一种齿中齿大功率电池探针主体的制作方法

文档序号:14565148发布日期:2018-06-01 19:23阅读:203来源:国知局
一种齿中齿大功率电池探针主体的制作方法

本实用新型涉及电子元件领域,特别涉及一种齿中齿大功率电池探针主体。



背景技术:

传统的大电流探针的电流针的齿形设计都是四面金字塔形,且其齿形设计均为非常尖的类针设计,其目的在于能刺破电池极的氧化层。而当前电池行业的电池化成、充放电电流越来越大;电池极柱由于受到其结构的限制不能放大反而缩小。

缩小的电极极柱导致传统大电流探针在对电池充放电的时候,没有最够大的接触面积,不能很好的使探针外套与电池极柱保持一个较优的传电面积。

如果强行增加其接触导电面积需要增加探针外套的按压力量,使之能更深的刺入电池极柱,是可以增大接触面积,但是这样带来的后果是给电池极柱一个很深的刺痕,对极柱的伤害很大。



技术实现要素:

本实用新型为解决上述问题,提供一种齿中齿大功率电池探针主体,在增大接触面积的情况下不伤害电池极柱,同时还能在大电流传输过程中,起到更优的散热效果。

本实用新型还能组合电压测试探针,实现电流传输和电压测试的一体进行。

为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种齿中齿大功率电池探针主体,包括探针本体,探针本体由前至后依次为探针面、弹簧固定端和后端面,探针面上设有多个接触端,接触端为铣出的上端面面积小于下端面面积的金字塔形承台结构,且上端面上同向铣有V型凹槽,并在上端面边缘形成线性齿;

进一步地,探针本体内部中空,且在探针面上预留有圆形通孔。

进一步地,弹簧固定端前端直径稍大且铣有两道凹槽。

本实用新型工作原理及其优点如下:

探针本体接触到待测物时,接触端与待测物之间形成一个表面接触力,具体的,线性齿与待测物的极柱之间形成一个表面接触力,由线性齿划破极柱表层的氧化层后,该线性齿作为线接触面与极柱接触,达到大电流传输的效果。

众所周知,不同导通截面积可以传输的电流是不一样的,导通截面积越大,其传输的电流越大,电流传输过程中的热量散发也会较好,本结构中的导通面积是以线性齿刺破氧化层后与极柱接触面积计算,较传统的探针结构,在相同的压入深度下,以压入深度为0.1mm,区别仅在于线性齿和尖齿来计算,本结构的导通截面积为0.15mm2,而传统结构的导通截面积为0.034mm2 ,故线性齿在同样刺入深度的条件下,接触面积比传统探针结构要大,从而传输的电流越大。

同时,在齿尖强度上,线性齿较传统结构强度高、寿命长、耐磨度高。

而在大电流传输过程中,探针本体会毫无疑问的产生热量,弹簧固定端前端直径稍大部分作为散热区域,铣有两道凹槽,能够增大探针本体的散热面积,达到较优的散热效果。

综上所述,本实用新型具有如下优点:

1、线性齿能够在实现对电池极柱伤害较小的情况下增大接触面积,保证电流传输的效果。

2、线性齿相对传统的针尖状接触端,接触面积更大,不易磨损,强度高,使用寿命长。

3、探针本体内部中空,探针面上预留圆形通孔,能够组合电压测试探针,实现电流传输和电压测试的一体进行。

4、探针本体铣有两道凹槽,能够增大探针本体的散热面积,达到较优的散热效果。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是接触端结构示意图。

其中:

探针本体1;接触端2;线性齿3;探针面11;弹簧固定端12;后端面13;凹槽121;上端面21;下端面22;V型凹槽23。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:

实施例1:

一种齿中齿大功率电池探针主体,如附图1所示,探针本体1由前至后依次为探针面11、弹簧固定端12和后端面13,探针本体1内部中空,且在探针面1上预留有圆形通孔14,以此探针本体1内可以装载电压测试探针,实现电流和电压探针的一体设计,弹簧固定端12前端直径稍大且铣有两道凹槽121,具体的,在大电流传输过程中,探针本体1会毫无疑问的产生热量,弹簧固定端12前端直径稍大部分作为散热区域,铣有两道凹槽121,能够增大探针本体1的散热面积,达到较优的散热效果。

进一步参照附图1并结合附图2,探针面11上设有多个接触端2,接触端2为铣出的上端面21面积小于下端面22面积的金字塔形承台结构,且上端面21上同向铣有V型凹槽23,并在上端面21边缘形成线性齿3。

结合探测过程,探针本体1接触到待测物时,接触端2与待测物之间形成一个表面接触力,具体的,线性齿3与待测物的极柱之间形成一个表面接触力,由线性齿划破极柱表层的氧化层后,该线性齿3作为线接触面与极柱接触,达到大电流传输的效果。

在此值得一提的是,本结构形式为齿中齿结构,即先铣有金塔形的接触端2,再在其上端面21上铣出线性齿3。

上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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