双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器的制造方法

文档序号:8940023阅读:148来源:国知局
双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及变阻尼磁流变液仪器领域,特指一种双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器。
【背景技术】
[0002]在磁场作用下,磁流变液可以快速实现液体与半固体的相互转化,利用磁流变液制作的磁流变阻尼器实现连续可调的可控阻尼力。现有技术的磁流变阻尼器基本原理相同,即利用励磁线圈产生的磁场改变在恒定工作间隙中流动的磁流变液的阻尼力。虽然现有技术的磁流变阻尼器实现了变阻尼,但仍存在着一定的缺陷:(1)恒定的工作间隙导致零电流状态下阻尼力不可调;(2)励磁线圈通电时耗能大,断电时容易导致悬浮颗粒沉降。

【发明内容】

[0003]本发明需解决的技术问题是:针对现有技术存在的技术问题,本发明提供一种结构合理、零电流状态下阻尼可调、零耗能无颗粒沉降的磁流变阻尼器。
[0004]为了解决上述问题,本发明提出的解决方案为:双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器,它包括异型工作缸体、两组结构相同分别装设于所述异型工作缸体两端的端盖模块、两组结构相同对称装设于所述异型工作缸体内部的多级活塞模块、磁流变液和工作间隙。
[0005]本发明的所述异型工作缸体为中部内径最小,两端部内径最大,其余部分内径线性变化的空心圆柱体。
[0006]本发明的所述端盖模块包括端盖本体、装设于所述端盖本体内侧的端盖磁铁、装设于所述端盖磁铁上的端盖保护层;所述多级活塞模块包括一级活塞、设于所述一级活塞内部的活塞磁铁、二级活塞、活塞杆。
[0007]本发明的所述一级活塞和所述二级活塞间隔一段距离自内向外装设于所述活塞杆上,且他们的外壁边缘到所述异型工作缸体的内壁之间的距离相等;所述活塞杆的另一端通过所述端盖保护层、端盖磁铁和轴承孔,并伸到所述异型工作缸体的外部;所述一级活塞的直径介于所述异型工作缸体内径的最大值与最小值之间;所述活塞的外周壁与所述异型工作缸体的内周壁之间的间隙组成了所述磁流变液流动的工作间隙。
[0008]与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明的双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器设有异型工作缸体和多级活塞模块,活塞杆受力运动后,工作间隙从最大值逐渐减小为零,阻尼力逐渐增加;本发明还设有端盖磁铁和活塞磁铁,保证磁流变液中的悬浮颗粒不沉降。由此可知,本发明结构合理简单、实现了变工作间隙和变阻尼力,同时有效克服了因悬浮颗粒沉降而导致磁流变液的不稳定性。
【附图说明】
[0009]图1是本发明的双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器的结构原理示意图。
[0010]图中,I一异型工作缸体;2—端盖模块;21—端盖本体;22—轴承孔;23—直线轴承;24—端盖磁铁;25—端盖保护层;3—多级活塞模块;31—活塞磁铁;32—一级活塞;33—二级活塞;34—活塞杆;4一工作间隙;5—磁流变液。
【具体实施方式】
[0011]以下将结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
[0012]参见图1所示,本发明的双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器,包括异型工作缸体1、两组结构相同分别装设于异型工作缸体I两端的端盖模块2、两组结构相同对称装设于异型工作缸体I内部的多级活塞模块3、磁流变液5和工作间隙4。
[0013]参见图1所示,异型工作缸体I为中部内径最小,两端部内径最大,其余部分内径线性变化的空心圆柱体;端盖模块2包括端盖本体21、装设于端盖本体21内侧的端盖磁铁24、装设于端盖磁铁24上的端盖保护层25 ;多级活塞模块3包括一级活塞32、设于一级活塞32内部的活塞磁铁31、一■级活塞33、活塞杆34。
[0014]参见图1所示,一级活塞32和二级活塞33间隔一段距离自内向外装设于活塞杆34上,且他们的外壁边缘到异型工作缸体I的内壁之间的距离相等;活塞杆34的另一端通过端盖保护层25、端盖磁铁24和轴承孔22,并伸到异型工作缸体I的外部;一级活塞32的直径介于异型工作缸体I内径的最大值与最小值之间;活塞的外周壁与异型工作缸体I的内周壁之间的间隙组成了磁流变液5流动的工作间隙4 ;多级活塞模块3运动时,工作间隙4从最大值逐渐变为零,阻尼力从最小值逐渐增大。
【主权项】
1.双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器,其特征在于:包括异型工作缸体(I)、两组结构相同分别装设于所述异型工作缸体(I)两端的端盖模块(2)、两组结构相同对称装设于所述异型工作缸体(I)内部的多级活塞模块(3)、磁流变液(5)和工作间隙(4);所述异型工作缸体(I)为中部内径最小,两端部内径最大,其余部分内径线性变化的空心圆柱体;所述端盖模块(2)包括端盖本体(21)、装设于所述端盖本体(21)内侧的端盖磁铁(24)、装设于所述端盖磁铁(24)上的端盖保护层(25);所述多级活塞模块(3)包括一级活塞(32)、设于所述一级活塞(32)内部的活塞磁铁(31)、二级活塞(33)、活塞杆(34);所述一级活塞(32)和所述二级活塞(33)间隔一段距离自内向外装设于所述活塞杆(34)上,且他们的外壁边缘到所述异型工作缸体(I)的内壁之间的距离相等;所述活塞杆(34)的另一端通过所述端盖保护层(25)、端盖磁铁(24)和轴承孔(22),并伸到所述异型工作缸体(I)的外部;所述一级活塞(32)的直径介于所述异型工作缸体(I)内径的最大值与最小值之间;所述活塞的外周壁与所述异型工作缸体(I)的内周壁之间的间隙组成了所述磁流变液(5)流动的工作间隙⑷。
【专利摘要】本发明公开了双杆多级活塞无源双控变阻尼磁流变阻尼器,属于变阻尼磁流变液仪器领域。它包括异型工作缸体、两组结构相同的端盖模块、两组结构相同对称装设于异型工作缸体内部的多级活塞模块、磁流变液和工作间隙;异型工作缸体为中部内径最小,两端部内径最大,其余部分内径线性变化的空心圆柱体;多级活塞模块包括一级活塞、活塞磁铁、二级活塞、活塞杆;一级活塞和二级活塞间隔一段距离自内向外装设于活塞杆上,且他们的外壁边缘到异型工作缸体的内壁之间的距离相等;一级活塞的直径介于异型工作缸体内径的最大值与最小值之间。本发明是一种结构合理、零电流状态下阻尼可调、零耗能无颗粒沉降的磁流变阻尼器。
【IPC分类】F16F9/53
【公开号】CN105156575
【申请号】CN201510427929
【发明人】班书昊, 李晓艳, 苏少航, 蒋学东, 徐然, 席仁强
【申请人】常州大学
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月20日
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