在第三个压力测量点处，压力测量芯片工具运动平均速度为计算得到
[0147]
根据所述压力测量芯片工具从井底上返到第一个压力测量点的速度和预设的测压时间间隔，计算得到所述压力测量芯片工具从井底到第一个压力测量点的上返距离，作为第一个压力测量点对应的上返距离；
[0148]
用全井筒井深减去所述第一个压力测量点对应的上返距离，得到第一个压力测量点对应的测量点井深；
[0149]
例如，压力测量芯片工具在h井的实施过程中，设定测量时间间隔为5s，在压力测量芯片工具在环空上返中第一个压力测量点处，压力测量芯片工具运动平均速度为压力测量芯片工具上返移动距离为力测量芯片工具上返移动距离为对应的测量点井深为h1＝h
′‑
s1＝5745m-2m＝5743m；
[0150]
针对第n个压力测量点，n大于1，计算所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的速度，根据所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的速度和测压时间间隔，计算得到所述压力测量芯片工具从第n-1个压力测量点到第n个压力测量点的上返距离，作为第n个压力测量点对应的上返距离；
[0151]
将第1～n个压力测量点对应的上返距离求和，得到第n个压力测量点的累计上返距离；用全井筒井深减去所述第n个压力测量点的累计上返距离，得到第n个压力测量点对应的测量点井深。
[0152]
例如，压力测量芯片工具在h井的实施过程中，设定测量时间间隔为5s，在第二个压力测量点处，压力测量芯片工具运动平均速度为压力测量芯片工具累计上返移动距离为对应的测量点井深为h2＝h
′‑
s2＝5745m-4m＝5741m；
[0153]
在第三个压力测量点处，压力测量芯片工具运动平均速度为压力测量芯片工具累计上返移动距离为对应的测量点井深为h3＝h
′‑
s3＝5745m-6.5m＝5738.5m；
[0154]
类似的，按照上述方法计算得到压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深。
[0155]
根据计算得到的压力测量芯片工具的各个压力测量点对应的测量点井深、井内流体循环时间，确定所述测量点井深与所述井内流体循环时间的对应关系。
[0156]
例如，在h井中，测量点井深为5743m，对应的井内流体循环时间为5.0014h，测量点井深为5741m，对应的井内流体循环时间为5.0028h，测量点井深为5738.5m，对应的井内流体循环时间为5.0042h。
[0157]
步骤s204：根据所述测量点井深与所述井内流体循环时间的对应关系，计算所述不同测量点井深对应的理论井筒压力值，得到测量点井深-理论压力函数关系；
[0158]
建立理论压力场模型。理论压力场模型可以由钻柱内温度计算模型、环空内温度计算模型、井内流体密度计算模型和井筒压力计算模型组成。
[0159]
建立钻柱内温度计算模型，所述钻柱内温度计算模型的公式为，
[0160][0161]
建立环空内温度计算模型，所述环空内温度计算模型的公式为，
[0162][0163]
在所述钻柱内温度计算模型的公式和所述环空内温度计算模型的公式中，π为圆周率，ta、t
p
分别为环空和钻柱内流体温度，ca、c
p
分别为环空和钻柱内流体比热，h
pi
、h
po
分别为钻柱壁内和钻柱壁外的对流换热系数，λ
dp
为钻柱的导热系数，ρa、ρ
p
分别为环空和钻柱内流体密度，qm为钻井液循环排量，q
cp
为钻柱内压耗产生的热量，z为测量点井深，t为井内循环时间，δz为空间距离，δt为时间间隔，d
pi
和d
po
分别为钻柱内径和外径，hf为地层与环空流体之间的对流换热系数，dw为井眼直径，tf为井壁温度，q
ca
为环空压耗产生的热量；
[0164]
建立井内流体密度计算模型，所述井内流体密度计算模型的公式为，
[0165]
ρ(p,t)＝ρ0exp[ξ
p
(p-p0)+ξ
pp
(p-p0)2+ξ
t
(t-t0)+ξ
tt
(t-t0)2+ξ
pt
(p-p0)(t-t0)]
[0166]
式中，p0为地面压力，t0为地面温度，ρ(p,t)为压力为p且温度为t时的流体密度，ξ
p
、ξ
pp
、ξ
t
、ξ
tt
、ξ
pt
为结合室内高温高压实验数据拟合出的待定系数；
[0167]
建立井筒压力计算模型，所述井筒压力计算模型的公式为：
[0168]
p＝ρgh+pf+pb[0169]
式中，ρ为井内流体密度，g为重力加速度，h为测量点垂深，h由测量点井深和井斜角度计算得到，pf为循环摩阻，pb为井口回压。
[0170]
根据所述测量点井深与所述测量点井深对应的井内流体循环时间，利用所述理论压力场模型，计算不同测量点井深对应的理论井筒压力值；
[0171]
提取井筒内流体性质参数，包括：密度、粘度、流变特性等。提取井筒物理参数，包括：钻柱内外径、套管层次、套管内外径等。提取相应的施工工况，包括：钻井过程、固井过程等。建立相应状态下的理论压力场模型。根据相应的施工工况，将前述的井筒内流体性质参数、井筒物理参数等钻井参数，代入到所建立的相应状态下的理论压力场模型中的对应位置。
[0172]
根据得到的压力测量点处测量点井深与井内流体循环时间的对应关系，并依据井筒内流体性质参数、井筒物理参数等钻井参数和对应工况下的理论压力场模型，计算测量点井深及相应井内流体循环时间下对应的理论井筒压力值，从井底开始，自下而上依次计算，得到每一压力测量点的测量点井深对应的理论井筒压力值，从而得到测量点井深-理论压力函数关系。
[0173]
例如，在h井，用上述方法得到测量点井深对应的理论井筒压力值：
[0174]
测量点井深为5743m时，理论井筒压力值为55.71mpa；
[0175]
测量点井深为5741m时，理论井筒压力值为55.65mpa；
[0176]
测量点井深为5738.5m时，理论井筒压力值为55.59mpa；
[0177]
类似的，直到得到每一压力测量点的测量点井深对应的理论井筒压力值。
[0178]
根据所述不同测量点井深对应的理论井筒压力值，得到测量点井深-理论压力函数关系。
[0179]
依据上述每一压力测量点的测量点井深对应的理论井筒压力值计算结果，可以得
到测量点井深-理论压力函数关系，记为f
′
(n)，n为压力测量点序数，n为正整数。则从井底自下而上可以表示为：
[0180]f′
(1)＝(5743m，55.71mpa)
[0181]f′
(2)＝(5741m，55.65mpa)
[0182]f′
(3)＝(5738.5m，55.59mpa)
[0183]
类似的，直到得到每一压力测量点的测量点井深-理论压力函数关系表达式。
[0184]
步骤s205：根据所述测量点井深-理论压力函数关系，在测量点井深-压力坐标系绘制测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到重构的全井筒压力场。
[0185]
将测量点井深-理论压力函数关系以笛卡尔坐标系和曲线形式表示，参照图3所示的重构的全井筒压力场曲线图，横坐标为压力，单位mpa，纵坐标为测量点井深，单位m，根据f
′
(n)的函数关系，绘制出所有压力测量点对应的的坐标点，然后按照测量点井深由大到小的顺序，将这些坐标点，连成一条连续的曲线，得到测量点井深-理论压力对应关系曲线。从图3可以看出，随着测量点井深增大，井筒内压力也增大，并且在到达一定测量点井深后，井筒压力增大趋势明显放缓，在井底时压力到达最大。测量点井深-理论压力对应关系曲线即为重构的全井筒压力场。
[0186]
通常，把溢流、漏失、起下钻遇阻划眼等井下问题称为井下复杂，其中溢流、漏失为风险最大的井下复杂之一，只要处理措施和方法正确得当，井下复杂将逐步好转并恢复正常状态，但若处理不当，则井下复杂可能进一步加剧，造成更为严重的钻井事故，井筒压力是判定井下复杂的重要参数之一。
[0187]
本实施例中，利用压力测量芯片工具的实测井筒压力值和测量时间间隔，计算得到各压力测量点处的理论井筒压力值，通过绘制测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到重构的全井筒压力场，根据重构的全井筒压力场，可以对钻完井工程的安全做出分析，有助于对井筒压力进行精确控制，保护井筒的完整性，保障工程和油气井的安全，实现了对压力测量芯片工具测量数据的有效利用。
[0188]
实施例三
[0189]
本发明实施例三提供一种判定井下复杂的方法，其流程如图5所示，包括如下步骤：
[0190]
步骤s301：建立实测的全井筒压力场。
[0191]
用压力测量芯片工具测量不同压力测量点的井筒压力并记录，得到所述不同压力测量点的实测井筒压力值；例如，在压力测量芯片工具在环空上返中第一个压力测量点处，实测井筒压力值为55mpa，在第二个压力测量点处，实测井筒压力值为54.9mpa，在第三个压力测量点处，实测井筒压力值为54.83mpa，类似的，按照上述方法得到压力测量芯片工具的各个压力测量点的实测井筒压力值。
[0192]
计算各个压力测量点对应的测量点井深；计算各个压力测量点对应的测量点井深的方法在本发明实施例一和实施例二已有详细介绍。
[0193]
确定所述测量点井深与所述实测井筒压力值的对应关系，得到测量点井深-实测压力函数关系；例如，在h井中，测量点井深为5743m时，实测井筒压力值为55mpa，测量点井深为5741m时，实测井筒压力值为54.9mpa，测量点井深为5738.5m时，实测井筒压力值为54.83mpa，直到得到所有压力测量点的测量点井深和对应的实测井筒压力值。
[0194]
依据上述每一压力测量点的测量点井深对应的实测井筒压力值计算结果，可以得到测量点井深-实测压力函数关系，记为f(n)，n为压力测量点序数，n为正整数。则从井底自下而上可以表示为：
[0195]
f(1)＝(5743m，55mpa)
[0196]
f(2)＝(5741m，54.9mpa)
[0197]
f(3)＝(5738.5m，54.83mpa)
[0198]
类似的，直到得到每一压力测量点的测量点井深-实测压力函数关系表达式。
[0199]
根据所述测量点井深-实测压力函数关系，在测量点井深-压力坐标系绘制测量点井深-实测压力对应关系曲线，得到实测的全井筒压力场。
[0200]
将测量点井深-实测压力函数关系以笛卡尔坐标系和曲线形式表示，参照图6所示的实测的全井筒压力场曲线图，横坐标为压力，单位mpa，纵坐标为测量点井深，单位m，根据f(n)的函数关系，绘制出所有压力测量点对应的的坐标点，然后按照测量点井深由大到小的顺序，将这些坐标点，连成一条连续的曲线，得到测量点井深-理论压力对应关系曲线。从图6可以看出，随着测量点井深增大，井筒内压力总体上也呈增大趋势，在到达一定测量点井深后，实测井筒压力值增大趋势不明显，在井底时实测井筒压力值到达最大。测量点井深-实测压力对应关系曲线即为实测的全井筒压力场。
[0201]
步骤s302：建立重构的全井筒压力场；具体方法已在实施例一和实施例二中介绍。
[0202]
步骤s303：将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场进行对比，根据对比结果，确定是否出现井下复杂。
[0203]
将测量点井深-实测压力对应关系曲线和测量点井深-理论压力对应关系曲线绘制在同一坐标系上，进行对比，得到对比结果。
[0204]
根据测量点井深-实测压力对应关系曲线和测量点井深-理论压力对应关系曲线的对比结果，确定是否出现井下复杂。例如，在h井的实施中，根据测量点井深-实测压力对应关系曲线和测量点井深-理论压力对应关系曲线的对比，判定该井在循环钻进过程中未发生井下复杂。
[0205]
通常，把溢流、漏失、起下钻遇阻划眼等井下问题称为井下复杂，其中溢流、漏失为风险最大的井下复杂之一，只要处理措施和方法正确得当，井下复杂将逐步好转并恢复正常状态，但若处理不当，则井下复杂可能进一步加剧，造成更为严重的钻井事故，井筒压力是判定井下复杂的重要参数之一。
[0206]
本实施中，利用压力测量芯片工具的实测井筒压力值和测量时间间隔，得到各压力测量点的测量点井深和对应的实测井筒压力值、理论井筒压力值，通过绘制测量点井深-实测压力对应关系曲线和测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到实测的全井筒压力场和重构的全井筒压力场，对比两种压力场，将对比结果作为判定是否出现井下复杂的依据之一，可以对钻完井工程的安全做出分析，实现了对压力测量芯片工具测量数据的有效利用。
[0207]
实施例四
[0208]
本发明实施例四提供一种判定井下复杂的方法的一种具体实现过程，其流程如图7所示，包括如下步骤：
[0209]
步骤s401：建立实测的全井筒压力场；
[0210]
用压力测量芯片工具测量不同压力测量点的井筒压力并记录，得到所述不同压力测量点的实测井筒压力值；例如，在压力测量芯片工具在环空上返中第一个压力测量点处，实测井筒压力值为55mpa，在第二个压力测量点处，实测井筒压力值为54.9mpa，在第三个压力测量点处，实测井筒压力值为54.83mpa，类似的，按照上述方法得到压力测量芯片工具的各个压力测量点的实测井筒压力值。
[0211]
计算各个压力测量点对应的测量点井深；计算各个压力测量点对应的测量点井深的方法在本发明实施例一和实施例二已有详细介绍。
[0212]
确定所述测量点井深与所述实测井筒压力值的对应关系，得到测量点井深-实测压力函数关系；例如，在h井中，测量点井深为5743m时，实测井筒压力值为55mpa，测量点井深为5741m时，实测井筒压力值为54.9mpa，测量点井深为5738.5m时，实测井筒压力值为54.83mpa，直到得到所有压力测量点的测量点井深和对应的实测井筒压力值。
[0213]
依据上述每一压力测量点的测量点井深对应的实测井筒压力值计算结果，可以得到测量点井深-实测压力函数关系，记为f(n)，n为压力测量点序数，n为正整数。则从井底自下而上可以表示为：
[0214]
f(1)＝(5743m，55mpa)
[0215]
f(2)＝(5741m，54.9mpa)
[0216]
f(3)＝(5738.5m，54.83mpa)
[0217]
类似的，直到得到每一压力测量点的测量点井深-实测压力函数关系表达式。
[0218]
根据所述测量点井深-实测压力函数关系，在测量点井深-压力坐标系绘制测量点井深-实测压力对应关系曲线，得到实测的全井筒压力场。
[0219]
将测量点井深-实测压力函数关系以笛卡尔坐标系和曲线形式表示，参照图6所示的实测的全井筒压力场曲线图，横坐标为压力，单位mpa，纵坐标为测量点井深，单位m，根据f(n)的函数关系，绘制出所有压力测量点对应的的坐标点，然后按照测量点井深由大到小的顺序，将这些坐标点，连成一条连续的曲线，得到测量点井深-理论压力对应关系曲线。从图6可以看出，随着测量点井深增大，井筒内压力总体上也呈增大趋势，在到达一定测量点井深后，实测井筒压力值增大趋势不明显，在井底时实测井筒压力值到达最大。测量点井深-实测压力对应关系曲线即为实测的全井筒压力场。
[0220]
步骤s402：建立重构的全井筒压力场。具体方法已在实施例一和实施例二中介绍。
[0221]
步骤s403：将压力转化为当量循环密度来表示。在一些可选的实施例中，由于现场工程上常以当量循环密度，即ecd(equivalent circulating density)作为井筒压力的表示方式，因此将压力转化为当量循环密度来表示。
[0222]
将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场分别转化为对应当量循环密度表示的曲线，分别得到所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场对应的测量点井深-当量循环密度曲线；
[0223]
步骤s404：将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场进行对比，根据所述对比结果，确定是否出现井下复杂。
[0224]
将所述实测的全井筒压力场与所述重构的全井筒压力场的测量点井深-当量循环密度曲线绘制在同一坐标系上，并进行对比，根据所述对比结果，确定是否出现井下复杂。例如，在h井的实施中，参照图8所示的实测井筒ecd与重构井筒ecd对比图，图中，左侧较平
滑的曲线为测量点井深-理论压力对应关系曲线所转化的当量循环密度曲线，左侧呈齿状的曲线为测量点井深-实测压力对应关系曲线所转化的当量循环密度曲线。根据实测井筒ecd与重构井筒ecd对比图，判定该井在循环钻进过程中未发生井下复杂。
[0225]
通常，把溢流、漏失、起下钻遇阻划眼等井下问题称为井下复杂，其中溢流、漏失为风险最大的井下复杂之一，只要处理措施和方法正确得当，井下复杂将逐步好转并恢复正常状态，但若处理不当，则井下复杂可能进一步加剧，造成更为严重的钻井事故，井筒压力是判定井下复杂的重要参数之一。
[0226]
本实施中，利用压力测量芯片工具的实测井筒压力值和测量时间间隔，得到各压力测量点的测量点井深和对应的实测井筒压力值、理论井筒压力值，通过绘制测量点井深-实测压力对应关系曲线和测量点井深-理论压力对应关系曲线，得到实测的全井筒压力场和重构的全井筒压力场，对比两种压力场，将对比结果作为判定是否出现井下复杂的依据之一，可以对钻完井工程的安全做出分析，实现了对压力测量芯片工具测量数据的有效利用。
[0227]
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种压力场重构装置，该装置使用了前述基于压力测量芯片工具的压力场重构方法。
[0228]
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种判定井下复杂的装置，该装置使用了前述一种判定井下复杂的方法。
[0229]
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令被处理器执行时实现前述基于压力测量芯片工具的压力场重构方法或前述一种判定井下复杂的方法。
[0230]
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种终端设备，包括：存储器、处理器及存储于存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现前述基于压力测量芯片工具的压力场重构方法或前述一种判定井下复杂的方法。
[0231]
关于上述实施例中的装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
[0232]
在上述的详细描述中，各种特征一起组合在单个的实施方案中，以简化本公开。不应该将这种公开方法解释为反映了这样的意图，即，所要求保护的主题的实施方案需要清楚地在每个权利要求中所陈述的特征更多的特征。相反，如所附的权利要求书所反映的那样，本发明处于比所公开的单个实施方案的全部特征少的状态。因此，所附的权利要求书特此清楚地被并入详细描述中，其中每项权利要求独自作为本发明单独的优选实施方案。
[0233]
上文的描述包括一个或多个实施例的举例。当然，为了描述上述实施例而描述部件或方法的所有可能的结合是不可能的，但是本领域普通技术人员应该认识到，各个实施例可以做进一步的组合和排列。因此，本文中描述的实施例旨在涵盖落入所附权利要求书的保护范围内的所有这样的改变、修改和变型。此外，就说明书或权利要求书中使用的术语“包含”，该词的涵盖方式类似于术语“包括”，就如同“包括，”在权利要求中用作衔接词所解释的那样。此外，使用在权利要求书的说明书中的任何一个术语“或者”是要表示“非排它性的或者”。