一种耐高温型压力传感器的制作方法

文档序号:12253480阅读:418来源:国知局

本实用新型属于自动控制领域,具体涉及一种耐高温型压力传感器。



背景技术:

压力变送器广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。

扩散硅压力传感器由于核心部件硅片存在受温度变化后信号不准的固有问题,也由于常规不锈钢隔离膜压力传感器采用常规硅油,同时在常规温度范围-10~+80摄氏度内进行测量,限制了传感器的应用领域,在重点应用场合中,需要能够测量-50~+150摄氏度范围的压力,本专利主要利用能够承受这一高温的半导体压力测量硅片和硅油、基座等零部件和辅助材料,在这个温度范围进行测试标定,从而生产出能够耐高温的压力传感器,比应变式压力传感器、溅射薄膜压力传感器等测量范围从1兆帕以上量程扩大到100千帕以上量程,扩大了传感器的应用领域。

目前,现有的压力变送器均不耐高温,压力传感器在85℃以下工作时,各项性能参数都符合要求,性能稳定,但是当工作温度超过85℃时,压力传感线的性能和密封性就会不稳定,甚至造成传感器损坏。



技术实现要素:

实用新型目的:本实用新型针对上述现有技术存在的问题做出改进,即本实用新型公开了一种耐高温型压力传感器。

技术方案:一种耐高温型压力传感器,包括基座、销钉、芯片、陶瓷垫片、压环、膜片、导气管和镀金柯伐,

所述基座上设有所述导气管和所述镀金柯伐,

所述芯片粘设于基座的中部,在所述芯片的四周设有所述陶瓷垫片作为填充件,

所述压环与所述基座焊接,所述膜片通过所述压环与所述基座相互挤压固定,

所述基座设有充油孔,所述销钉与该充油孔插接。

进一步地,所述芯片为MEMS压力传感器芯片。

进一步地,所述基座上通过烧结的方式设有所述导气管和所述镀金柯伐。

有益效果:本实用新型公开的一种耐高温型压力传感器具有以下有益效果:

1、结构简单;

2、工作温度高达150℃,极大程度地提高了传感器的使用温度范围,满足了一些高温场所对传感器的耐高温要求。

附图说明

图1为本实用新型公开的一种耐高温型压力传感器的结构示意图;

其中:

1-基座 2-销钉

3-芯片 4-陶瓷垫片

5-压环 6-膜片

7-导气管 8-镀金柯伐

具体实施方式:

下面对本实用新型的具体实施方式详细说明。

如图1所示,一种耐高温型压力传感器,包括基座1、销钉2、芯片3、陶瓷垫片4、压环5、膜片6、导气管7和镀金柯伐8,

基座1上设有导气管7和镀金柯伐8,

芯片3粘设于基座1的中部,在芯片3的四周设有陶瓷垫片4作为填充件,

压环5与基座1焊接,膜片6通过压环5与基座1相互挤压固定,

基座1设有充油孔,销钉2与该充油孔插接。

进一步地,芯片3为MEMS压力传感器芯片。

进一步地,基座1上通过烧结的方式设有导气管7和镀金柯伐8。

上面对本实用新型的实施方式做了详细说明。但是本实用新型并不限于上述实施方式,在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。

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