专利名称：基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法
技术领域：
本发明属于地下工程领域，涉及渗漏点的检测，尤其是基坑止水帷幕隐伏渗漏点的检测方法。
背景技术：
基坑工程的隔水结构分为两类，采用地下连续墙或咬合桩等连续体围护形式的， 围护体本身兼有隔水功能，也可称为止水帷幕；而对于其他比如灌注排桩等非连续体的围护，需要在围护体外侧，专门施工止水帷幕(搅拌桩、高压旋喷桩等)，本说明书中止水帷幕包含上述两类情况。虽然，几乎所有的基坑工程都设置了隔水结构，仍有70%以上的基坑工程事故是水害直接或间接造成的，轻则造成基坑报废、围护结构倒塌，重则危及周边环境安全、造成人民生命财产损失。因此，对于基坑工程的隔水效果的检测显得至关重要，目前常用的一些检测方法通常有两类，第一类为间接反映帷幕施工质量的方法如帷幕固结体的单轴抗压强度检测、轻型动力触探等，但都不能准确评价帷幕整体隔水效果。第二类是通过围护体内的抽水试验，检测帷幕整体的隔水效果，这种方法需要在基坑围护外打设水位观察孔，通过观察抽水过程中水位变化情况来判断止水帷幕的隔水效果以及隐伏漏点的大体位置。但这种方法需要专门打设大量水位观察孔，施工工期较长、费用较高，另外坑外的水位孔间隔较大，不可能做到连续排列，很容易漏掉一些隐伏的渗漏点，花了大价钱但没有取得很好的效果。而本方法可以很好的解决上述两类方法的缺陷。电法勘探是以岩、矿石之间电学性质的差异为基础，通过观测和研究与这些差异有关的电场或电磁场在空间或时间上的分布特点和变化规律，来查明地下地质构造和寻找地下电性不均勻体(岩溶、风化层、滑坡体等)的一类勘查地球物理方法。在水文地质、工程地质、环境地质工作中，电法勘探也是一种必不可少的勘查手段。电阻率法是传导类电法勘探方法之一，它建立在地壳中各类岩(矿)石之间导电性差异的基础上，通过观测和研究与这种差异有关的天然电场或人工电场的分布规律，可达到查明地质构造或解决某些地质问题之目的。而电阻率测深法是电阻率法的一种，它提供地电断面随深度变化的资料，以确定各层深度、厚度和电参数(视电阻率等)，通过电阻率测深法可以得到视电阻率等值线断面(云)图。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法，基于电阻率测深法，确定止水帷幕的渗漏点位置。为达到以上目的，本发明所采用的解决方案是一种基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法，其包括在基坑外部，沿止水帷幕平行方向，距离止水帷幕定长距离处布设测点；在基坑内部降水前，探测测点处的土层电阻率；在基坑内部降水后，探测测点处的土层电阻率；
若土层电阻率前后发生突变，则该测点处即为隐伏渗漏点的位置。进一步，所述距离止水帷幕的定长距离为0. 8-1. ail。所述布设的测点，其相邻测点之间间距为在20-200cm。所述探测测点处的土层电阻率是采用电阻率测深法勘探。由于采用了上述方案，本发明具有以下特点本发明的检测方法，简单方便，可以准确的检测出渗漏点。
图1为坑内外水位分布图，其中，(a)是横断面图，(b)是沿(a)中1_1线的剖面图。图2是电阻率测深法测点布设的示意图。图3是降水前后电阻率分布对比图。
具体实施例方式以下结合附图所示实施例对本发明作进一步的说明。水导电性较高，一般小于100Ω · m，对于土层，结构疏松的，孔隙度大的，电阻率与地下水密切相关，故它们的电阻率均较低，一般为ηΧΙΟΩ · m，土性完全相同情况下，干土、 湿土或土层的饱和度不同，电阻率有很大的不同，这是因为水的电阻率较小，含水多少将显著影响土层的电阻率。本发明基于电阻率测深法原理，考虑到含水量对土层的电阻率有显著影响，当基坑坑内降水时，如果围护体或止水帷幕存在渗漏点，因为存在水头差，坑外水向坑内渗漏， 坑外渗漏点附近的水位下降，土层含水量减少，电阻率增加，通过对比降水前后得到的电阻率等值线断面图，等值线分布变化明显的部位就是隐伏渗漏点位置。如图1所示，对止水帷幕1外侧进行土体电阻率测量，由于坑外即止水帷幕1外侧存在渗漏点2，所以图中①处的地下水位下降，也就是，土体含水量减少，电阻率将明显增加。因为，土体是由土颗粒和颗粒间的孔隙组成的，正常不含水的情况下，这种土体电阻率明显高于水的电阻率，土体电阻率的降低(或升高)主要受控于孔隙内充填液体电阻率的大小，当孔隙充水时，所测得的是二者的综合电阻率，并且由于水的低阻特性，导致土体电阻率明显降低，当坑外水位降低后，孔隙水渗出，即含水量降低，因而水位降低的范围内土体电阻率较周围土层相对升高因此，本发明在坑外，沿止水帷幕1平行方向，距离止水帷幕Im左右布设测点，形成一个与止水帷幕1平行的测点布设面4。对于测点布设面4上的各测点，测点之间的间距的选择不易过大，即越小越好，但考虑到工作量因素，一般选择范围在20cm-200cm，过大会
影响分辨率。在坑内降水前进行电阻率测深法勘探，探测坑外土层电阻率也就是测点布设面4 上各测点处的土层电阻率，得到电阻率等值线断面图，如图3中虚线所示(图中P1-P4是指各测点处的电阻率)。当坑内降水点3处进行降水后水位达到预定目标(一般为开挖面以下l-2m)时，再次进行电阻率测深法勘探探测测点布设面4上各测点处的土层电阻率，得到电阻率等值线图，如图3中实线所示。对比降水前后得到的两张等值线断面图，电阻率分布突变的部位就是隐伏渗漏点的位置。由于电阻率测深法勘探法已是公知技术，故不在此赘述。 上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和应用本发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明的范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法，其特征在于其包括在基坑外部，沿止水帷幕平行方向，距离止水帷幕定长距离处布设测点； 在基坑内部降水前，探测测点处的土层电阻率； 在基坑内部降水后，探测测点处的土层电阻率； 若土层电阻率前后发生突变，则该测点处即为隐伏渗漏点的位置。
2.如权利要求1所述的基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法，其特征在于所述距离止水帷幕的定长距离为0.8-1. ail。
3.如权利要求1所述的基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法，其特征在于所述布设的测点，其相邻测点之间间距为在20-200cm。
4.如权利要求1所述的基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法，其特征在于所述探测测点处的土层电阻率是采用电阻率测深法勘探。
全文摘要
本发明公开了一种基坑止水帷幕隐伏渗漏点检测方法，其包括在基坑外部，沿止水帷幕平行方向，距离止水帷幕定长距离处布设测点；在基坑内部降水前，探测测点处的土层电阻率；在基坑内部降水后，探测测点处的土层电阻率；若土层电阻率前后发生突变，则该测点处即为隐伏渗漏点的位置。本发明的检测方法，简单方便，可以准确的检测出渗漏点。
文档编号G01M3/40GK102392461SQ20111026796
公开日2012年3月28日 申请日期2011年9月9日 优先权日2011年9月9日
发明者刘涛, 杨新文, 柳献, 袁勇, 谢雄耀, 黄钟晖 申请人:同济大学