技术特征：
技术总结
本发明公开了一种太赫兹波探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，并在双势垒结构两侧对称生长隔离层、发射区层或电极接触层。其制作工艺包括：利用光刻和ICP刻蚀在材料上刻蚀出直径为4微米，高200纳米的共振隧穿二极管微柱结构，并光刻和ICP刻蚀出三角形台面，通过等离子体增强化学气相沉积法进行钝化保护以及ICP刻蚀SiO2制作出蝶形天线槽，并通过光刻、电子束热蒸发镀膜技术在重掺杂的缓冲层上依次热蒸发钛铂金金属，形成欧姆接触的蝶形天线电极。本发明利用了共振隧穿二极管高频、高速、低功耗、负阻的特点，且共振隧穿二极管采用常规集成电路工艺制作即可，应用于太赫兹波探测过程中，具有技术简单、可靠等优点。
技术研发人员：李金伦;崔少辉;倪海桥;牛智川
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2017.04.28
技术公布日：2017.09.22