1.一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，其特征在于：包括内部电路、复用端口模块、锁存模块、修调寻址模块、烧断控制模块、修调阵列模块；
所述内部电路，用于实现芯片功能和性能的主体电路，内部电路的输出端与所述复用端口模块相连；
所述复用端口模块的输出端口，分别与所述锁存模块、修调寻址模块和所述烧断控制模块相连，用于将所述芯片输出端复用为修调输入端口，用于输出寻址信号和烧断信号，并分别将寻址信号传送至所述锁存模块和修调寻址模块，将烧断信号传送至所述烧断控制模块；
所述锁存模块的输出端，与所述内部电路的输出端相连，根据所述寻址信号将内部电路的输出锁存为低电平；
所述修调寻址模块的输出端，分别与所述烧断控制模块和修调阵列模块的输入端相连，用于根据所述寻址信号，定位所述修调阵列模块中需要烧断的电阻；
所述烧断控制模块的输出端，与所述修调阵列模块的输入端相连，根据修调寻址模块所确定的需要烧断的电阻，结合复用端口输出的烧断信号，输出烧断控制信号，并传送至所述修调阵列模块；
所述修调阵列模块的输出端，与所述内部电路的输入端相连，为所述内部电路的修调提供可烧断电阻阵列，并依据所述烧断控制信号和寻址信号，完成相应可烧断电阻的烧断。
2.根据权利要求1所述的一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，其特征在于：所述复用端口模块包括电源、第一级状态控制支路、第二级状态控制支路、输出控制单元、复用端口保护单元；
所述电源，与所述第一级状态控制支路、第二级状态控制支路、输出控制单元、复用端口保护单元相连，用于供电；
所述第一级状态控制支路，与所述内部电路的输出端口、输出控制单元相连，用于根据所述内部电路的输出，控制所述输出控制单元的开启与关闭；
所述第一级状态控制支路的输入端与所述内部电路的输出端口相连，第一级状态控制支路的输出端与所述第二级状态控制支路的输入端相连，用于根据所述内部电路的输出，输出控制信号，控制所述第二级状态控制支路开启与关闭；
所述第二级状态控制支路的输出端，分别与所述复用端口保护单元的输入端、输出控制单元的输入端相连，用于根据所述第一级状态控制支路的输出控制信号，控制所述复用端口保护单元和输出控制单元的开启与关闭；
所述复用端口保护单元的输出端，与所述输出控制单元的输入端相连，用于根据所述第一级状态控制支路的输出控制信号，保护所述输出控制单元的输出端口；
所述输出控制单元的输出端口，分别与所述锁存模块、修调寻址模块、烧断控制模块相连，用于将所述芯片输出端复用为修调输入端口，输出修调控制信号，并将所述修调控制信号分别传送至所述锁存模块、修调寻址模块、烧断控制模块。
3.根据权利要求2所述的一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，其特征在于：所述第一级状态控制支路包括一P型场效应管和一N型场效应管；
所述P型场效应管的源极接所述电源，栅极与所述内部电路的输出端连接，漏极与所述输出控制单元的输入端连接；
所述N型场效应管的漏极与所述输出控制单元的输入端连接，栅极与所述内部电路的输出端连接，源极与接地信号相连。
4.根据权利要求3所述的一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，其特征在于：所述复用端口保护单元包括第一P型场效应管、第二P型场效应管、第一N型场效应管、第六P型场效应管和二极管；
所述第一P型场效应管的栅极接所述电源，源极与所述输出控制单元的输入端连接，衬底与所述二极管的负极连接，漏极接所述第六P型场效应管的漏极；
所述第二P型场效应管的栅极接所述电源，源极与所述第六P型场效应管的漏极连接，衬底与所述二极管的负极连接，漏极与所述第二级状态控制支路的输入端连接；
所述第一N型场效应管的栅极接所述电源，源极与接地信号连接，漏极与所述第二级状态控制支路的输入端连接；
所述二极管的正极与所述电源连接，负极分别与所述第一P型场效应管的衬底、第二P型场效应管的衬底；
所述第六P型场效应管的栅极接所述电源，漏极分别与所述第一P型场效应管的漏极和第二P型场效应管的源极相连，衬底和源极与所述二极管的负极连接。
5.根据权利要求4所述的一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，其特征在于：所述第二级状态控制支路包括第三P型场效应管、第四P型场效应管和第二N型场效应管；
所述第三P型场效应管的栅极接所述第二P型场效应管的漏极，源极接所述电源，衬底与所述二极管的负极连接，漏极接所述第四P型场效应管的源极；
所述第四P型场效应管的栅极接所述内部电路的输出端，源极与所述第三P型场效应管的漏极连接，衬底与所述二极管的负极连接，漏极与所述输出控制单元的输入端连接；
所述第二N型场效应管的栅极接所述内部电路的输出端，漏极与所述第四P型场效应管的漏极连接，源极与接地信号连接。
6.根据权利要求5所述的一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，其特征在于：所述输出控制单元包括一电阻、第三N型场效应管、第五P型场效应管；
所述第五P型场效应管的栅极分别与所述第一P型场效应管的源极、第四P型场效应管的漏极、第二N型场效应管的漏极相连，源极接所述电源，衬底接所述二极管的负极，漏极分别与所述第一P型场效应管的漏极、第二P型场效应管的源极、第六P型场效应管的漏极、输出控制单元的输出端口相连；
所述电阻的第一端作为所述输出控制单元的输出端和复用端口模块的输出端口，分别与所述第六P型场效应管的漏极、锁存模块的输入端、修调寻址模块的输入端、烧断控制模块的输入端连接，第二端接所述第三N型场效应管的漏极；
所述第三N型场效应管的栅极接所述第一级状态控制支路的输出端，漏极与所述电阻的第二端连接，源极与接地信号连接。
7.根据权利要求1所述的一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，其特征在于：所述内部电路包括偏置电路、霍尔盘、斩波放大器、失调消除比较电路、电压/温度/工艺补偿电路、迟滞控制电路、逻辑综合&时序控制电路、输出电路；
所述偏置电路输入口接所述修调阵列模块的输出，输出与所述霍尔盘连接，根据所述修调阵列模块的输出产生偏置电压和偏置电流，并传送至所述霍尔盘；
所述霍尔盘，与所述斩波放大器相连，用于感应外部的磁场，将磁场信号转化为电信号，所述霍尔盘根据所述偏置电路提供的偏置电压和偏置电流，采用电压偏置或电流偏置，通过旋转电流法将磁信号转为电信号输入到斩波放大器；
所述斩波放大器，与所述失调消除比较电路相连，用于放大所述霍尔盘感应磁场输出的电信号，并传送至所述失调消除比较电路；
所述失调消除比较电路，与所述斩波放大器输出的放大信号进行比较，并消除失调消除比较电路自身的失调电压，输出比较信号，并传送至所述逻辑综合&时序控制电路；
所述逻辑综合&时序控制电路，分别与所述迟滞控制电路、失调消除比较电路、斩波放大器、霍尔盘、输出电路相连，根据所述比较信号输出逻辑控制信号和时序控制信号，并将所述时序控制信号分别传送至所述迟滞控制电路、失调消除比较电路、斩波放大器、霍尔盘，将所述逻辑控制信号传送至所述输出电路；
所述输出电路，与所述复用端口模块相连，用于驱动所述逻辑控制信号，并传送至所述复用端口模块；
所述迟滞控制电路，与所述修调阵列模块、失调消除比较电路相连，根据所述时序控制信号和修调阵列模块的输出信号，产生迟滞控制信号，并传送至所述失调消除比较电路；
所述电压/温度/工艺补偿电路的输入口接所述修调阵列模块的输出，输出分别与所述偏置电路、斩波放大器、迟滞控制电路相连，根据修调阵列模块的输出信号，对偏置电路、斩波放大器增益、迟滞控制电路的迟滞量进行补偿。