1.一种可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极,其特征在于,二茂铁甲醛对M13噬菌体修饰,然后涂布到氨基化的ITO玻璃上得到修饰后的ITO电极。
2.一种制备权利要求1所述的可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的方法,其特征在于,二茂铁甲醛对M13噬菌体修饰,然后涂布到氨基化的ITO玻璃上得到修饰后的ITO电极。
3.根据权利要求2所述的制备可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤一:二茂铁甲醛对M13噬菌体的修饰:二茂铁甲醛溶解于二甲亚砜中,加入氰基硼氢化钠,与M13噬菌体室温下反应后,离心移去不溶物,渗析移去未反应物,得到二茂铁甲醛修饰的M13噬菌体混合液;
步骤二:ITO玻璃氨基化:ITO玻璃浸泡于3-氨丙基三乙氧基硅烷的无水乙醇溶液中,过夜得到氨基化的ITO玻璃;
步骤三:ITO电极:将步骤一制得的混合液均匀涂到氨基化的ITO玻璃上,4℃下保存即得修饰后的ITO电极。
4.根据权利要求2所述的制备可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的方法,其特征在于,步骤一中,先测试得到M13噬菌体的浓度,然后再加入二茂铁甲醛,二茂铁甲醛加入过量。
5.根据权利要求2所述的制备可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的方法,其特征在于,步骤二中,反应在光线充足的地方进行,氨基化的反应容器保持干燥。
6.根据权利要求2所述的制备可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的方法,其特征在于,步骤三中,涂抹采用电动马达拖动ITO,速度控制为5μm/s。
7.权利要求1所述的可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的应用方法,其特征在于,采用三电极形式,ITO电极为工作电极,铂为负电极,Ag/AgCl为参比电极,产电菌为希瓦氏菌。
8.根据权利要求7所述的可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的应用方法,其特征在于,所述的希瓦氏菌生长到对数生长期,OD600为0.5-0.6。
9.根据权利要求7所述的可以提高产电菌产电效率的修饰ITO电极的应用方法,其特征在于,三电极反应容器保持无菌无氧,反应过程中不断通入氮气。