技术总结
本实用新型涉及电机驱动领域，特别涉及一种IGBT饱和压降检测电路。本实用新型提供的IGBT饱和压降检测电路可通过设置第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1值决定报警电压阈值，同时通过第四电阻R4和第一电容C1调整报警时间，只有超过阈值的极间电压存在时间超过报警时间，本电路的输出端口才会输出报警信号至控制器（如驱动光耦）。
技术研发人员：涂光炜
受保护的技术使用者：四川埃姆克伺服科技有限公司
文档号码：201720013688
技术研发日：2017.01.06
技术公布日：2017.09.12