1.一种砜类聚合物石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)石英晶体基片前处理：首先将石英晶体基片在紫外灯下照射,接着将其浸渍于十二烷基硫酸钠溶液中，之后置于超纯水中超声，超声结束后用超纯水充分漂洗石英晶体基片，最后用氮气吹干，待用；
2)聚合物溶液配制：将砜类聚合物与有机溶剂按质量百分比10—15％：85—90％的比例在40—70℃搅拌溶解，之后在室温条件下静置，得到均质砜类聚合物溶液，待用；
3)功能层涂覆：将步骤1)所得石英晶体基片安装于设有加热板的离心旋转平台上，然后将体积为7—10μL砜类聚合物溶液滴至石英晶体基片中心位置，并通过分段离心旋转、同时控制砜类聚合物溶液在石英晶体基片表面的温度方式，实现砜类聚合物溶液在石英晶体基片表面的相分离，最终得到涂覆有均匀砜类聚合物功能层的石英晶体芯片；
4)后处理：将步骤3)所得覆有砜类聚合物功能层的石英晶体芯片于170—190℃的真空环境中静置1—3min，取出用超纯水充分漂洗，最后用氮气吹干，即获得砜类聚合物石英晶体芯片。
2.根据权利要求1所述的一种砜类聚合物石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，将石英晶体基片在功率12W，波长为254nm的紫外灯下照射10—15min。
3.根据权利要求1所述的一种砜类聚合物石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，十二烷基硫酸钠溶液的质量浓度为5—10％，温度为20—30℃，石英晶体基片在十二烷基硫酸钠溶液中的浸渍时间为20—30min。
4.根据权利要求1所述的一种砜类聚合物石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，将石英晶体基片置于超纯水中超声2—5min。
5.根据权利要求1所述的一种砜类聚合物石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，将砜类聚合物与有机溶剂搅拌溶解4—10h，之后在室温条件下静置2—4h。
6.根据权利要求1所述的一种砜类聚合物石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，所述砜类聚合物为聚砜或聚醚砜；
所述有机溶剂为二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或N-甲基吡咯烷酮。
7.根据权利要求1所述的一种砜类聚合物石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，所述分段离心旋转过程为：首先在5—10℃的环境中，转速为1500—2000r/min的低速条件下，旋转2—8s后将转速提升至6500—8000r/min，并将石英晶体基片温度提升至65—70℃，继续旋转20—30s，得到覆有砜类聚合物功能层的石英晶体芯片。
8.一种权利要求1-7任一项方法制备的砜类聚合物石英晶体芯片的循环使用方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
1)将使用过后的砜类聚合物石英晶体芯片，首先在40—70℃的水合离子溶液中浸渍2—3h，对砜类聚合物功能层进行溶胀；
2)将步骤1)溶胀后的砜类聚合物石英晶体芯片于质量浓度为15—40％、温度为40—60℃的有机溶剂中超声10—20min,之后用超纯水充分漂洗；
所述有机溶剂为二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或N-甲基吡咯烷酮；
3)将步骤2)的砜类聚合物石英晶体芯片在温度为40—60℃、质量浓度为20—40％的丙酮溶液中超声5—10min，其后在40—60℃超纯水中继续超声5—10min，接着将其在质量浓度为2％的十二烷基硫酸钠溶液中浸渍10—20min，最后用超纯水充分漂洗，且用氮气吹干，即得到干净的石英晶体基片，可再次应用于砜类聚合物石英晶体芯片的制备。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的水合离子溶液为浓度为0.1—2mol/L的NaCl、LiCl或KCl溶液。