本实用新型属于涡街流量计领域，尤其涉及一种可分别检测涡街信号与振动信号的一种抗振型涡街流量计传感器。
背景技术：
涡街流量计基于“卡曼涡街”原理，漩涡在漩涡发生体两侧交替产生，在发生体下游形成涡街。
旋涡分离的频率f与柱侧流速v成正比，与柱体宽度d成反比：
f＝St×v/d
v＝f×d/St
式中：St—斯特劳哈尔数,是与柱断面几何形状有关的无量纲常数，数值由试验确定。由于d和St是常数，而流速v与管内平均流速v0有固定关系(v0＝v/(1-1.25d/D))，测得旋涡分离频率f就测得管内平均流速v0，从而测得体积流量。
上面的涡街流量计通过压电探头检测流体流动产生的漩涡，其中漩涡的频率正比于流体的流量。由于涡街探头所处测量环境不同，会受到各种干扰信号的影响，如管道的振动、周围的电磁干扰等，探头灵敏度越高接收到的干扰信号越强。而传统的涡街流量计压电探头检测到的信号为涡街信号与振动信号的混合体，从信号中无法识别出干扰信号与涡街信号，从而无法做到准确测量，
虽然已有提出各种用于识别干扰信号与涡街信号的技术手段，但已有的技术手段或是都难于实现，或是与系统不兼容。由于涡街流量计安装环境中不可避免的有振动干扰，导致测量错误，因此还不能很好的解决现场振动干扰，极大地影响了涡街流量计的大规模、宽适应性使用。因此项目主要研究涡街探头的抗振方法，拟采用四线制技术，以解决涡街流量计的抗振问题。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种抗振型涡街流量计传感器，采用对称等质量设计，可以拾取振动和噪声信号，并且能够区别出涡街信号，解决现有的涡街流量计抗干扰能力差，灵敏度不高的问题，同时通过采用特别的封装技术，使产品的防水性更加可靠。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：
一种抗振型涡街流量计传感器，包括对称固定的上探头和下探头；
所述上探头中间设有上安装腔体，所述上探头一端设有与上安装腔体相贯通的第一线孔，所述上探头另一端设有第二线孔，所述上安装腔体中安装有上压电传感器，所述上压电传感器连接有上信号线，所述上信号线穿过第一线孔；
所述下探头中间设有下安装腔体，所述下安装腔体中安装有下压电传感器，所述下压电传感器连接有下信号线，所述下信号线穿过第二线孔。
进一步地，所述上探头和下探头质量相同，可以有效甄别振动信号和涡街信号。
进一步地，所述上探头和下探头之间采用焊接相连，既可以防止潮湿，又可以方便安装。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型采用对称等质量设计，可以拾取振动和噪声信号，并且能够区别出涡街信号，解决现有的涡街流量计抗干扰能力差，灵敏度不高的问题，同时通过采用特别的封装技术，使产品的防水性更加可靠；不仅可以保证能够很好的检测到振动等噪声信号，还可以很好的克服高湿环境中对传感器的性能的影响。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1是本实用新型的结构剖视图；
图中标号说明：1-上探头、2-下探头、3-上安装腔体、4-第一线孔、5-第二线孔、6-上信号线、7-上压电传感器、8-下安装腔体、9-下压电传感器、10-下压电传感器。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本实用新型。
如图1所示的一种抗振型涡街流量计传感器，包括对称固定的上探头1和下探头2，上探头1和下探头2质量相同，可以有效甄别振动信号和涡街信号，上探头1和下探头2之间采用焊接相连，既可以防止潮湿，又可以方便安装；
上探头1中间设有上安装腔体3，上探头1一端设有与上安装腔体3相贯通的第一线孔4，上探头1另一端设有第二线孔5，上安装腔体3中安装有上压电传感器7，上压电传感器7连接有上信号线6，上信号线6穿过第一线孔4；
下探头2中间设有下安装腔体8，下安装腔体8中安装有下压电传感器9，下压电传感器9连接有下信号线10，下信号线10穿过第二线孔5。
其中，上探头是用拾取噪声信号，下探头用于拾取流量信号，上探头拾取的噪声信号主要是用于拾取外界振动等噪声信号，这样就可以很好的区别下探头的流量型号中的噪声信号，并予以剔除，从而达到抗振的效果。
本实用新型采用对称等质量设计，可以拾取振动和噪声信号，并且能够区别出涡街信号，解决现有的涡街流量计抗干扰能力差，灵敏度不高的问题，同时通过采用特别的封装技术，使产品的防水性更加可靠；不仅可以保证能够很好的检测到振动等噪声信号，还可以很好的克服高湿环境中对传感器的性能的影响。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。