一种HCL二次纯化柜增加支路管道的方法与流程

本发明涉及半导体外延加工，具体为一种hcl二次纯化柜增加支路管道的方法。

背景技术：

1、随着半导体市场生产需求的变化，高端产品的研发和量产成为当前最迫切的任务，半导体在生产过程需要进行外延工艺处理，外延工艺的气体hcl作为清洁腔室的主要气体，正常的工艺气体管路的连接方式是从vmb(阀门分配箱)到主机台，在半导体外延工艺处理中hcl二次纯化柜纯化器活化后是否能正常使用，可以通过切换支路管道来进行工艺验证，对比工艺参数。

2、目前在没有支路管道时，如果由于纯化器出现异常，需要将纯化器拆除，安装支路管道，在进行工艺验证，耗费时间长，并且纯化器也有被污染的可能性。故设计此支路管道，既方便验证，也可以减少损失。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种hcl二次纯化柜增加支路管道的方法，以连接上述背景技术中提出的目前在没有支路管道时，如果由于纯化器出现异常，需要将纯化器拆除，安装支路管道，在进行工艺验证，耗费时间长，并且纯化器也有被污染的可能性的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种hcl二次纯化柜增加支路管道的方法，其增加的方法包括以下步骤：

3、s1、首先将相对应设置的氯化氢阀门分配箱和氯化氢出口通过相应的管道进行实时连接贯通，并且通过相对应的管道将高纯氮口、氮气口和泄压口进行连接贯通，同时需要沿着气体流动方向设置五路管路，且在五路沿着管路气体流动方向管体上依次设有手动隔膜阀、粒子过滤器、单向阀、压力计和真空发生器等设备。s2、然后需要在其中与主机台对应的两路沿着气流方向的管路上各自增加设置支路管道，并且需要在支路管道上分别增加设置一个手动隔膜阀。s3、当与主机台对应的两路沿着气流方向管路与支路管道上的手动隔膜阀都打开时，可以自由控制hcl是否需要经过纯化器，当与主机台对应的两路沿着气流方向管路上的手动隔膜阀打开，支路管道上的手动隔膜阀关闭时，hcl通过纯化器供给给主机台，当与主机台对应的两路沿着气流方向管路上的手动隔膜阀关闭，支路管道上的手动隔膜阀打开时，hcl则通过支路管道直接供给主机台。

4、优选的，设置支路管道的管路分别为管路a和管路b，所述管路a和管路b皆为两组，且管路a和管路b上分别设置有两个手动隔膜阀和一个粒子过滤器。

5、优选的，管路c沿气体流动方向依次设有一个手动隔膜阀和一个单向阀，所述管路c与管路a的连接处设有一个手动隔膜阀，且管路c与管路b的连接处设有一个手动隔膜阀。

6、优选的，管路d沿气体流动方向依次设有一个手动放气阀、两个单向阀、一个真空发生器和一个压力计，所述管路d与管路a的连接处设有一个手动隔膜阀，管路d与管路b的连接处设有一个手动隔膜阀，且管路e与真空发生器连接。

7、与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明在半导体外延工艺处理过程中，当产品工艺参数出现异常时，可以通过支路管道上的纯化器测试，判断是否由于纯化器失效造成工艺参数异常，大大减少由拆卸纯化器和安装支路管道所带来的时间成本，有效的减少了拆卸纯化器导致纯化器被污染的风险。

技术特征：

1.一种hcl二次纯化柜增加支路管道的方法，其特征在于：其增加的方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种hcl二次纯化柜增加支路管道的方法，其特征在于：所述设置支路管道的管路分别为管路a和管路b，所述管路a和管路b皆为两组，且管路a和管路b上分别设置有两个手动隔膜阀和一个粒子过滤器。

3.根据权利要求1所述的一种hcl二次纯化柜增加支路管道的方法，其特征在于：所述管路c沿气体流动方向依次设有一个手动隔膜阀和一个单向阀，所述管路c与管路a的连接处设有一个手动隔膜阀，且管路c与管路b的连接处设有一个手动隔膜阀。

4.根据权利要求1所述的一种hcl二次纯化柜增加支路管道的方法，其特征在于：所述管路d沿气体流动方向依次设有一个手动放气阀、两个单向阀、一个真空发生器和一个压力计，所述管路d与管路a的连接处设有一个手动隔膜阀，管路d与管路b的连接处设有一个手动隔膜阀，且管路e与真空发生器连接。

技术总结
本发明公开了一种HCL二次纯化柜增加支路管道的方法，其增加的方法包括以下步骤：S1、首先将相对应设置的氯化氢阀门分配箱和氯化氢出口通过相应的管道进行实时连接贯通，并且通过相对应的管道将高纯氮口、氮气口和泄压口进行连接贯通，同时需要沿着气体流动方向设置五路管路，且在五路沿着管路气体流动方向管体上依次设有手动隔膜阀、粒子过滤器、单向阀、压力计和真空发生器等设备。本发明在半导体外延工艺处理过程中，当产品工艺参数出现异常时，可以通过支路管道上的纯化器测试，判断是否由于纯化器失效造成工艺参数异常，大大减少由拆卸纯化器和安装支路管道所带来的时间成本，有效的减少了拆卸纯化器导致纯化器被污染的风险。

技术研发人员：王超,杨振域,郑岳亮,吴志豪,王翰,杜金生,周迎朝,张沛,孙晨光,王彦君,郭红慧
受保护的技术使用者：中环领先半导体材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14