一种三孔缝结构的传感器的制作方法

本发明涉及传感器领域，具体涉及一种三孔缝结构的传感器。

背景技术

法诺共振是共振现象的一种，其具有非对称的谱线形状，能显著提高器件的传感性能，近年来，人工电磁超材料在国际电磁学领域引起了广泛关注，其中，基于人工电磁超材料的法诺共振，更是成为此领域中一个新的热点。法诺共振是超材料中的重要谐振特性，它是由宽谱的明模式以及窄谱的暗模式相互干涉形成的，而暗模式也称亚辐射模式，是由入射电磁波的频率不等于偶极子谐振的固有频率，从而激励电磁波无法与偶极子直接耦合所引起的；明模式也称超辐射模式，是指内中的三个偶极子的同相振荡模式，其辐射损耗极高，这是由入射电磁波的频率恰好等于偶极子谐振的固有频率从而激励电磁波与偶极子直接耦合所引起的。

为了解决目前三孔缝结构的传感器性能中谱宽过大的技术问题。基于法诺共振现象，本发明将提供一种三孔缝结构的传感器，可以产生法诺共振现象，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是现有技术中存在的三孔缝结构的传感器性能差、谱宽所需大的技术问题。提供一种新的三孔缝结构的传感器，该三孔缝结构的传感器具有能够产生法诺谐振现象，提高器件的传感性能、在相同的开关对比度情况下，这种非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度的特点。该三孔缝结构的传感器可以放置于硅/石英/聚酰亚胺衬底之上，也可以置于光纤端面上，进而实现thz传感器的可用性。

为解决上述技术问题，采用的技术方案如下：

一种三孔缝结构的传感器，三孔缝结构的传感器包括厚度小于工作波长10^-3倍厚的超表面；所述超表面的形状为规则几何形状，超表面内平行等间距对称的设置有三个矩型孔缝；所述超表面的材质为金属。

本发明中的集合形状包括正六边形、正方形、三角形、矩形，材质可以是为金/银/铜等金属导体。超表面内平行等间距对称地设置有三个矩形孔缝，它们的长度可以互不相等、一个靠近边缘的孔缝长度不等于另两个相同尺寸的孔缝长度、两侧相同尺寸孔缝的长度与中间孔缝长度不等、孔缝长度相等。由现有的缩比定理，等比例地改变本发明中的结构参数尺度，能实现传感器中谐振频率频段的相应变化。

上述方案中，为优化，进一步地，所述规则几何形状为正方形，所述三个矩型孔缝的长度相同。正方形超表面内平行等间距对称地设置有三个矩形孔缝，它们的长度可以互不相等、一个靠近边缘的孔缝长度不等于另两个相同尺寸的孔缝长度、两侧相同尺寸孔缝的长度与中间孔缝长度不等、孔缝长度相等。

上述方案中，进一步地，在参数固定为w＝6μm，d＝10μm,p＝50μm,t＝1μm，h＝30μm时，得到明、暗模式的电场ex图。从明模式电场ex图可知，三个偶极子的振荡呈同相模式，从明模式电场ex图可知，三个偶极子的振荡呈失相模式。

进一步地，在其他参数固定为上述情况时，所述矩形孔缝的宽度为5.2μm≤w≤7.4μm。可知随w的增加，明模式的位置无变化，暗模式的位置出现了轻微蓝移。

进一步地，在其他参数固定为上述情况时，所述矩形孔缝的间距为7.3μm≤d≤13μm。可知随d的增加，明模式的位置出现显著红移，暗模式的位置出现了明显蓝移。

进一步地，在其他参数固定为上述情况时，所述矩形孔缝的长度为20μm≤h≤42μm。可知随h的增加，明、暗模式的位置均出现了显著红移。

本发明的有益效果：本发明的三孔缝结构的传感器能够产生法诺谐振效应，超表面内包括三个偶极子谐振器，超表面中位于三个孔缝中的谐振偶极子相互耦合，进而形成偶极子集体振荡的情况，从而产生非对称的相应谱线型，得到法诺共振现象，由该传感器中透射谱具有法诺共振现象的陡的非对称的响应谱线型，透射系数能迅速从非对称的谱线的波峰下降到波谷，在相同的开关对比度情况下，这种非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小得多，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。因而此种陡峭的非对称的相应谱线型在波分复用器、光开关、传感器等领域均有极为重要的应用。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1，实施例1中的三孔缝结构的传感器示意图；

图2，矩形孔缝的宽w变化时的测试结果示意图；

图3，矩形孔缝之间间距d变化时的测试结果示意图；

图4，矩形孔缝长度h变化时的测试结果示意图。

图5，法诺谐振现象的明模式下的电场ex图。

图6，法诺谐振现象的明模式下的电场ex图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

本实施例提供一种三孔缝结构的传感器，如图1，包括正方形超表面，正方形超表面材质为金/银/铜等金属，正方形超表面内平行设置有三个相同且对称的矩形孔缝。

其中，本实施例定义如下：

矩形孔缝的长为h，宽为w，矩形孔缝之间间距为d。图1为二维结构，三孔缝结构的传感器边长为p，电磁波入射波矢k沿-z方向。电磁波自空气入射这一单元形成波在两种不同介质的传输的情形，电磁波沿波矢k入射，电场e沿x轴方向，磁场h位于yoz面且与波矢k、电场e均垂直。

本实施例采用基于有限元法的仿真软件进行模型建立、数值与解析计算。

具体地，建立结构参数为d＝10μm，h＝30μm，p＝50μm,t＝1μm的超表面滤波器模型，同时对参数w进行步进仿真。使用基于有限元法的仿真软件进行数值与解析计算，结果如图2，为透射系数与频率的关系图。

从图2可以看出，随着w以步长0.1μm从5.2μm增加到7.4μm，可见透射系数峰值均稳定的趋于1。法诺谐振透射谷的位置不随w的改变而变化，是稳定于f0＝4.4thz处(图中以dip及点画线表示)。而透射峰的位置随w的增加而发生轻微的蓝移(图中以peak及实线表示)，即w增大，透射峰所在频率增大。如图5，也就是说，随着w的增大，明模式位置保持不变，而暗模式位置发生了蓝移，如图6。为描述暗模式蓝移的快慢，本实施例定义调谐灵敏度s＝δf/δw，计算出s＝0.05thz/μm＝50ghz/μm。

实施例2

本实施例是在实施例1的结构上建立结构在参数h＝30μm，w＝6μm，p＝50μm，t＝1μm的三孔缝结构的传感器模型结构，同时对参数d进行步进仿真。

使用基于有限元法的仿真软件进行数值与解析计算，结果如图3，为参数d变化时透射系数与频率的关系图。

图3中，表征了不同d时透射系数与频率的关系：d不同时均有明显的法诺共振现象，透射谷频率随d的变化而变化，透射谷的位置出现了几乎线性的红移(图中以dip及黑色点画线表示)：即d增大，透射谷频率减小。

另外，从图3可知，随着d的增加出现了透射谷几乎线性的红移(图中以dip及黑色点画线表示)，即法诺共振中的明模式的位置发生了红移，而d增大，透射谷频率增大(图中以dip及黑色点画线表示)，即暗模式的位置随着d的增加发生了蓝移。

但是本实施例中，暗模式的红移占主要部分。

为描述本实施例中明模式的红移快慢，本实施例定义调谐灵敏度s1＝-δf/δd，计算出s1＝0.09thz/μm＝90ghz/μm。为描述本实施例中暗模式的蓝移快慢，本实施例定义调谐灵敏度s2＝δf/δd，计算出s2＝0.083thz/μm＝83ghz/μm。综上，能够得出本实施例中，参数d对法诺谐振的透射峰频率很敏感。

实施例3

本实施例是在实施例1的结构上建立结构在参数w＝6μm，d＝10μm，p＝50μm,t＝1μm的三孔缝结构的传感器模型结构，同时对参数h进行步进仿真。

使用基于有限元法的仿真软件进行数值与解析计算，结果如图4，为透射系数与频率的关系图。

图4表征了不同h的透射系数与频率的关系图。如图4，为h和谐振频率的透射特性关系。随h的改变发生法诺谐振透射谷的红移(图中以dip及点画线表示)，随着h的增加出现了透射峰位置的红移(图中以peak及实线表示)，上述规律依次表明法诺共振中的明、暗两种模式的位置均发生了红移，且两者红移的快慢大致相同。

为描述本实施例中明模式的红移快慢，本实施例定义调谐灵敏度s1＝-δf/δh，计算出s1＝0.141thz/μm＝141ghz/μm。为描述本实施例中暗模式的红移本实施例定义调谐灵敏度s2＝δf/δh，计算出s2＝0.0925thz/μm＝92.5ghz/μm。对比实施例1-3中的结果，可知参数h对法诺谐振的透射谱谐振频率更敏感。

由于透射谱具有法诺共振现象的陡的非对称的响应谱线型，透射系数能迅速从非对称的谱线的波峰下降到波谷，实施例3的非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比实施例2的更小。

尽管上面对本发明说明性的具体实施方式进行了描述，以便于本技术领域的技术人员能够理解本发明，但是本发明不仅限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员而言，只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本发明精神和范围内，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。