管接头和管接头的制造方法与流程

本发明涉及管接头和管接头的制造方法。

背景技术：

1、以往，已知有由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物形成的管接头。

2、例如，专利文献1中记载了通过对耐臭氧性物品用成型材料进行成型而得到半导体装置制造用接头，所述耐臭氧性物品用成型材料由共聚物(a)构成，熔体流动速率为0.1g/10分钟～50g/10分钟，所述共聚物(a)为由四氟乙烯和全氟乙烯基醚构成的共聚物，包含3.5质量％以上的全氟乙烯基醚单元，熔点为295℃以上，在所述共聚物(a)中的每1×106个碳原子数中，不稳定末端基团为50个以下。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2003/048214号

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、本发明的目的在于提供一种管接头，即使在壁厚和长度大的情况下也能够容易地制造，中空部和外观均美观，对高温高压的流体的耐变形性优异。

3、用于解决课题的手段

4、根据本发明，提供一种管接头，其具备圆筒状的中空部，其中，所述管接头的壁厚最大的部位的壁厚为2～7mm，所述中空部的轴向的长度(l)与所述中空部的直径(d)的比率(l/d)为5以下，所述管接头含有共聚物，所述共聚物含有四氟乙烯单元和氟代(烷基乙烯基醚)单元，所述共聚物的氟代(烷基乙烯基醚)单元的含量相对于全部单体单元为2.8～6.0质量％，所述共聚物在372℃下的熔体流动速率为4.0g/10分钟以上且小于11.0g/10分钟，所述共聚物的官能团数为50个以下。

5、所述中空部的轴向的长度(l)优选为20mm以上。

6、所述共聚物的所述氟代(烷基乙烯基醚)单元优选为全氟(丙基乙烯基醚)单元。

7、所述共聚物的所述氟代(烷基乙烯基醚)单元的含量相对于全部单体单元优选为3.5～5.5质量％。

8、所述共聚物在372℃的熔体流动速率优选为5.0～9.0g/10分钟。

9、所述共聚物的熔点优选为295～315℃。

10、本发明的管接头优选为注射成型体。

11、另外，本发明的管接头的制造方法提供一种管接头的制造方法，其为下述制造方法：在模具的模腔内插入圆柱状的芯材，从注射成型机向所述模具的模腔内填充熔融的共聚物，将熔融的所述共聚物冷却而使其固化，沿着管接头的轴向抽出所述芯材，并且从所述模具取出所述管接头，其中，通过抽出所述芯材而形成的所述管接头的中空部的轴向的长度(l)与所述中空部的直径(d)的比率(l/d)为5以下，所述管接头的壁厚最大的部位的壁厚为2～7mm。

12、所述芯材的长度优选与所述管接头的中空部的轴向的长度(l)相同。

13、发明效果

14、根据本发明，能够提供一种管接头，即使在壁厚和长度大的情况下也能够容易地制造，中空部和外观均美观，对高温高压的流体的耐变形性优异。

技术特征：

1.一种管接头，其具备圆筒状的中空部，其中，

2.如权利要求1所述的管接头，其中，所述中空部的轴向的长度l为20mm以上。

3.如权利要求1或2所述的管接头，其中，所述共聚物的所述氟代(烷基乙烯基醚)单元为全氟(丙基乙烯基醚)单元。

4.如权利要求1～3中任一项所述的管接头，其中，所述共聚物的所述氟代(烷基乙烯基醚)单元的含量相对于全部单体单元为3.5质量％～5.5质量％。

5.如权利要求1～4中任一项所述的管接头，其中，所述共聚物在372℃下的熔体流动速率为5.0g/10分钟～9.0g/10分钟。

6.如权利要求1～5中任一项所述的管接头，其中，所述共聚物的熔点为295℃～315℃。

7.如权利要求1～6中任一项所述的管接头，其中，其为注射成型体。

8.一种管接头的制造方法，其为下述制造方法：在模具的模腔内插入圆柱状的芯材，从注射成型机向所述模具的模腔内填充熔融的共聚物，将熔融的所述共聚物冷却而使其固化，沿着管接头的轴向抽出所述芯材，并且从所述模具取出所述管接头，其中，

9.如权利要求8所述的制造方法，其中，所述芯材的长度与所述管接头的中空部的轴向的长度l相同。

技术总结
本发明提供一种管接头，其具备圆筒状的中空部，其中，上述管接头的壁厚最大的部位的壁厚为2mm～7mm，上述中空部的轴向的长度L与上述中空部的直径D的比率L/D为5以下，上述管接头含有共聚物，上述共聚物含有四氟乙烯单元和氟代(烷基乙烯基醚)单元，上述共聚物的氟代(烷基乙烯基醚)单元的含量相对于全部单体单元为2.8质量％～6.0质量％，上述共聚物在372℃下的熔体流动速率为4.0g/10分钟以上且小于11.0g/10分钟，上述共聚物的官能团数为50个以下。

技术研发人员：津田早登,井坂忠晴,善家佑美,山本有香里,山口安行,滨田博之
受保护的技术使用者：大金工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15