专利名称：载置台的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在进行晶片等被检查体的电特性检查时载置被检查体的载置台，
更详细地涉及用于例如鼓面状晶片那样具有被外周缘部的环状突起包围的凹陷部的被检查体的载置台。
背景技术：
—般，检查装置具有搬送被检查体(例如晶片)的装载室；和进行从装载室搬送的晶片的电特性检查的探测室。探测室具有载置晶片的可移动的载置台；在载置台的上方配置的探针卡；和进行晶片的多个电极垫和探针卡的多个探针的对准的对准机构，对准后的晶片的多个电极垫和多个探针进行电接触，根据来自测试器的检查用信号进行规定的电特性检查。 例如图7(a)所示，载置台具有载置晶片(未图示)的顶板1和与顶板1 一体化的绝缘体2，构成为能够通过升降体3在XY台(未图示)上升降。在顶板1的上面形成有吸附单元，晶片通过吸附单元被吸附固定在顶板的上面。 在进行晶片的电特性检查时，晶片通过吸附单元被吸附固定在顶板l的上面，然后载置台通过XY台在水平方向上移动，同时顶板1通过升降体进行升降，晶片的多个电极垫和探针卡的多个探针进行电接触，进行规定的电特性检查。 然后，如图7(b)所示，顶板1具有例如氧化铝等陶瓷烧结体1A ;和在陶瓷烧结体1A的上面形成的由金等导电性金属构成的导体覆膜1B。导体覆膜1B作为电极通过例如离子喷镀等形成。电极1B连接在测试器侧，从测试器侧施加规定的检查用信号。另外，绝缘体2由锆石堇青石(Zircon-Cordierite)等陶瓷烧结体形成。 现有技术的图7所示的载置台，为了如上所述在顶板1的陶瓷烧结体1A的上面通过离子喷镀形成电极1B，如车载用的功率器件等，施加高电压、高电流进行电特性检查时，在晶片的下面施加的Ag等金属覆膜的金属成分向顶板1的电极1B移动，使电极1B变色，其表面电阻变高，存在使检查的可靠性低下的问题。因此，在现有技术中，当顶板1变色时，将载置台更换成新的载置台。 另外，关于晶片，例如，最近的晶片变得极薄，其搬送困难，因此使用遍及晶片下面的外周缘部全周形成环状突起、防止晶片的变形的鼓面状晶片。即使在使用鼓面状晶片的情况下，与使用其他晶片的情况一样也存在载置台的顶板1的电极1B由于金属成分变色的问题。 另外，这种载置台例如在专利文献1、2中记载。专利文献1中的载置台的顶板由石英、聚四氟乙烯等绝缘材料构成，在其上面通过金蒸镀等形成导电体层，在其下面配置有密封部件。专利文献2中记载了只在由绝缘材料构成的顶板的上面形成导体覆膜的载置台。
专利文献1日本特开昭63-13874专利文献2日本特开昭62-291937 然而，在使用现有的载置台的情况下，由于重复进行利用高电压、高电流的电特性检查，由于金属成分从晶片向顶板1的移动，使顶板1的表面变色，表面电阻变高时，即使不更换顶板1以外的原本部件，也要更换良好的载置台的构成部件，存在更换费用变高的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而完成的发明，其目的在于提供一种即使通过使用高电压、高电流的电特性检查使顶板(载置体)变色，也只更换载置台的载置体，不需要更换其它构成部件，能够削减更换费用的载置台。 本发明第一方面记载的载置台，为了对被检查体的电特性检查而载置所述被检查体，所述被检查体具有被遍及下表面的外周缘部全周而形成的环状突起包围的凹陷部，该载置台的特征是，具有具有所述被检查体的载置面的载置体；和绝缘体，在其上可装卸地固定所述载置体，所述载置体具有按照与所述被检查体的凹陷部嵌合，且所述载置面与所述被检查体的下表面接触的方式形成的载置部；和形成在所述载置部的外侧，且接受所述环状突起的环状平面部，利用紧固部件使所述载置体在所述环状平面部处固定于所述绝缘体。 另外，本发明第二方面记载的载置台的特征在于，在第一方面记载的发明中，该载置台具有多个载置体，该多个载置体具有适合于多个尺寸不同的所述被检查体的凹陷部的载置部。 另外，本发明第三方面记载的载置台的特征在于，在第一方面或第二方面记载的发明中，所述载置体在所述载置面上形成有导体覆膜。 另外，本发明第四方面记载的载置台的特征在于，在第三发明记载的发明中，在上述导体覆膜被污染时更换上述载置体。 根据本发明，能够提供一种载置台，即使因使用高电压、高电流的电特性检查而使得顶板(载置体)变色污染，也只需更换载置台的载置体，不需要更换其它构成部件，能够削减更换费用。
图1为表示部分截断适用了本发明的载置台的一个实施方式的检查装置的一个例子的主视图。 图2为表示取下图1所示的载置台的截面图。
图3为对图2所示的载置台进行分解并表示的立体图。
图4为表示本发明的载置台的其它实施方式的截面图。
图5为对图4所示的载置台进行分解并表示的立体图。 图6(a) 、 (b)分别为截断表示适合尺寸不同的鼓面状晶片的载置体的一部分的侧面图。 图7(a) 、 (b)分别为表示现有的载置台的一个例子的图，图7(a)为其侧面图，(b)为对(a)所示的载置台的载置体的截面一部分进行放大表示的截面图。
符号说明
20 载置台
21载置体21A载置部21B环状平面部22绝缘体23螺钉部件(紧固部件)w鼓面状晶片(被检查体)
具体实施例方式
以下根据图1 图6所示的实施方式，对本发明进行说明。另外，在各图中，图1为部分截断地表示适用于本发明载置台的一个实施方式的检查装置的一个例子的主视图，图2为表示取下图1所示的载置台的截面图，图3为对图2所示的载置台进行分解并表示的立体图，图4为表示本发明载置台的其它实施方式的截面图，图5为对图4所示的载置台进行分解并表示的立体图，图6(a)、 (b)为分别截断表示适合尺寸不同的鼓面状晶片的载置体的一部分的侧面图。
第一实施方式 首先，参照图1 图3，说明具有本实施方式的载置台的检查装置。检查装置例如图1所示，具有进行被检查体例如鼓面状晶片(TaikoWafer)W的电特性检查的探测室10 ;和向探测器室10中搬送鼓面状晶片W的装载室(未图示)。在本实施方式中所使用的鼓面状晶片W上形成例如多个功率器件。该鼓面状晶片W具有被遍及下表面的外周缘部全周而形成的环状突起包围的凹陷部，防止形成得极薄的主体部的弯曲，成为容易处理的结构。
探测室10如图1所示，具有载置鼓面状晶片W的载置台20 ;使载置台20移向X、Y方向的XY台30 ;在载置台20的上方配置的探针卡40 ;进行探针卡40的多个探针41和载置台20上的鼓面状晶片W的多个电极垫(未图示)的对准的对准机构(未图示)；和与探针卡40的上面的多个端子电极电连接的测试头50，通过对准机构，进行载置台20上的鼓面状晶片W的多个电极垫和探针卡40的多个探针41的对准后，使多个探针41和多个电极垫电接触，向在鼓面状晶片W上形成的功率器件施加高电压、高电流，进行电特性检查。载置台20如图1所示，通过设置在XY台30上的升降体20A进行升降。 另外，载置台20如图1所示通过同轴电缆51的中心导体与测试头50电连接。而且，在检查时，从探针41向半导体晶片W的电极垫施加检查用信号，同时从测试头50向载置台20的载置体施加检查用信号，通过C-V法等进行半导体晶片W的规定的容量测定等。
而且，本实施方式的载置台20如图2、图3所示，具有载置鼓面状晶片W的载置体(相当于现有的顶板)21 ;和可装卸地安装有载置体21的绝缘体22，载置台21通过多个(例如4根)紧固部件(例如螺钉部件)23连接固定在绝缘体22上。如图2所示，在载置体21和绝缘体22之间存在绝缘环24，载置体21和绝缘体22在隔着绝缘环24的状态下通过4根螺钉部件23连接。 进一步说明载置体21，如图2、图3所示，在载置体21的上面隆起形成有与鼓面状晶片W的凹陷部嵌合的载置部21A，在载置体21的上面的载置部21A的外侧形成有鼓面状晶片W的环状突起所接触的环状平面部21B。该环状平面部21B形成为与环状突起的宽度实质上相同的宽度。因此，在载置体21的上面载置鼓面状晶片W时，载置部21A嵌入鼓面
5状晶片W的凹陷部，鼓面状晶片W的下表面与载置部21A的载置面接触，同时环状突起的 下表面与环状平面部21B全范围接触。另外，如图2、图3所示，在载置体21的环状平面部 21B上，在周方向隔开等间隔形成有例如4根螺钉部件23的头部嵌入的缺口部21C，在每个 缺口部21C的底面形成有螺钉部件23贯通的孔。另外，鼓面状晶片W的环状突起可以是不 与载置体21的环状平面部21B接触的结构。 进一步，如图2、3所示，在载置体21的载置面上形成有辐射状分布的多个吸引口 21D (在图2中只表示了一部分)，这些吸引口 21D在如图2所示的载置体21的下表面贯通 以规定的图案形成的浅槽21E。这些槽21E相互连通并且通过接合在载置体21的下表面的 罩25密封。该罩25如图2所示通过紧固部件(例如，螺钉部件)26接合在载置体21的下 表面。而且，在由槽21E和罩25形成的空间连接有排气装置(未图示)，排气装置对空间内 进行排气。因此，在载置体21上载置鼓面状晶片W，利用排气装置，将吸引口 21D和空间内 的空气排出，鼓面状晶片W吸附固定在载置部21A上。 在绝缘体22的外周缘部全周形成有上方突出的环状突起22A，在该环状突起22A 的上面形成有与载置体21的4个位置的贯通孔对应的螺钉孔22B。在该环状突起22A和 载置体21的外周缘部的下表面之间配置有绝缘环24，在该绝缘环24上也形成有与载置体 21的4个位置的贯通孔对应的贯通孔。绝缘体22例如与现有同样通过由锆石堇青石等陶 瓷烧结体构成的绝缘材料形成。 因此，当将载置体21安装在绝缘体22上时，首先在载置体21的下表面通过螺钉 部件26接合罩25，将槽21E密封。接着，使绝缘环24与绝缘体22的环状突起22A的螺钉 孔22B —致地配置，使载置体21的缺口部21C的贯通孔与绝缘环24的贯通孔一致，而配置 载置体21。此后，利用螺钉部件23，将载置体21和绝缘环22连接固定在绝缘体22上，由 此能够形成为载置台20。 接着，对动作进行说明。在探测室10内，载置台20从装载室接受被预对准的鼓面 状晶片W时，鼓面状晶片W的凹陷部和载置体21的载置部21A嵌合。此时，鼓面状晶片W的 下表面与载置部21A的载置面接触，并且鼓面状晶片W的环状突起与环状平面21B的全范 围接触。在该状态下，驱动排气装置，将鼓面状晶片W吸附固定在载置部21A的载置面上。 接着，XY台30工作，将载置台20向X方向及Y方向移动，通过对准机构，进行鼓面状晶片W 和探针卡40的探针41的对准。 然后，载置台20向探针41的正下方移动，通过升降体20A，使载置台20上升，鼓 面状晶片W的多个电极垫和多个探针41接触，接着使载置体21过压(overdrive)，鼓面状 晶片W的电极垫与探针41电接触。在该状态下，通过探针41从测试头50向鼓面状晶片W 施加高电压(例如，5kV)、高电流(例如，100A)的高频信号，并且向载置体21施加检查用信 号，对功率器件进行规定的电特性检查。 结束对鼓面状晶片W的所有功率器件的规定检查后，载置台20向装载室侧移动， 向装载室递送检查完的鼓面状晶片，同时接受下一个鼓面状晶片，重复上述检查。重复检查 时，从鼓面状晶片W下表面的金属(例如，Ag)覆膜，Ag向载置体21的导体覆膜移动，导体 覆膜由于金属而变色，导体覆膜的表面电阻变高，存在检查的可靠性降低的可能性。该情况 下，在本实施方式中，操作者可以只简单地更换载置体21 。 S卩，通过卸下载置台20的4根螺 钉部件23，就能够从绝缘体22分离卸下载置体21。接着，能够隔着绝缘环24，通过螺钉部件23将新的载置体21简单地连接固定在绝缘体22上。 根据以上说明的本实施方式，具有具有鼓面状晶片W的载置面的载置体21 ;和固 定有载置体21的绝缘体22，载置体21具有与鼓面状晶片W的凹陷部嵌合并且以与鼓面 状晶片W接触的方式形成的载置部21A ;和形成在载置部21A的外侧并且接受鼓面状晶片W 的环状突起的环状平面部21B，使用螺钉部件23，载置体21在环状平面部21B被固定在绝 缘体上，因此即使向功率器件施加高电压、高电流，重复进行电特性检查，载置体21的导体 覆膜由于鼓面状晶片W的金属成分而变色，表面电阻变高，也能够通过螺钉部件23只简单 地更换载置体21，绝缘体22和绝缘环24能够继续使用，能够削减载置台20的更换费用。
第二实施方式 本实施方式的载置台20'除鼓面状晶片W的吸附单元不同以外，基本上按照第一 实施方式构成。在本实施方式中，与第一实施方式相同或者相当部分标注相同符号进行说 明。 S卩，本实施方式的载置台20'如图4、图5所示具有载置体21和绝缘体22。在载 置体21的上面与第一实施方式相同形成有载置部21A和环状平面部21B。在本实施方式 中，不需要第一实施方式那样的罩25，省略从罩25向绝缘体22侧突出的螺钉部件26用的 空间，因此可以不设置绝缘环24。 而且，关于本实施方式的鼓面状晶片W的吸附单元为通过在载置部21A的载置面 形成的多个环状槽21F吸附鼓面状晶片W的结构。S卩，多个环状槽21F分别如图4、图5所 示，形成为围着载置部21A的载置面的中心的同心圆状。这些环状槽21F从在载置部21A的 表层部的流路(未图示)吸引口 21D以分别开口 l个的方式形成。这些吸引口 21D如图5 所示在径向配置在一条直线上，通过载置部21A表层部的流路分别相互连通。径向外侧的 吸引口21D连通有在载置部21A的内部配置的吸气部21G，通过与吸气部21G连接的排气装 置(未图示)从多个环状槽21F排出空气，由此使鼓面状晶片W吸附固定在载置部21A上。
根据以上说明的本实施方式，能够简化鼓面状晶片W的吸附单元，除此以外，在本 实施方式中也能够期望与第一实施方式相同的作用效果。
第三实施方式 本实施方式的载置台20"具有与尺寸不同的鼓面状晶片W对应的载置体，除此以 外按照第一、第二实施方式构成。在本实施方式中，与第一实施方式相同或者相当部分标注 相同符号进行说明。 本实施方式的载置台20"如图6(a)、 (b)所示具有对应鼓面状晶片W的尺寸的载 置体21。图6(a)表示的载置体21用于例如200mm直径的鼓面状晶片W，由于具备与第一、 第二实施方式的载置台20、20'各自的载置体21相同的构造，省略该说明。
图6(b)表示的载置体21用于150mm直径的晶片W。该载置体21的外径形成为与 图6(a)表示的载置体21的外径相同的尺寸，该载置部21A形成为与150mm直径的晶片W 嵌合的外径。因此，围着载置部21A的环状平面部21B形成得比图6(a)表示的宽度更宽。 而且，沿着环状平面部21B的外周缘部，在周方向隔开等间隔形成安装4根螺钉部件的缺口 部21C。对应鼓面状晶片W的尺寸准备多个载置部21A的外径。 因此，在鼓面状晶片W的尺寸从200mm变换为150mm的情况下，只要将更换图6 (a) 表示的载置体21更换为图6 (b)表示的载置体21，就能够对应地更改鼓面状晶片W的尺寸。这样，通过本实施方式的载置台20"事先准备对应多种鼓面状晶片W的尺寸的载置体21，就 能够使一个载置台20对应尺寸不同的多个鼓面状晶片W。 另外，本发明不受上述实施方式的任何限制，根据必要，能够更改适当的设计。
产业上的可利用性 本发明能够适用于如下的检查装置，该检查装置被用于具有被遍及下表面的外周 缘部全周而形成的环状突起围成的凹陷部的被检查体的电特性检查。
权利要求
一种载置台，为了对被检查体的电特性进行检查而载置所述被检查体，所述被检查体具有被遍及下表面的外周缘部全周而形成的环状突起包围的凹陷部，所述载置台的特征在于，具有具有所述被检查体的载置面的载置体；和绝缘体，在其上可装卸地固定所述载置体，所述载置体具有按照与所述被检查体的凹陷部嵌合，且所述载置面与所述被检查体的下表面接触的方式形成的载置部；和形成在所述载置部的外侧，且接受所述环状突起的环状平面部，利用紧固部件使所述载置体在所述环状平面部处固定于所述绝缘体。
2. 如权利要求1所述的载置台，其特征在于具有多个载置体，该多个载置体具有适合于多个尺寸不同的所述被检查体的凹陷部的 载置部。
3. 如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于 所述载置体在所述载置面上形成有导体覆膜。
4. 如权利要求3所述的载置台，其特征在于 在所述导体覆膜被污染时更换所述载置体。
全文摘要
本发明提供一种载置台，即使因使用高电压、高电流的电特性检查而使顶板(载置体)变色，也能够只需更换载置台的载置体，而不需要更换其它构成部件，能够削减更换费用的载置台。本发明的载置台(20)，为了对鼓面状晶片(W)的电特性检查、将鼓面状晶片(W)载置在其环状突起的下侧，其具有具有鼓面状晶片(W)的载置面的载置体(21A)；和绝缘体(22)，其上固定有载置体(21A)，载置体(21)具有以与鼓面状晶片(W)的环状突起嵌合且与鼓面状晶片(W)的下面接触的方式形成的载置部(21A)；和形成在载置部(21A)的外侧并与环状突起接触的环状平面部(21B)，载置部(21A)由环状平面部(21B)侧安装的螺钉部件(23)可装卸连结固定于绝缘体(22)。
文档编号G01R1/02GK101728298SQ200910204159
公开日2010年6月9日 申请日期2009年10月15日 优先权日2008年10月15日
发明者筱原荣一 申请人:东京毅力科创株式会社