专利名称：利用集磁器连接异种金属管的方法
技术领域：
本发明涉及一种连接异种金属管的方法，属于异种金属磁脉冲连接领域。
技术背景结构轻量化和材料轻量化是实现轻量化设计的两个主要途径。结构的轻 量化、整体化和多功能化设计常需要采用铝合金、镁合金等轻质材料代替传 统的钢材，同时也需要实现铝合金等轻质材料与其他金属材料的连接。由于 易在连接界面上出现很脆的金属间化合物，并产生很大的应力梯度，所以， 通过扩散焊、爆炸焊、滚压连接和摩擦焊等方法难以获得高强度和高耐蚀性 的连接接头，由此限制了这些轻质材料及其异种金属连接件在武器装备、航 空航天和汽车制造等领域的应用。磁脉冲连接(MPW)技术是一种适于异种金属材料的固相连接方法，它 集成了高速磁脉冲成形(EMF)和固相连接技术的优点。在EMF加工过程中 受脉冲磁场力作用，金属工件或其中某一部分高速运动，使工件变形。在MPW 连接过程中，连接件在强脉冲磁场力作用下向被连接件高速运动并与之猛烈 撞击。在两金属接触面的先撞击点上产生射流以及高应变速率的金属塑性流 动。该射流冲刷或清除了两金属工件待复合面的氧化层和吸附层，使二洁净 金属表面在高压下紧密结合而形成金属键接。随着变形过程的进行，金属键 合面积逐步扩大到整个连接表面，实现两金属工件之间的连接。但是，现有 的磁脉冲连接技术存在以下不足一、 采用由常规电工用标准铜导线加工的多匝线圈进行磁脉冲连接时「 放电回路电感大，放电频率低，线圈电流和磁场力幅值显著减小，这种情况 很难形成符合质量要求的磁脉冲连接接头；另一方面，线圈长度远大于连接 区长度，作用于连接区的能量低，并且使非连接区的金属产生变形。二、 采用单匝线圈，则放电回路电感减小，磁场力幅值显著提高；但是 这种情况造成线圈电流过大，易导致放电回路、线圈的绝缘击穿和导线熔断， 同时提高磁脉冲连接成本，降低效率。三、由于磁脉冲连接区长度仅为几毫米， 一般线圈长度远大于磁脉冲连 接区长度，所以利用现有的螺线管线圈使磁脉冲连接的柔性降低，导致不同 的连接条件需要加工不同的特殊线圈，灵活性差。综上，现有的异种金属管件连接技术存在难以获得高强度和高耐蚀性的 连接接头、非连接区的金属易产生变形、成本高、效率低和灵活性差的问题。发明内容本发明的目的是为了解决现有的异种金属管件连接技术存在难以获得高 强度和高耐蚀性的连接接头、非连接区的金属易产生变形、成本高、效率低 和灵活性差的问题，进而提供一种利用集磁器连接异种金属管的方法。本发明的利用集磁器连接异种金属管的第一种方法的步骤为步骤一将支撑块安装在支撑座的沉孔内，所述支撑块和支撑座由绝缘 材料制成；步骤二用丙酮对高导电率连接管件和低导电率连接管件的搭接位置进 行清洗处理；步骤三将高导电率连接管件和低导电率连接管件套装在支撑块上，所 述高导电率连接管件、低导电率连接管件和支撑块三者同轴，并且保证高导 电率连接管件和低导电率连接管件的搭接位置，搭接位置的长度为L，搭接位 置的间隙为K;步骤四将集磁器套装在高导电率连接管件上，集磁器的下端安装在支 撑座的上端面上，保证集磁器与高导电率连接管件同轴，同时保证集磁器的 加工区与高导电率连接管件和低导电率连接管件的搭接位置相对应，集磁器 的加工区到高导电率连接管件的距离为J;步骤五将线圈套装在集磁器上，所述线圈的导线高度与集磁器的高度 相等；步骤六将线圈的两个接线端接到放电回路的正负极上，然后通过外部 充电电路对脉冲电容器组充电，充电完毕后通过高压脉冲发生器闭合放电开 关，高频脉冲电流ir流过线圈的瞬时产生瞬时变化的强磁场，并在集磁器的
外壁上产生与线圈电流方向相反的集磁器感应电流i2;根据集肤效应，集磁器 感应电流i2在集磁器的外壁表层流动，并在集磁器的开缝处转到集磁器的内 壁表层，进而集中到集磁器的加工区的表层流动，此时集磁器感应电流i2的 流向与高频脉冲电流ii相同；集磁器感应电流i2的磁场与高导电率连接管件 感应电流i3的磁场相叠加，在集磁器的内壁、高导电率连接管件之间形成强 磁场，并与高导电率连接管件感应电流i3作用产生脉冲磁场力；脉冲磁场力 沿高导电率连接管件的轴向分布不均匀，在连接区的中部磁场力幅值大，而 在其两端幅值小，导致脉冲磁场力作用下的高导电率连接管件和低导电率连 接管件之间的冲击接触不同步，具有一定的冲击角度，因此，高导电率连接 管件在脉冲磁场力的作用下与低导电率连接管件冲击接触，产生MPW接头。
本发明的利用集磁器连接异种金属管的第二种方法的步骤为
步骤一将支撑块安装在支撑座的上端面上，所述支撑块和支撑座由绝 缘材料制成；
步骤二用丙酮对高导电率连接管件和低导电率连接管件的搭接位置进 行清洗处理；
步骤三将线圈安装在支撑座的沉孔内；
步骤四将集磁器套装在线圈上，所述集磁器的高度与线圈的高度相等， 保证集磁器的加工区与高导电率连接管件和低导电率连接管件的搭接位置相 对应，集磁器的加工区到高导电率连接管件的距离为J;
步骤五将高导电率连接管件套装在集磁器上，高导电率连接管件的下 端面与支撑块的上端面接触，再将低导电率连接管件套装在支撑座上，低导 电率连接管件的下端面与支撑座的台肩端面接触，所述高导电率连接管件、 低导电率连接管件和集磁器三者同轴，并且保证高导电率连接管件和低导电 率连接管件的搭接位置，搭接位置的长度为L，搭接位置的间隙为K;
步骤六将线圈的两个接线端接到放电回路的正负极上，然后通过外部 充电电路对脉冲电容器组充电，充电完毕后通过高压脉冲发生器闭合放电开
关，高频脉冲电流i,流过线圈的瞬时产生瞬时变化的强磁场，并在集磁器的
内壁上产生与线圈电流方向相反的集磁器感应电流i"根据集肤效应，集磁器
感应电流i2在集磁器的内壁表层流动，并在集磁器的开缝处转到集磁器的外
壁表层，进而集中到集磁器的加工区的表层流动，此时集磁器感应电流i2的 流向与高频脉冲电流h相同；集磁器感应电流i2的磁场与高导电率连接管件 感应电流i3的磁场相叠加，在集磁器的外壁、高导电率连接管件之间形成强 磁场，并与高导电率连接管件感应电流i3作用产生脉冲磁场力；脉冲磁场力 沿高导电率连接管件的轴向分布不均匀，在连接区的中部磁场力幅值大，而 在其两端幅值小，导致脉冲磁场力作用下的高导电率连接管件和低导电率连 接管件之间的冲击接触不同步，具有一定的冲击角度，因此，高导电率连接 管件在脉冲磁场力的作用下与低导电率连接管件冲击接触，产生MPW接头。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果 一、使用集磁器有利于优化 异种金属管件的连接区域，提高连接区域的脉冲磁场和磁场力幅值，由此能 够提高磁脉冲连接接头的强度；二、针对异种金属管件的直径和壁厚，通过 改变集磁器的几何特征，利用己有的线圈即可进行多种工艺条件下的连接， 显著提高了异种金属管件磁脉冲连接方法的加工灵活性；三、由于在室温下 的高速冲击接触连接，接头连接界面的过渡区很小，非连接区的金属不会产 生变形，不产生脆性相或金属间化合物，接头无热影响区和扭曲变形，强度 和耐蚀性高，抗拉强度和抗扭强度高；四、连接接头的气密性和水密性非常
高；五、连接过程在毫秒级的时间内完成，效率高，成本低；六、能进行多
种焊接性差的异种金属管件的固态连接，如异种型号铝合金、铝-铜合金、铝-镁合金、铝-钛合金，铝-钨合金，铜-钢合金、镍-钛合金、镍-镍合金、钛合金
-不锈钢等；七、无须后续清理工序及焊后热处理，无须填充材料及保护气体。 使得异种金属管件连接能够扩展零件功能、提高零件的疲劳寿命和承载的应 力水平、实现零件减重，在航空航天、汽车等高技术领域具有广阔的应用前 景。
图l是集磁器縮径原理示意图，图2是图1的A-A剖视图，图3是带中 部单加工区的縮径集磁器MPW连接形式的结构示意图，图4是带端部单加
工区的縮径集磁器MPW连接形式的结构示意图；图5是带中部双加工区的縮 径集磁器MPW连接形式的结构示意图；图6是带端部双加工区的縮径集磁器 MPW连接形式的结构示意图；图7是线圈和縮径集磁器为一体的MPW连接 形式的结构示意图；图8是带中部单加工区的胀形集磁器MPW连接形式的结 构示意图，图9集磁器胀形原理示意图，图10是图9的B-B剖视图。
具体实施例方式
具体实施方式
一结合图1 图7说明本实施方式，本实施方式的方法步 骤为
步骤一将支撑块5安装在支撑座10的沉孔10-1内，所述支撑块5和支 撑座10由绝缘材料制成；
步骤二用丙酮对高导电率连接管件3和低导电率连接管件6的搭接位 置进行清洗处理；
步骤三将高导电率连接管件3和低导电率连接管件6套装在支撑块5 上，所述高导电率连接管件3、低导电率连接管件6和支撑块5三者同轴，并 且保证高导电率连接管件3和低导电率连接管件6的搭接位置，搭接位置的 长度为L，搭接位置的间隙为K;
步骤四将集磁器2套装在高导电率连接管件3上，集磁器2的下端安 装在支撑座10的上端面上，保证集磁器2与高导电率连接管件3同轴，同时 保证集磁器2的加工区21与高导电率连接管件3和低导电率连接管件6的搭 接位置相对应，集磁器2的加工区21到高导电率连接管件3的距离为J;
步骤五将线圈1套装在集磁器2上，所述线圈1的导线高度与集磁器2 的高度相等；
步骤六将线圈1的两个接线端接到放电回路22的正负极上，然后通过 外部充电电路对脉冲电容器组7充电，充电完毕后通过高压脉冲发生器8闭 合放电开关9，高频脉冲电流i，流过线圈1的瞬时产生瞬时变化的强磁场，并 在集磁器2的外壁上产生与线圈1电流方向相反的集磁器感应电流i2;根据集 肤效应，集磁器感应电流b在集磁器2的外壁表层流动，并在集磁器2的开
缝处转到集磁器2的内壁表层，进而集中到集磁器2的加工区21的表层流动，
此时集磁器感应电流i2的流向与高频脉冲电流i,相同；集磁器感应电流i2的 磁场与高导电率连接管件3感应电流i3的磁场相叠加，在集磁器2的内壁、 高导电率连接管件3之间形成强磁场，并与高导电率连接管件3感应电流i3 作用产生脉冲磁场力；脉冲磁场力沿高导电率连接管件3的轴向分布不均匀， 在连接区的中部磁场力幅值大，而在其两端幅值小，导致脉冲磁场力作用下 的高导电率连接管件3和低导电率连接管件6之间的冲击接触不同步，具有 一定的冲击角度，因此，高导电率连接管件3在脉冲磁场力的作用下与低导 电率连接管件6冲击接触，产生MPW接头。所述高压脉冲发生器8的技术指
标为高压脉冲输出为负极性；输出幅值为8 12kv连续可调；脉冲前沿
S50ns;触发延迟^500ns;触发方式有手动触发和电信号触发两种。
具体实施方式
二结合图3 图7说明本实施方式，本实施方式与具体实
施方式一的不同点是本实施方式在步骤三中所述搭接位置的长度L为1 5
t，所述t为高导电率连接管件3的壁厚，搭接位置的间隙K为0.5 3.0mm。 如此设置，获得的连接接头的性能更好。
具体实施方式
三结合图1说明本实施方式，本实施方式与具体实施方
式一的不同点是本实施方式在步骤四中所述集磁器2的开缝间隙V为
0.3mm。如此设置，便于灵活地利用已有线圈进行MPW连接，同时有利于实 现管件端部的密封连接。
具体实施方式
四结合图3和图5说明本实施方式，本实施方式与具体 实施方式一的不同点是本实施方式在步骤三中所述的高导电率连接管件3 和低导电率连接管件6的个数均为至少一个，在步骤四中所述集磁器2的加 工区21的个数为至少一个。如此设置，有利于提高一次磁脉冲放电的连接效 率，同时实现两种以上异种金属管件在一次放电中实现连接，显著提高连接 件的性能。
具体实施方式
五结合图3和图5说明本实施方式，本实施方式与具体 实施方式四的不同点是本实施方式的集磁器2的加工区21的个数为1 2 个且位于集磁器2的中部。如此设置，有利于提高一次磁脉冲放电的连接效率，同时实现两种以上异种金属管件在一次放电中实现连接，显著提高连接 件的性能。
具体实施方式
六结合图4和图6说明本实施方式，本实施方式与具体 实施方式五的不同点是本实施方式的集磁器2的加工区21位于集磁器2的 端部。如此设置，有利于提高磁脉冲放电的连接效率，提高线圈1和集磁器2
配合的灵活性。
具体实施方式
七结合图3 图7说明本实施方式，本实施方式与具体实 施方式一的不同点是本实施方式在步骤四中所述集磁器2的加工区21到高 导电率连接管件3的距离J为1.0 3.0mm。如此设置，便于灵活地利用己有 线圈进行MPW连接，同时有利于实现管件端部的密封连接。
具体实施方式
八结合图5说明本实施方式，本实施方式与具体实施方 式一的不同点是所述的集磁器2与线圈1从内到外制成一体。如此设置有 利于简化磁脉冲连接装置，提高集成度。
具体实施方式
九结合图8 图IO说明本实施方式，本实施方式的方法 步骤为
步骤一将支撑块5安装在支撑座10的上端面上，所述支撑块5和支撑 座10由绝缘材料制成；
步骤二用丙酮对高导电率连接管件3和低导电率连接管件6的搭接位 置进行清洗处理；
步骤三将线圈1安装在支撑座10的沉孔10-1内；
步骤四将集磁器2套装在线圈1上，所述集磁器2的高度与线圈1的 高度相等，保证集磁器2的加工区21与高导电率连接管件3和低导电率连接 管件6的搭接位置相对应，集磁器2的加工区21到高导电率连接管件3的距 离为J;
步骤五将高导电率连接管件3套装在集磁器2上，高导电率连接管件3 的下端面与支撑块5的上端面接触，再将低导电率连接管件6套装在支撑座 10上，低导电率连接管件6的下端面与支撑座10的台肩端面接触，所述高导
电率连接管件3、低导电率连接管件6和集磁器2三者同轴，并且保证高导电 率连接管件3和低导电率连接管件6的搭接位置，搭接位置的长度为L，搭接 位置的间隙为K;
步骤六将线圈1的两个接线端接到放电回路22的正负极上，然后通过 外部充电电路对脉冲电容器组7充电，充电完毕后通过高压脉冲发生器8闭 合放电开关9，高频脉冲电流i,流过线圈1的瞬时产生瞬时变化的强磁场，并 在集磁器2的内壁上产生与线圈1电流方向相反的集磁器感应电流i2;根据集 肤效应，集磁器感应电流b在集磁器2的内壁表层流动，并在集磁器2的开 缝处转到集磁器2的外壁表层，进而集中到集磁器2的加工区21的表层流动， 此时集磁器感应电流i2的流向与高频脉冲电流h相同；集磁器感应电流b的 磁场与高导电率连接管件3感应电流i3的磁场相叠加，在集磁器2的外壁、 高导电率连接管件3之间形成强磁场，并与高导电率连接管件3感应电流i3 作用产生脉冲磁场力；脉冲磁场力沿高导电率连接管件3的轴向分布不均匀， 在连接区的中部磁场力幅值大，而在其两端幅值小，导致脉冲磁场力作用下 的高导电率连接管件3和低导电率连接管件6之间的冲击接触不同步，具有 一定的冲击角度，因此，高导电率连接管件3在脉冲磁场力的作用下与低导 电率连接管件6冲击接触，产生MPW接头。所述高压脉冲发生器8的技术指 标为高压脉冲输出为负极性；输出幅值为8 12kv连续可调；脉冲前沿 S50ns;触发延迟^500ns;触发方式有手动触发和电信号触发两种。
具体实施方式
十结合图9说明本实施方式，本实施方式与具体实施方
式九的不同点是本实施方式在步骤四中所述集磁器2的开缝间隙V为
0.3mm。如此设置，便于灵活地利用已有线圈进行MPW连接，同时有利于实 现管件端部的密封连接。
具体实施方式
十一结合图8说明本实施方式，本实施方式与具体实施 方式九的不同点是本实施方式在步骤四中所述集磁器2的加工区21到高导
电率连接管件3的距离J为1.0 3.0mm。如此设置，便于灵活地利用已有线 圈进行MPW连接，同时有利于实现管件端部的密封连接。
具体实施方式
十二结合图8说明本实施方式，本实施方式与具体实施
方式九的不同点是本实施方式在步骤五中所述搭接位置的长度L为l 5t，
所述t为高导电率连接管件3的壁厚，搭接位置的间隙K为0.5 3.0mm。如 此设置，获得的连接接头的性能更好。
权利要求
1、一种利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于所述方法的步骤为步骤一将支撑块(5)安装在支撑座(10)的沉孔(10-1)内，所述支撑块(5)和支撑座(10)由绝缘材料制成；步骤二用丙酮对高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)的搭接位置进行清洗处理；步骤三将高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)套装在支撑块(5)上，所述高导电率连接管件(3)、低导电率连接管件(6)和支撑块(5)三者同轴，并且保证高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)的搭接位置，搭接位置的长度为L，搭接位置的间隙为K；步骤四将集磁器(2)套装在高导电率连接管件(3)上，集磁器(2)的下端安装在支撑座(10)的上端面上，保证集磁器(2)与高导电率连接管件(3)同轴，同时保证集磁器(2)的加工区(21)与高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)的搭接位置相对应，集磁器(2)的加工区(21)到高导电率连接管件(3)的距离为J；步骤五将线圈(1)套装在集磁器(2)上，所述线圈(1)的导线高度与集磁器(2)的高度相等；步骤六将线圈(1)的两个接线端接到放电回路(22)的正负极上，然后通过外部充电电路对脉冲电容器组(7)充电，充电完毕后通过高压脉冲发生器(8)闭合放电开关(9)，高频脉冲电流i1流过线圈(1)的瞬时产生瞬时变化的强磁场，并在集磁器(2)的外壁上产生与线圈(1)电流方向相反的集磁器感应电流i2；根据集肤效应，集磁器感应电流i2在集磁器(2)的外壁表层流动，并在集磁器(2)的开缝处转到集磁器(2)的内壁表层，进而集中到集磁器(2)的加工区(21)的表层流动，此时集磁器感应电流i2的流向与高频脉冲电流i1相同；集磁器感应电流i2的磁场与高导电率连接管件(3)感应电流i3的磁场相叠加，在集磁器(2)的内壁、高导电率连接管件(3)之间形成强磁场，并与高导电率连接管件(3)感应电流i3作用产生脉冲磁场力；脉冲磁场力沿高导电率连接管件(3)的轴向分布不均匀，在连接区的中部磁场力幅值大，而在其两端幅值小，导致脉冲磁场力作用下的高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)之间的冲击接触不同步，具有一定的冲击角度，因此，高导电率连接管件(3)在脉冲磁场力的作用下与低导电率连接管件(6)冲击接触，产生MPW接头。
2、 根据权利要求1所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于 在步骤三中所述搭接位置的长度L为1 5 t，所述t为高导电率连接管件(3) 的壁厚，搭接位置的间隙K为0.5 3.0mm。
3、 根据权利要求1所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于 在步骤四中所述集磁器(2)的开缝间隙V为0.3mm。
4、 根据权利要求1所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于 在步骤三中所述的高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)的个数均为至 少一个，在步骤四中所述集磁器(2)的加工区(21)的个数为至少一个。
5、 根据权利要求4所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于 集磁器(2)的加工区(21)的个数为1 2个且位于集磁器(2)的中部。 ，
6、 根据权利要求1所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于 集磁器(2)的加工区(21)位于集磁器(2)的端部。
7、 根据权利要求1所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于 在步骤四中所述集磁器(2)的加工区(21)到高导电率连接管件(3)的距离J为 1.0 3.0mm。
8、 一种利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于所述方法的步骤为步骤一将支撑块(5)安装在支撑座(10)的上端面上，所述支撑块(5)和支 撑座(10)由绝缘材料制成；步骤二用丙酮对高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)的搭接位 置进行清洗处理；步骤三将线圈(1)安装在支撑座(10)的沉孔(10-1)内；步骤四将集磁器(2)套装在线圈(1)上，所述集磁器(2)的高度与线圈(1)的高度相等，保证集磁器(2)的加工区(21)与高导电率连接管件(3)和低导电率 连接管件(6)的搭接位置相对应，集磁器(2)的加工区(21)到高导电率连接管件(3)的距离为J;步骤五将高导电率连接管件(3)套装在集磁器(2)上，高导电率连接管件 (3)的下端面与支撑块(5)的上端面接触，再将低导电率连接管件(6)套装在支撑 座(10)上，低导电率连接管件(6)的下端面与支撑座(10)的台肩端面接触，所述 高导电率连接管件(3)、低导电率连接管件(6)和集磁器(2)三者同轴，并且保证 高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)的搭接位置，搭接位置的长度为 L，搭接位置的间隙为K;步骤六将线圈(1)的两个接线端接到放电回路(22)的正负极上，然后通过 外部充电电路对脉冲电容器组(7)充电，充电完毕后通过高压脉冲发生器(8)闭 合放电开关(9)，高频脉冲电流i,流过线圈(l)的瞬时产生瞬时变化的强磁场， 并在集磁器(2)的内壁上产生与线圈(1)电流方向相反的集磁器感应电流i2;根 据集肤效应，集磁器感应电流i2在集磁器(2)的内壁表层流动，并在集磁器(2) 的开缝处转到集磁器(2)的外壁表层，进而集中到集磁器(2)的加工区(21)的表 层流动，此时集磁器感应电流i2的流向与高频脉冲电流h相同；集磁器感应 电流i2的磁场与高导电率连接管件(3)感应电流i3的磁场相叠加，在集磁器(2) 的外壁、高导电率连接管件(3)之间形成强磁场，并与高导电率连接管件(3)感 应电流i3作用产生脉冲磁场力；脉冲磁场力沿高导电率连接管件(3)的轴向分 布不均匀，在连接区的中部磁场力幅值大，而在其两端幅值小，导致脉冲磁 场力作用下的高导电率连接管件(3)和低导电率连接管件(6)之间的冲击接触不 词步，具有一定的冲击角度，因此，高导电率连接管件(3)在脉冲磁场力的作 用下与低导电率连接管件(6)冲击接触，产生MPW接头。
9、 根据权利要求8所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在于在步骤四中所述集磁器(2)的加工区(21)到高导电率连接管件(3)的距离J为 1.0 3.0mm。
10、 根据权利要求8所述利用集磁器连接异种金属管的方法，其特征在 于在步骤五中所述搭接位置的长度L为1 5 t,所述t为高导电率连接管件(3) 的壁厚，搭接位置的间隙K为0.5 3.0mm。
全文摘要
利用集磁器连接异种金属管的方法，它涉及一种连接异种金属管的方法。本发明解决了现有的异种金属管件连接技术存在难以获得高强度和高耐蚀性的连接接头、非连接区的金属易产生变形、成本高、效率低和灵活性能差的问题。本发明的第一种方法为缩径连接，其步骤是首先安装支撑装置，然后对连接管件进行清洗，再依次连接管件、集磁器和线圈，最后通过放电回路向线圈通电；本发明的第二种方法为胀形连接，其步骤是首先安装支撑装置，然后对连接管件进行清洗，再依次安装线圈、集磁器和连接管件，最后通过放电回路向线圈通电。通过本发明方法获得的连接接头的强度和耐蚀性高，本发明还具有成本低、效率高和灵活性能好的优点。
文档编号F16L13/02GK101338838SQ20081013703
公开日2009年1月7日 申请日期2008年8月29日 优先权日2008年8月29日
发明者于海平, 李春峰, 江洪伟, 赵志衡 申请人:哈尔滨工业大学