1.一种核临界事故的探测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：给核临界事故探测器通电，并完成初始化；
步骤S2：由MCU控制单元经DA模数转化单元分别向高压模块发出高压控制指令和低压控制指令，分别读取第一光电倍增管的AD数值PTM1以及第二光电倍增管的AD数值PTM2；同时读取电离室的AD数值ION及温度控制单元的温度值；
步骤S3：根据步骤S2中获取的温度值，由MCU控制单元判断是否进行温度补偿；若步骤S2中获取的温度值在MCU控制单元内设定的温度阈值之内，则将步骤S2获取的第一光电倍增管的AD数值PTM1、第二光电倍增管的AD数值PTM2以及电离室的AD数值ION进行处理，将处理后的数据经RS485串口发送给探头处理板；若步骤S2中获取的温度值不在MCU控制单元内设定的温度阈值之内，则先进行温度补偿，当温度升到MCU控制单元内设定的温度阈值之内，则将步骤S2获取的第一光电倍增管的AD数值PTM1、第二光电倍增管的AD数值PTM2以及电离室的AD数值ION进行处理；
步骤S4：根据步骤S3中处理的数值，将第一光电倍增管的AD数值PTM1、第二光电倍增管的AD数值PTM2、电离室的AD数值ION进行判断，并将判断结果经RS485串口发送给探头处理板；
其判断逻辑为：
①发送PTM1探测器数据需满足
PTM2<3mGy/h和ION<1Gy/h
②显示PTM2探测器数据需满足
PTM2>4mGy/h和ION<1Gy/h
③显示ION探测器数据需满足
PTM2>1Gy/h或者ION>5Gy/h。
2.根据权利要求1中核临界事故的探测方法的探测器，其特征在于，包括MCU控制单元，该MCU控制单元通过DA单元连接高压电源，该高压电源分别连接第一光电倍增管及第二光电倍增管，所述第一光电倍增管及第二光电倍增管分别经过I/V单元以及AD单元连接MCU控制单元，所述MCU控制单元与电离室通过I/V单元以及AD单元连接，所述MCU控制单元连接温度控制单元。