专利名称：一种有机保护膜厚度测量方法
技术领域：
本发明涉及一种测量方法，属于检测技术领域。特别涉及一种有机保护膜厚度测
量方法。
背景技术：
目前测量各种有机膜厚度的方法大多采用机械接触式的测量，由于有机膜具有一定的柔软性，测量时存在比较大的误差，测量时要精确到0. Ium必须要用其它的方法。而有机保护膜的厚度一般只有几十个微米，采用传统的机械接触式测量方法难以满足测量精度要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种有机保护膜厚度测量方法，改测量方法可以提高有机保护膜厚度测量的精度。为了解决上述技术问题，本发明提供一种有机保护膜厚度测量方法，其包括以下步骤1)、在有机保护膜表面均勻地镀一层导电的物质；2)、对经过步骤1)处理过的有机保护膜的局部进行离子剥离切割；3)、对经过步骤2)处理过的有机保护膜进行局部放大并测量有机保护膜截面的厚度。根据本发明所述的有机保护膜厚度测量方法，所述步骤1)中的导电的物质为金或钼。根据本发明所述的有机保护膜厚度测量方法，所述步骤2)中的离子剥离切割采用聚焦离子束切割方式。本发明所述的有机保护膜厚度测量方法，通过采用在有机保护膜表面均勻地镀一层导电的物质并对其局部进行离子剥离切割，来提高有机保护膜厚度测量的精度。并通过对有机保护膜进行局部放大并测量有机保护膜截面的厚度，还可以从微观上观察有机保护膜厚度的均勻性。
具体实施例方式以下用实施例结合附图
对本发明作更详细的描述。本实施例仅仅是对本发明最佳实施方式的描述，并不对本发明的范围有任何限制。实施例将有机保护膜表面均勻地镀一层导电的物质，优选为钼或金。然后将样有机保护膜用聚焦离子束进行剥离切割，再将切割好的有机保护膜的截面进行局部纺放大测量。本发明所述的有机保护膜厚度测量方法，通过采用在有机保护膜表面均勻地镀一层导电的物质并对其局部进行离子剥离切割，来提高有机保护膜厚度测量的精度。并通过对有机保护膜进行局部放大并测量有机保护膜截面的厚度，还可以从微观上观察有机保护膜厚度的均勻性。
权利要求
1.一种有机保护膜厚度测量方法，其特征在于包括以下步骤1)、在有机保护膜表面均勻地镀一层导电的物质；2)、对经过步骤1)处理过的有机保护膜的局部进行离子剥离切割；3)、对经过步骤2、处理过的有机保护膜进行局部放大并测量有机保护膜截面的厚度。
2.根据权利要求1所述的有机保护膜厚度测量方法，其特征在于所述步骤1)中的导电的物质为金或钼。
3.根据权利要求1或2所述的有机保护膜厚度测量方法，其特征在于所述步骤2)中的离子剥离切割采用聚焦离子束切割方式。
全文摘要
本发明涉及一种有机保护膜厚度测量方法，其包括以下步骤1)、在有机保护膜表面均匀地镀一层导电的物质；2)、对经过步骤1)处理过的有机保护膜的局部进行离子剥离切割；3)、对经过步骤2)处理过的有机保护膜进行局部放大并测量有机保护膜截面的厚度。本发明所述的有机保护膜厚度测量方法，通过采用在有机保护膜表面均匀地镀一层导电的物质并对其局部进行离子剥离切割，来提高有机保护膜厚度测量的精度。并通过对有机保护膜进行局部放大并测量有机保护膜截面的厚度，还可以从微观上观察有机保护膜厚度的均匀性。
文档编号G01B11/06GK102313521SQ20111007762
公开日2012年1月11日 申请日期2011年3月29日 优先权日2011年3月29日
发明者闫武杰 申请人:上海华碧检测技术有限公司