一种试片的制作方法

文档序号:6034825阅读:182来源:国知局
专利名称:一种试片的制作方法
技术领域
本发明涉及生物、化学以及生化反应测试领域,具体的讲其涉及一种试片。
背景技术
在生物、化学或生化领域的测量中,使被测物质产生一种可以测量的,且与被测物质有定量关系的信号(通常是电信号),并通过该信号生成相关参数的测量方法已经被广泛应用。例如,有创血糖计的测量方法就是采用酶电极与血液接触后的生物反应产生的电信号(电压或电流)的变化量,以及该信号与血糖浓度的关系来完成血糖浓度测量的方法。然而在生物、化学或生化反应中,反应进行的程度、强度,以及可测信号与待测参数的定量关系很大程度上取决于反应系统的温度,而且温度的影响在有些情况下是非常大的,因此反应系统的温度是产生反应系统测量误差的一个不容忽视的因素,所以对反应系统进行温度的控制,或说对反应系统进行温度的测量及补偿便是生化反应测量中必不可少的环节。
除上述生化反应过程外,在生物、化学或者生化领域中,还需有对生化物质的自身温度进行监控的情况,如DNA的保存过程中的温度监控,以及其它生化物质的在使用过程或者保藏过程中的温度监控,等等。因此,在本领域中在上述类似的情况下,温度的测量同样是必不可少的环节。
目前,在生物、化学以及生化领域的温度测量中,采用试片进行相关测量已被广泛应用,然而现有技术中的试片由于均不能直接对反应温度进行处理,所以往往影响测量的准确性。例如中国专利,申请号为98807506.7的发明专利申请公开了一种浓度测量装置用试片,其利用电极的端子对被测物进行测量,然而该试片不能测量被测物的温度,更不能由试片直接进行温度补偿,这便影响了测量的准确性。

发明内容
本发明的目的在于,提供一种试片和一种可控温的试片,使得通过试片便能够直接测量反应温度,并通过试片直接对反应温度进行控制,提高测量的准确性。
本发明的技术方案为一种试片,包括基片,基片上设有被测物承载面;其特征在于基片内设有温度探测元件,还设有导电体和信号传递装置;温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。
所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
所述的被测物承载面为不与被测物发生反应的材料制成的承载面。
所述的信号传递装置可为接口;其中,所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理。
所述的被测物承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的基片上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的被测物承载面是指凹槽的底面。
所述的基片中还设有测量电极,该测量电极通过所述的导电体和接口与外部进行信号传递。
所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
所述的被测物承载面亦可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
本发明还提供了一种可控温的试片,包括基片,基片上设有被测物承载面;其特征在于基片内设有温度探测元件,导电体和信号传递装置,还设有温度调节元件;
温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。
所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
所述的被测物承载面为不与被测物发生反应的材料制成的承载面。
所述的信号传递装置可为接口;其中,所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递。
所述的被测物承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的基片上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的被测物承载面是指凹槽的底面。
所述的基片中还设有测量电极,该测量电极通过所述的导电体和接口与外部进行信号传递。
所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
所述的温控元件可为加热元件。
所述的温控元件可为制冷元件。
所述的温控元件可为加热和制冷元件。
所述的加热元件可为电阻、多晶硅。
所述的制冷元件可为Peltier元件。
所述的加热和制冷元件可为Peltier元件。
所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
本发明的有益效果为本发明有效地解决了现有技术中试片不能测量被测物的温度,更不能由试片直接进行温度控制的问题。使得通过试片便能够直接测量反应温度,并通过试片直接对反应温度进行控制,提高了测量的准确性。


图1为本发明所述一种试片的结构示意图;图2为本发明所述一种试片的反应凹槽的示意图;图3为本发明所述一种可控温的试片的结构示意图;图4为本发明所述一种可控温的试片的反应凹槽的示意图。
具体实施例方式
如图1,图2所示,为本发明所述的一种试片,包括硅基片6,硅基片上设有被测物承载面2;其特征在于基片内设有温度探测元件1,还设有导电体3、导电体4和信号传递装置5;温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。
所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
所述的反应物承载面为由与被测物不发生反应的透明材料制成的承载面。
所述的温度探测元件可为红外传感元件,所述的反应物承载面为由与被测物不发生反应的材料制成的承载面;所述的信号传递装置可为接口;其中所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理;所述的反应物承载面位于温度探测元件和被测物之间。
所述的由与被测物不发生反应的透明材料制成的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的基片上可设有凹槽底,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面7。
所述的基片中还设有测量电极,该测量电极通过所述的导电体和接口与外部进行信号传递。
所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。为了使测量端与被测物充分接触可在凹槽的整个凹面上设有浸润材料。
在制作所述的一种试片时,可在硅基片上设有反应物承载面;在反应物承载面上腐蚀出承载温度探测器的凹槽;采用金属淀积的方法将金属淀积到所述的凹槽中,形成温度探测器;在基片中设有导电体和接口,导电体的一端与接口连接,导电体的另一端与凹槽中淀积的金属连接;所述的接口,可以与外部控制装置联接。
当需要被测物承载面与被测物发生反应时,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面,或者可在被测物承载面上涂有反应酶等能与被测物发生反应的物质。
如图3、图4所示,为一种可控温的试片,包括硅基片6,基片上设有被测物承载面2;其特征在于基片内设有温度探测元件1,导电体3、导电体4和信号传递装置5,还设有温度调节元件8、温度调节元件9;温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。
所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
所述的被测物承载面为由与被测物不发生反应的材料制成的承载面。
所述的信号传递装置可为接口;其中所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;所述的反应物承载面位于温度探测元件和被测物之间。
所述的由与被测物不发生反应的透明材料制成的承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
所述的基片上可设有凹槽底,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的承载面是指凹槽的底面7。
所述的基片中还设有测量电极,该测量电极通过所述的导电体和接口与外部进行信号传递。
所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。为了使测量端与被测物充分接触可在凹槽的整个凹面上设有浸润材料。
所述的温控元件可为加热元件。
所述的温控元件可为制冷元件。
所述的温控元件可为加热和制冷元件。
所述的加热元件可为电阻、多晶硅。
所述的制冷元件可为Peltier元件。
所述的加热和制冷元件可为Peltier元件。所述的加热和制冷元件Peltier元件,可为点状对称的设置在凹槽的周围,也可为圆环状包围在凹槽的周围。
在制作所述的一种可控温的试片时,在基片上设有反应物承载面;在反应物承载面上刻蚀出承载温度探测器的凹槽;采用金属淀积的方法将金属淀积到所述的凹槽中,形成温度探测器;在反应物承载面周围,设有电控调温元件;在反应物承载面上还设有电极;
在基片中设有测温导电体、控温导电体、电极导电体和接口,测温导电体的一端与接口连接,测温导电体的另一端与凹槽中淀积的金属连接;控温导电体的一端与接口连接,控温导电体的另一端与电控调温元件连接;电极导电体的一端与接口连接,电极导电体的另一端与电极连接;所述的接口,可以与外部控制装置联接。
当需要被测物承载面与被测物发生反应时,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面,或者可在被测物承载面上涂有反应酶等能与被测物发生反应的物质。
本发明有效地解决了现有技术中试片不能测量被测物的温度,更不能由试片直接进行温度控制的问题。使得通过试片便能够直接测量反应温度,并通过试片直接对反应温度进行控制,提高了测量的准确性和方便性。
以上具体实施方式
仅用于说明本发明,而非用于限定本发明。
权利要求
1.一种试片,包括基片,基片上设有被测物承载面;其特征在于基片内设有温度探测元件,还设有导电体和信号传递装置;温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。
2.根据权利要求1所述的试片,其特征在于,所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
3.根据权利要求1所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面为不与被测物发生反应的材料制成的承载面。
4.根据权利要求1所述的试片,其特征在于,所述的信号传递装置可为接口;其中,所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理。
5.根据权利要求3所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
6.根据权利要求4所述的试片,其特征在于,所述的基片上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的被测物承载面是指凹槽的底面。
7.根据权利要求4所述的试片,其特征在于,所述的基片中还设有测量电极,该测量电极通过所述的导电体和接口与外部进行信号传递。
8.根据权利要求7所述的试片,其特征在于,所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
9.根据权利要求1所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
10.一种可控温的试片,包括基片,基片上设有被测物承载面;其特征在于基片内设有温度探测元件,导电体和信号传递装置,还设有温度调节元件;温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。
11.根据权利要求10所述的试片,其特征在于,所述的温度探测元件可为红外传感元件、热敏电阻、热电阻、热电偶、半导体温度传感器。
12.根据权利要求10所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面为不与被测物发生反应的材料制成的承载面。
13.根据权利要求10所述的试片,其特征在于所述的信号传递装置可为接口;其中,所述的温度探测元件接收被测物的热传递并生成电信号,该电信号经导电体和接口传送到外部进行处理;温度调节元件对被测物进行温度调节,该温度调节元件经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递。
14.根据权利要求13所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面可为透明膜承载面,或玻璃承载面。
15.根据权利要求13所述的试片,其特征在于,所述的基片上可设有凹槽,该凹槽用以盛装被测物;此时所述的被测物承载面是指凹槽的底面。
16.根据权利要求13所述的试片,其特征在于,所述的基片中还设有测量电极,该测量电极通过所述的导电体和接口与外部进行信号传递。
17.根据权利要求13所述的试片,其特征在于,所述的测量电极包括测量端,该测量端在测量时与被测物充分接触。
18.根据权利要求13所述的试片,其特征在于,所述的温控元件可为加热元件。
19.根据权利要求13所述的试片,其特征在于,所述的温控元件可为制冷元件。
20.根据权利要求13所述的试片,其特征在于,所述的温控元件可为加热和制冷元件。
21.根据权利要求18所述的试片,其特征在于,所述的加热元件可为电阻、多晶硅。
22.根据权利要求19所述的试片,其特征在于,所述的制冷元件可为Peltier元件。
23.根据权利要求20所述的试片,其特征在于,所述的加热和制冷元件可为Peltier元件。
24.根据权利要求10所述的试片,其特征在于,所述的被测物承载面可为与被测物发生反应的材料制成的承载面。
全文摘要
本发明提供了一种试片,其涉及生物、化学以及生化反应测试领域,其包括基片,基片上设有被测物承载面;其特征在于基片内设有温度探测元件,还设有导电体和信号传递装置;温度探测元件探测被测物承载面上的被测物的温度信号,该温度信号经导电体和信号传递装置与外部进行信号的传递;导电体和信号传递装置还能使试片与外部进行信号的传递。本发明可提高测量的准确性。
文档编号G01N33/52GK1485618SQ0212928
公开日2004年3月31日 申请日期2002年9月29日 优先权日2002年9月29日
发明者黄永河 申请人:宝安康电子(北京)有限公司
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