技术总结
本发明提供了一种临界事故探测器，包括MCU控制单元，该MCU控制单元通过DA单元连接高压电源，该高压电源分别连接第一光电倍增管及第二光电倍增管，所述第一光电倍增管及第二光电倍增管分别经过I/V单元以及AD单元连接MCU控制单元，所述MCU控制单元与电离室通过I/V单元以及AD单元连接，所述MCU控制单元连接温度控制单元。一种核临界事故的探测方法，包括如下步骤：步骤S1：通电初始化；步骤S2：PTM1 PTM2；ION及温度控制单元的温度值的采集，步骤S3：判断是否进行温度补偿以及数值处理步骤S4：根据步骤S3中处理的数值，将PTM1、PTM2、ION进行判断，并将判断结果经RS485串口发送给探头处理板。
技术研发人员：曲广卫;邸甲峻;张振羽;马红艳;刘辉;辛元娟;曲锐
受保护的技术使用者：陕西卫峰核电子有限公司
文档号码：201710054029
技术研发日：2017.01.24
技术公布日：2017.06.13