1.一种适应不同阻抗传感器内阻的励磁电路，包括可调电压源（U0）、H桥电路（U1）、运算放大器（U3）、MOS管和LPC1754微控制器（U2），其特征在于：所述可调电压源（U0）的Vin输入端连接电路的供电电源（VCC），可调电压源（U0）的Vout输出端与所述H桥电路（U1）的Vin输入端相连；所述H桥电路（U1）的Iout输出端与一号MOS管（M1）的漏极相连，H桥电路（U1）的Ctrl输入端接外部Ctrl控制信号，通过外部Ctrl控制信号控制H桥电路（U1）内部电流方向，H桥电路（U1）的ext+输出端和ext-输出端连接外部的电磁流量传感器；所述运算放大器（U3）的输入正端连接外部Vref基准电压，运算放大器（U3）的输入负端连接一号MOS管（M1）的源极，运算放大器（U3）的输出端连接一号MOS管（M1）的栅极，一号MOS管（M1）的源极通过一号电阻（R1）接地；所述LPC1754微控制器（U2）的Ain输入端连接一号MOS管（M1）的漏极，LPC1754微控制器（U2）的Aout输出端连接可调电压源（U0）的Vctrl输入端。
2.根据权利要求1所述的一种适应不同阻抗传感器内阻的励磁电路，其特征在于：所述H桥电路（U1），由反相器（U7）和二号MOS管（M2）、三号MOS管（M3）、四号MOS管（M4）、五号MOS管（M5）构成，所述二号MOS管（M2）的源极与四号MOS管（M4）的源极相连，并连接到H桥电路（U1）的Vin输入端；二号MOS管（M2）的漏极与三号MOS管（M3）的漏极相连，并连接到H桥电路（U1）的ext+输出端；三号MOS管（M3）的源极和五号MOS管（M5）的源极相连，并连接到H桥电路（U1）的Iout输出端；四号MOS管（M4）的漏极与五号MOS管（M5）的漏极相连，并连接到H桥电路（U1）的ext-输出端；二号MOS管（M2）的栅极与三号MOS管（M3）的栅极相连，并连接反相器（U7）的输出端；所述反相器（U7）的输入端连接H桥电路（U1）的Ctrl输入端；四号MOS管（M4）的栅极与五号MOS管（M5）的栅极相连，并连接反相器（U7）的输入端。
3.根据权利要求1所述的一种适应不同阻抗传感器内阻的励磁电路，其特征在于：所述可调电压源（U0），由GM7109电源芯片（U8）、二极管（D1）、二号电阻（R2）、三号电阻（R3）、电容（C1）和电感（L1）构成；其中GM7109电源芯片（U8）的Vi引脚连接可调电压源（U0）的Vin输入端，GM7109电源芯片（U8）的GND引脚、SD引脚都接地，GM7109电源芯片（U8）的Vo引脚通过电感（L1）连接到可调电压源（U0）的Vout输出端；二号电阻（R2）的一端连接可调电压源（U0）的Vout输出端，二号电阻（R2）的另一端分别与三号电阻（R3）的一端、GM7109电源芯片（U8）的FB引脚连接；三号电阻（R3）的另一端连接可调电压源（U0）的Vctrl输入端；二极管（D1）的阴极连接GM7109电源芯片（U8）的Vo引脚，二极管（D1）的阳极接地；电容（C1）的正极连接可调电压源（U0）的Vout输出端，电容（C1）的负极接地。