专利名称：一种光谱分析仪器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于分析仪器领域，尤其涉及一种利用塞曼原理扣背景的光谱 分析仪器，该光谱分析仪具有产生高强磁场的装置。
技术背景
在现有技术中，磁体是制造利用塞曼扣背景的光谱分析仪器中不可缺少的 部件。但是，由于分析仪器在使用过程中，磁体处在酸，石威和高温环境下，一 方面容易受到腐蚀，另一方面由于磁体的温度升高，使得^磁场强度急速下降， 导致塞曼效应消失。为了解决温度升高的问题，现有技术采用过水冷却的办法 以达到降温保证系统的正常工作。但是通过冷水降温，只能仅仅将磁体表面的 温度降低，而在^f兹体内部的热量由于在冷却水流过的区域形成一屏蔽，而无法 通过冷水引导出来，进而无法达到磁体内部冷却的目的。
另外，磁体面向热源的表面温度很高，同时又在酸，石威环境中，使得极靴 被腐蚀而严重变形。进而磁场几何形状发生变化，磁力线分布发生严重畸变磁 场强度下降。引起塞曼效应减弱和消失，导致仪器的检测灵敏度下降和消失。 这就造成了仪器在塞曼方式下无法正常工作。致使仪器使用寿命大大缩短
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种利用塞曼原理扣背景的光谱分析仪器，该光
谱分析仪器上具有产生高强磁场的磁体装置，该装置不但具有产生强磁场功能， 而且具有现有技术中的塞曼扣背景的光谱分析仪器中应用的磁体没有的防酸， 防碱，耐高温，防侵蚀的保护功能。
本实用新型的技术方案如下
一种光谱分析仪器，所述的光语分析仪器包括一个产生强磁场的磁体装置； 且所述产生强磁场的磁体装置包括磁钢2,极靴1以及底座3;所述磁钢2和 极孰1设置在所述底座3上；
在所述磁体装置表面设置有防护层4。
在具体的应用中，所述磁体装置包括两个磁钢2a和2b,两块极孰la和lb 和一个底座3,所述两个-兹钢2a和2b分别平行对称设置在所述底座3的两端， 两块极靴la和lb分别设置两个磁钢2a和2b上端；
所述的防护层4分别设置在所述两块极靴la和lb工作面的外表面。
在另一种实施方式中所述的防护层4分別设置在所述两块极靴la和lb整 个外表面上。
在具体的实施方式中，所述的防护层4采用特氟龙涂层或搪瓷涂层，以达 到对磁体装置保护的目的。
所述的磁钢2,极執1和底座3的材质是软铁；
在所述磁体装置中，以逆时针方向，在所述的极靭la-》兹钢2a-底座3-磁钢 2b-极孰1 b组成磁路；且在二块极靴1 a和1 b之间的空间形成强磁场区。
在具体的应用中，所述的光谱分析仪器是原子吸收光谱分析仪器。
本实用新型解决了磁体长期在高温下和酸碱作用下，极靴被腐蚀、磁场的 几何形状产生变化，磁场强度下降和塞曼分裂减弱或消失，导致仪器检测灵敏 度下降，最后当塞曼分裂消失时仪器的扣背景功能消失的技术问题。由于采用 了本实用新型所述的磁体装置，磁场强度和磁力线的分布具有长期稳定的特点。
图1为本实用新型》兹体的结构示意图2为本实用新型所述防护层一种实施例的结构示意图3为本实用新型所述防护层第二种实施例的结构示意图。
上述各幅附图的具体的技术内容将结合下述的具体实施方式
加以说明。
具体实施方式
图1为本实用新型磁体的结构示意一种光谱分析仪器，所述的光谱分析仪器包括一个产生强磁场的磁体装置； 且所述产生强磁场的磁体装置包括磁钢2,极靴1以及底座3;所述磁钢2和 极孰1设置在所述底座3上；
在所述磁体装置表面设置有防护层4。
在具体的应用中，所述磁体装置包括两个磁钢2a和2b,两块极靴la和lb 和一个底座3，所述两个;兹钢2a和2b分别平行对称设置在所述底座3的两端， 两块极靴la和lb分别设置两个磁钢2a和2b上端；
所述的防护层4采用特氟龙涂层或搪瓷涂层，以达到对/磁体装置保护的目的。
所述的磁钢2,极靴1和底座3的材质是软铁；
在所述磁体装置中，以逆时针方向，在所述的极孰la-磁钢2a-底座3-磁钢 2b-极l化lb组成磁路；且在二块极靴la和lb之间的空间形成强磁场区。磁场 的强度和形状由二块极靴之间的距离以及二极靴间表面形状确定，目的是保护 极執不被腐蚀。
所述的光谱分析仪器是原子吸收光谱分析仪器。
图2为本实用新型所述防护层一种实施例的结构示意所述的防护层4分别设置在所述两块极靴la和lb工作面的外表面上，即 设置距离最近的相对面的外表面上且延伸至上下边沿。所述的防护层4采用特 氟龙涂层或搪瓷涂层，以达到对磁体装置保护的目的。
图3为本实用新型所述防护层第二种实施例的结构示意图。
在第二种实施例中所述的防护层4分别设置在所述两块极靴la和lb整个 外表面上。所述的防护层4采用特氟龙涂层或搪瓷涂层，以达到对磁体装置保 护的目的。
权利要求1、一种光谱分析仪器，其特征在于所述的光谱分析仪器包括一个产生强磁场的磁体装置；且所述产生强磁场的磁体装置包括磁钢(2)，极靴(1)以及底座(3)；所述磁钢(2)和极靴(1)设置在所述底座(3)上；在所述磁体装置表面设置有防护层(4)。
2、 根据权利要求1所述的一种光谱分析仪器，其特征在于 所述^f兹体装置包括两个^f兹钢(2a, 2b ),两块极l化(la， lb )和一个底座(3 ),所述两个-兹钢(2a, 2b)分别平行对称设置在所述底座(3)的两端，两块极靴 (la，lb)分别设置两个^t钢(2a，2b)上端；所述的防护层(4)分别设置在所述两块极靴(la, lb)工作面的外表面上。
3、 根据权利要求l所述的一种光谱分析仪器，其特征在于 所述的防护层(4)分别设置在所述两块极靴(la，lb)的整个外表面上。
4、 根据权利要求l-3之一所述的一种光错分析仪器，其特征在于 所述的防护层(4)釆用特氟龙涂层或搪瓷涂层，以达到对》兹体装置保护的目的。
5、 根据权利要求1-3之一所述的一种光谱分析仪器，其特征在于 所述的磁钢(2),极靴(1)和底座(3)的材质是软铁；在所述磁体装置中，以逆时针方向，在所述的极靴(la)-磁-(2a)-底座 (1)-磁钢(2b )-极孰(lb )组成磁路；且在二块极靴(la, lb )之间的空间 形成强磁场区。
6、根据权利要求l所述的一种光谱分析仪器，其特征在于 所述的光语分析仪器是原子吸收光谱分析仪器。
专利摘要本实用新型属于分析仪器领域，尤其涉及一种光谱分析仪器。所述的光谱分析仪器包括一个产生强磁场的磁体装置；且所述产生强磁场的磁体装置包括磁钢，极靴以及底座；所述磁钢和极靴设置在所述底座上；在所述磁体装置表面设置有防护层。本实用新型解决了磁体长期在高温下以及酸碱作用下，极靴被腐蚀、磁场的几何形状产生变化，磁场强度下降和塞曼分裂减弱或消失，导致仪器检测灵敏度下降，最后当塞曼分裂消失时仪器的扣背景功能消失的技术问题。由于采用了本实用新型所述的磁体装置，磁场强度和磁力线的分布具有长期稳定的特点。
文档编号G01J3/42GK201075032SQ20072017004
公开日2008年6月18日 申请日期2007年8月3日 优先权日2007年8月3日
发明者魏文元 申请人:北京路捷仪器有限公司