一种测量微量物质的方法与流程

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一种测量微量物质的方法与流程

本发明属于纳米半导体材料领域,具体涉及一种测量微量物质的方法。



背景技术:

微量物质检测技术对工程装备、环境安全、反恐活动及科学研究等十分重要。例如,在高功率固体激光装置中,微量的有机污染物就能严重影响光学元件性能,甚至引发光学元件的激光损伤,因此需要在线监测纳克量级的污染物;环境安全和反恐活动往往需要现场、实时、快速地检测有毒、易燃、易爆等危险的微量物质,以便进行数据的精确分析、预先采取预防措施,防患于未然。随着检测技术和设备的进步,检测的精度和灵敏度得到很大的提升,例如,利用高分辨透射电子显微镜,已能够检测原子大小的物质。然而,这些设备费用极其昂贵,结构非常复杂,工作环境要求苛刻,又需要专业的技术人员才能操作和分析,因此在一定程度上限制了其使用。研发一种价格相对便宜、结构较为简单的微量物质检测技术,是长期孜孜以求的目标。

薄层二硫化钼mos2材料是一种新型的功能材料,具有层状结构,单层mos2分子的厚度仅为0.7nm左右,其层与层之间通过较弱的范德华力结合。研究发现,薄层mos2材料的层数对其拉曼光谱有明显影响,例如,单层mos2拉曼光谱的e12g和a1g峰之间的频率差(δ)为18cm-1,而双层的达到21cm-1以上,仅一个分子层厚度的变化就会产生3cm-1的差异。

目前,有多种方法可以制备薄层mos2材料,如机械剥离、液相剥离、化学气相沉积、等离子体减薄、热蒸发减薄等,其中化学气相沉积法最具有优势,可以制备大面积高质量的薄层mos2材料,市场上已有薄层mos2的商品销售。拉曼光谱检测技术已发展得非常成熟,已有便携式高性能的拉曼光谱仪器在售卖。



技术实现要素:

本发明的目的是提出一种设备要求简单,能够检测微量物质的方法。本发明技术方案是在薄层mos2上吸附一层待检测的微量物质,这层材料不需要与mos2的原子形成离子键、共价键等强的作用,其与薄层mos2材料原子之间的范德华力作用就足以使mos2的频率差δ发生可观察的变化,δ的变化量与吸附材料的厚度、吸附材料与薄层mos2材料之间作用力的大小、性质等因素密切相关。通过检测mos2拉曼光谱的e12g和a1g峰之间的频率差δ,只要把δ与吸附微量物质的浓度或厚度等参量定标,就能通过δ的变化测量微量物质的含量。

本发明一种测量微量物质的方法,包括以下步骤:

1.清洗基片

清洗基片,除去基片表面的灰尘、油污等污染。

2.生长zno种子层

配置浓度为5-25mmol/l的醋酸锌乙醇溶液,将溶液滴加到基片上,并覆盖基片正面,等待10-30分钟后,干燥基片;重复上述过程5-15次后,对基片进行热处理,得到长有zno种子层的基片。

3.生长zno纳米棒阵列

将锌盐溶液和碱性溶液按zn+:ho-摩尔比=1:0.8~1.5的比例混合,并搅拌均匀;然后将长有zno种子层的基片正面朝下置于混合溶液中;在70-90℃的干燥箱中恒温放置5-12小时后,取出基片并清洗基片表面,得到生长有zno纳米棒的基片。

4.生长mos2辅助层

将长有zno纳米棒的基片浸入浓度为10-20mg/l的3,4,9,10-四羧酸酐(ptcda)辅助层溶液中5-15分钟,取出基片晾干,得到长有3,4,9,10-四羧酸酐(ptcda)辅助层的zno纳米棒基片。

5.在zno纳米棒上生长薄层mos2

称取质量比为1:4~6的三氧化钼粉(moo3)和硫粉(s),分别盛在两个容器内;将长有3,4,9,10-四羧酸酐(ptcda)的zno纳米棒基片正面朝下放置于载有moo3容器的上方且不与moo3接触;将载有moo3和s粉的容器置于石英管式炉内,载有moo3的容器位于石英管式炉加热区中心位置,载有s粉的容器位于加热区边缘,室温下,向石英管式炉以20-100sccm的流量通入惰性气体,排除管内的空气;保持通气条件下,使s粉处于气流的上方向,moo3处于气流下方向,石英管式炉在10-20分钟内快速升温至500-800℃,保温5-30分钟之后,自然冷却至室温,取出样品,获得zno纳米棒支撑的薄层mos2样品。

6.测量zno纳米棒支撑薄层mos2样品的拉曼光谱;

利用拉曼光谱仪测量样品的拉曼光谱,获得mos2的e12g与a1g振动模式的位置及其之间的频率差值,以δ1表示。

7.测量标准曲线

根据待测物质种类,配置不同浓度(σ)的该物质溶液;将zno纳米棒支撑的薄层mos2样品浸泡在不同浓度的溶液中,使待测物质吸附在zno纳米棒支撑的薄层mos2样品上。利用拉曼光谱仪测量经不同浓度的溶液处理后zno纳米棒支撑的薄层mos2样品的拉曼光谱,获得mos2的e12g与a1g振动模式的位置及其之间的频率差值,以δ2表示,由φ=δ2-δ1获得吸附待测物质前后频率差值的变化,做出σ与φ的标准曲线。根据具体测试要求,设定线性拟合的相关系数阈值r0及相对误差δ0,其中r0≤1,选取所述标准曲线上满足测试要求的一段曲线,对该段曲线做线性拟合,其线性相关系数r1不小于r0,相对误差δ1应不大于δ0;对所选取的该段曲线进行线性拟合得σ与φ的线性函数关系:

σ=kφ

其中k是与待测物质有关的比例系数。

8.测量待测物质。

将待测物质溶解成溶液,将zno纳米棒支撑的薄层mos2样品浸泡在该溶液中,使待测物质吸附在zno纳米棒支撑的薄层mos2样品上,然后利用拉曼光谱仪测量mos2的e12g与a1g振动模式的位置及其之间的频率差值δ2,由φ=δ2-δ1获得吸附待测物质前后频率差值的变化,根据σ=kφ求出待测物质浓度。

本发明的实质是将待测物质吸附在薄层mos2上,利用吸附前后薄层mos2拉曼光谱的变化来检测待测物质。

本发明提供的微量物质检测方法,其所需的zno纳米棒、薄层mos2材料的制备工艺简单,反应条件温和,原料和设备的成本较低;所使用的拉曼光谱仪器普及水平高,而且已有便携式产品。因此,本方法具有巨大的推广应用价值。

附图说明

图1为本发明工艺流程示意图;

图2为zno纳米棒支撑的薄层mos2的扫描电子显微镜图;

图3为zno纳米棒支撑的薄层mos2吸附rdx前后的拉曼光谱;

图4为rdx溶液浓度σ与φ的标准曲线。

具体实施方式

步骤一,依次在丙酮、乙醇、去离子水溶液中超声清洗硅基片15分钟以上,然后用空气吹干基片。

步骤二,配置醋酸锌的乙醇溶液(15mmol/l),吸取该溶液若干,滴加到硅基片正面(抛光面)上,使溶液覆盖住整个基片表面,等待10分钟后用空气把溶液吹干;再次在基片上滴加醋酸锌溶液,等待10分钟钟后吹干,重复该过程10次;然后,将基片于300℃热处理1小时,得到长有zno种子层的基片。

步骤三,将浓度同为50mmol/l的硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液以1:1比例混合,磁力搅拌20分钟以上,使溶液混合均匀。将长有种子层的基片置于混合溶液中,基片正面朝下,漂浮在混合溶液表面。最后,80℃的干燥箱中恒温生长6小时后,取出基片并用去离子水清洗表面,用空气吹干,得到长有zno纳米棒的基片。

步骤四,将长有zno纳米棒的基片浸入浓度为10mg/l的3,4,9,10-四羧酸酐(ptcda)溶液中5分钟,使ptcda吸附在zno纳米棒表面,取出基片晾干,得到长有辅助层的zno纳米棒样品。

步骤五,称取0.4g三氧化钼(moo3)和1.6g硫粉(s),分别盛在两个陶瓷舟内;将吸附了ptcda的zno纳米棒基片正面朝下支撑在载有moo3陶瓷舟的边缘上,基片位于moo3粉的正上方且不与moo3粉接触;将载有moo3和s粉的陶瓷舟置于石英管式炉内,载有moo3的陶瓷舟位于石英管式炉加热区中心位置,载有s粉的陶瓷舟位于加热区边缘,并处于气流上方向,两个陶瓷舟的间距为9cm;室温下,向石英管式炉以50sccm的流量通入氩气,通气10分钟以上,排除管内的空气;保持通气条件下,石英管式炉在15分钟内快速升温至650℃,并保持10分钟;之后自然冷却至室温,得到zno纳米棒支撑的薄层mos2样品。

步骤六,利用拉曼光谱仪测量zno纳米棒支撑的薄层mos2样品的拉曼光谱,获得e12g与a1g振动模式的位置及其之间的频率差值δ1。

步骤七,以黑索金rdx为例,配置不同浓度(σ)的rdx丙酮溶液,将zno纳米棒支撑的薄层mos2样品浸泡在不同浓度的溶液中1分钟,使rdx吸附在zno纳米棒支撑的薄层mos2样品上。利用拉曼光谱仪测量经不同浓度的溶液处理后zno纳米棒支撑的薄层mos2样品的拉曼光谱,获得mos2的e12g与a1g振动模式的位置及其之间的频率差值δ2,由φ=δ2-δ1获得吸附待测物质前后频率差值的变化,获得σ与φ的标准曲线。设定相关系数阈值r0=0.9,相对误差δ0=15%,选取所述标准曲线上满足测试要求的一段曲线:对该段曲线做线性拟合,其线性相关系数r1不小于r0,相对误差δ1应不大于δ0;本实施例中σ范围为0-0.8μmol/l,对所选取的该段曲线进行线性拟合得φ与σ的函数关系为:

σ=0.1007φ

相关系数r1=0.97,相对误差δ1=12%。

步骤八,将待测rdx溶解成溶液,将zno纳米棒支撑的薄层mos2样品浸泡在该溶液中,使待测物质吸附在zno纳米棒支撑的薄层mos2样品上,然后利用拉曼光谱仪测量mos2的e12g与a1g振动模式的位置及其之间的频率差值δ2,由φ=δ2-δ1获得吸附待测物质前后频率差值的变化,根据σ=0.1007φ求出待测物质浓度。例如,如果测得φ=0.4cm-1,则可以求出待测材料的浓度约为0.04μmol/l。

本发明首先利用水热法制备zno纳米棒阵列样品,然后利用化学气相沉积法在zno纳米棒表面生长薄层mos2材料,最终形成zno纳米棒支撑的薄层mos2材料,利用薄层mos2的两个拉曼振动峰e12g和a1g的间距δ作为探测参数,将待测微量物质吸附在薄层mos2材料上,利用拉曼光谱检测δ,根据δ的变化就可以检测待测物质的含量。图2是zno-薄层mos2的扫描电子显微镜图。图3是zno-薄层mos2吸附黑索金(rdx)前后的拉曼光谱,吸附后拉曼光谱发生了明显的变化,说明本发明的有效性。图4为rdx溶液浓度σ与φ的标准曲线,由图4看出,在低浓度情况下,σ与φ基本满足正比例关系,高浓度情况下,φ不再有明显的变化。

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