专利名称：一种金卤灯功率测量方法
技术领域：
本发明涉及一种气体放电灯的功率测量方法，特别是涉及一种金卤灯的功率测量 方法。
背景技术：
由于金卤灯工作在高频变换器的半桥电路的特殊性，灯(负载)位于控制地的不 定电位上，常规方法要通过变压器或是光电器件耦合到电源地，故使用常规方法即在电路 中串联电阻的方法来测量金卤灯的功率难度很大，目前对金卤灯功率的测量方法主要有利 用电压传感器、电流传感器来测量，且需要采用DSP技术，此种测量方法复杂而且成本高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种简单、易操作的金卤灯功率的测量方法。本发明采用的技术方案，即本发明所提供的金卤灯功率测量方法如下所述金卤灯采用高频变换器驱动，则为所述高频变换器电路中的扼流线圈设置一 副绕阻线圈，用于感应金卤灯工作电压信号Vp ；采用单片机采集副绕阻线圈感应到的金卤灯工作电压信号Vp及信号周期Ts，并 计算金卤灯的实际工作电压Vo ； 采用单片机计算金卤灯平均工作电流
权利要求
1. 一种金卤灯功率测量方法所述金卤灯采用高频变换器驱动，为所述高频变换器电路中的扼流线圈设置一副绕阻 线圈，用于感应金卤灯工作电压信号Vp ；采用单片机采集副绕阻线圈感应到的金卤灯工作电压信号Vp及信号周期Ts，并计算 金卤灯的实际工作电压Vo;采用单片机计算金卤灯工作电流Io，/oTsL{D, + D2)rsYlzI^D{Ts2L其中，Dl为高频变换器电路中MOS管导通占空比，D2为高频变换器电路中二极管导通 占空比，L为扼流线圈感值，Vs为高频变换器输入电压，Vo为计算出的金卤灯实际工作电 压；则金卤灯功率为Po = VoIo ^Vols2L
2.根据权利要求书1所述的功率测量方法，其特征在于所述金卤灯的实际工作电压 Vo = Vp^(，其中K为扼流线圈与其副绕组线圈的匝数比。
3.根据权利要求书1所述的金卤灯功率测量方法，其特征在于所述高频变换器电路 中MOS管导通占空比Dl = tl/Ts，其中tl为MOS管导通时间。
4.根据权利要求书3所述的金卤灯功率测量方法，其特征在于所述MOS管导通时间 tl由单片机检测得到。
5.根据权利要求书1所述的金卤灯功率测量方法，其特征在于所述高频变换器电路Vs- VoVo中二极管导通占空比D2通过公式~^ΑΓΡγΑ^得到。LdLj
全文摘要
一种金卤灯功率测量方法，通过在金卤灯的高频变换器电路中扼流线圈旁边增加一个副绕阻线圈，形成互感，作为电信号采集部分，该副绕阻线圈的两端连接到单片机，便于单片机直接采集绕阻线圈上的电信号。单片机对采集信号进行处理，计算出金卤灯的功率，处理结果可输出显示并用于对灯(负载)功率的调节和控制，提高金卤灯工作效率。由于灯(负载)位于控制地的不定电位上，即负载地是浮地，故用传统的弱电电路无法准确的测量该高频变换器下的低频负载的功率，常规方法要用变压器或是光电耦合器件把负载地耦合电源地，该测量方法克服这些缺点，实现在线的测量，采用的测量电路简洁、测量方法易操作，测量快速准确，而且适用所有的半桥电路。
文档编号G01R21/06GK102121951SQ201010575098
公开日2011年7月13日 申请日期2010年11月30日 优先权日2010年11月30日
发明者张云成 申请人:张云成, 惠州市日野电子有限公司