1.一种纳米线压电系数d33的测量装置，与水平放置的纳米线(1)连接，其特征在于，所述测量装置包括：
电极单元(2)，用于连接所述纳米线(1)的两个接触点，使所述纳米线(1)的两个接触点处的电势相同；
位移检测单元(3)，用于接触所述纳米线(1)的两接触点之间的任意位置，在所述位移检测单元(3)与电极单元(2)之间存在电压差时，检测所述纳米线(1)的横向位移；以及
信号处理单元(4)，分别连接所述电极单元(2)和位移检测单元(3)，用于根据所述电极单元(2)与所述位移检测单元(3)之间的电压差以及所述横向位移，得到所述纳米线(1)的压电系数。
2.根据权利要求1所述的纳米线压电系数d33的测量装置，其特征在于，所述测量装置还包括：
信号矫正单元(5)，设置于所述位移检测单元(3)和信号处理单元(4)之间，用于对所述位移检测单元(3)输出的横向位移进行矫正，输出形变量并发送至所述信号处理单元(4)；
所述信号处理单元(4)还用于根据所述形变量以及电压差，获得所述纳米线的压电系数。
3.根据权利要求1或2所述的纳米线压电系数d33的测量装置，其特征在于，所述电极单元(2)包括：
块状电极(21)；以及
至少两根引线，分别用于连接所述纳米线(1)的两个接触点以及块状电极(21)，使所述块状电极(21)和纳米线(1)形成回路，且所述纳米线(1)的两个接触点处的电势相同。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的纳米线压电系数d33的测量装置，其特征在于，所述位移检测单元(3)包括导电探针(31)，用于接触所述纳米线(1)的两个接触点之间的任意位置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的纳米线压电系数d33的测量装置，其特征在于，所述测量装置还包括：
基底(6)，所述纳米线(1)水平设置在所述基底(6)上，且所述纳米线(1)能够在所述基底(6)上伸缩振动。
6.根据权利要求5所述的纳米线压电系数d33的测量装置，其特征在于，所述基底(6)为光滑的绝缘刚性基底。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的纳米线压电系数d33的测量装置，其特征在于，所述测量装置还包括：
凹槽，所述纳米线(1)水平设置在所述凹槽上，且所述纳米线(1)两接触点之间的部分处于悬空状态。
8.一种纳米线压电系数d33的测量方法，用于测量水平放置的纳米线，其特征在于，所述测量方法包括：
在所述纳米线的两个接触点上连接电极单元，使所述纳米线的两个接触点处的电势相同；
位移检测单元接触所述纳米线的两接触点之间的任意位置，在所述位移检测单元与所述电极单元之间存在电压差时，检测所述纳米线的横向位移；
信号处理单元根据所述电极单元与所述位移检测单元之间的电压差以及所述横向位移，得到所述纳米线的压电系数。
9.根据权利要求8所述的纳米线压电系数d33的测量方法，其特征在于，所述测量方法还包括：
信号矫正单元对所述横向位移进行矫正，获得形变量；
所述信号处理单元还根据所述形变量以及电压差，获得所述纳米线的压电系数。
10.根据权利要求8或9所述的纳米线压电系数d33的测量方法，其特征在于，所述电压差逐渐变化或稳定不变。