基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量装置及方法与流程

技术特征：

1.基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其测量装置包括网络分析仪、微带线和介质基片，微带线的两端设有高频SMA接头，网络分析仪的输入端和输出端分别与微带线的两个高频SMA接头相连接；所述微带线的填充介质为空气；所述测量方法的具体过程如下：

(1)先将未镀覆薄膜材料的介质基片竖直放置在微带线中部，网络分析仪采用扫频方式在微带线的端口测得输入反射系数和正向传输系数，获得一组系数数据；再将镀覆有薄膜材料的介质基片以同样的方式竖直放置在微带线中部，测得输入反射系数和正向传输系数，获得第二组系数数据；

(2)根据步骤(1)获得的两组系数数据再结合传输反射法，推算出未镀覆薄膜材料的介质基片的有效介电常数εRh与镀覆有薄膜材料的介质基片的有效介电常数εRs；

(3)利用以下公式计算薄膜材料的真实介电常数εrs：

其中，p为填充因子，是将电容转换为介电常数的系数，εrh是未镀覆薄膜材料的介质基片的真实介电常数。

2.根据权利要求1所述基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其特征在于，所述微带线的导体带为铜，其宽度为1.5毫米，高度为10毫米。

3.根据权利要求1所述基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其特征在于，所述介质基片为采用低介电常数材料制成的片状基片。

4.根据权利要求1所述基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其特征在于，所述薄膜材料为单层膜、多层膜或复合膜。

5.根据权利要求1所述基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其特征在于，所述薄膜材料的厚度为1-100微米。

6.根据权利要求1所述基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其特征在于，所述薄膜材料的介电常数大于介质基片的介电常数。

7.根据权利要求1所述基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其特征在于，所述薄膜材料通过蒸发、溅射、电泳或者溶胶-凝胶法镀覆在介质基片的表面。

8.根据权利要求1所述基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量方法，其特征在于，填充因子p通过全波电磁仿真软件HFSS获得。