一种提高超声波雷达探测距离电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种提高超声波雷达探测距离电路，包括信号发射电路、信号接收电路、SEN探头、MCU及控制开关电路；所述信号发射电路的输入端接MCU，而输出端接SEN探头；所述信号接收电路的输入端接SEN探头，而输出端接MCU；控制开关电路由MOS管Q1A及电阻R6组成，MOS管Q1A栅极接电阻R6，电阻R6接MCU，MOS管Q1A源极接地，而MOS管Q1A漏极接信号发射电路输出端。本实用新型可以提高雷达接收灵敏度，进而提高超声波雷达探测距离。
【专利说明】一种提高超声波雷达探测距离电路
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及雷达探测电路技术，尤其是指一种提高超声波雷达探测距离电 路。
【背景技术】
[0002] 现有技术中，超声波雷达采用压电陶瓷（SEN)探头对外发射脉冲信号，信号发射完 毕后，探头接收到障碍物反射超声波信号，信号进行放大、处理，记录信号发射和接收的时 间差，根据此时间差计算障碍物距离，并输出报警信号或进行泊车等功能。
[0003] 如图1所述，现有技术揭示的超声波雷达探测距离电路，包括信号发射电路10、信 号接收电路20、SEN探头30及MCU40。所述信号发射电路10的输入端接MCU，由MCU发出 脉冲信号，而输出端接SEN探头30 ;而所述信号接收电路20的输入端接SEN探头30,而输 出端接MCU40。其中，所述信号发射电路10包括三极管Q2B、M0S管Q 1B、以及信号发射变压器 T1 ;三极管Q2B基极与MCU连接，发射极接地，而集电极分别经电阻R3接M0S管Q1B栅极，经 电阻R 3接M0S管Q1B源极，M0S管Q1B源极还接电容C1及VCC，而M0S管Q 1B漏极经电容C2 接信号发射变压器T1初级，而信号发射变压器T1次级接SEN探头30,且接地。
[0004] 如图2所示，所述SEN探头30在接收信号时可以等效为一个电压源和一个电容器 的串联，因此，现有技术的超声波雷达探测距离电路在接收信号状态下的等效点电路如图3 所示，其中,Za为压电陶瓷探头SEN接收状态时的等效阻抗，Z1为发射回路接收状态时的等 效阻抗，Z2为接收回路接收状态时的等效阻抗，由于受发射回路阻抗Z1的影响，送入接收 电路的信号Vs较小，超声波雷达探测距离受到影响
[0005]
【权利要求】
1. 一种提高超声波雷达探测距离电路，其特征在于：包括信号发射电路、信号接收电 路、SEN探头、MCU及控制开关电路；所述信号发射电路的输入端接MCU，而输出端接SEN探 头；所述信号接收电路的输入端接SEN探头，而输出端接MCU ;控制开关电路由MOS管Q1A及 电阻R6组成，MOS管Q1A栅极接电阻R 6，电阻R6接MCU，MOS管Q1A源极接地，而MOS管Q1A漏 极接信号发射电路输出端。
2. 如权利要求1所述的一种提高超声波雷达探测距离电路，其特征在于：所述信号发 射电路包括三极管Q2B、MOS管Q 1B、以及信号发射变压器T1 ;三极管Q2B基极与MCU连接，发 射极接地，而集电极分别经电阻R3接MOS管Q 1B栅极，经电阻R3接MOS管Q1B源极；MOS管Q1B 源极还接电容Cl及VCC，而MOS管Q1b漏极经电容C2接信号发射变压器T1初级，而信号发 射变压器T1次级接SEN探头，同时，M0S管Q 1A漏极接信号发射变压器T1次级。
【文档编号】G01S15/08GK204086534SQ201420398382
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年7月18日 优先权日:2014年7月18日
【发明者】刘丁阳, 王天福 申请人:同致电子科技（厦门）有限公司