1.一种中子探测装置，其特征在于，包括输出头、连接件、探测件以及外壳，所述输出头固定安装于所述外壳上，所述连接件和所述探测件安装于所述外壳内，所述连接件分别与所述输出头和所述探测件连接；
所述探测件用于采集电信号；
所述连接件用于将所述电信号传输至所述输出头。
2.如权利要求1所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述连接件包括底端和顶端，所述底端横截面积大于所述顶端横截面积，所述底端与所述探测件连接，所述顶端与所述输出头连接。
3.如权利要求1所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述连接件设置有孔洞，所述孔洞与所述输出头配合。
4.如权利要求1所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述输出头包括针芯、第一绝缘层以及第一外壳层，所述第一绝缘层和所述第一外壳层由内向外依次设置于所述针芯中部，所述针芯一端与所述连接件连接，所述第一外壳层与所述外壳连接。
5.如权利要求1所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述探测件采用CVD金刚石。
6.如权利要求1所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述中子探测装置还包括固定环，所述固定环与所述连接件连接，用于将所述探测件夹持于所述固定环与所述连接件之间。
7.如权利要求6所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述固定环包括相互连接且同轴设置的第一圆环和第二圆环，所述第一圆环的外径与所述第二圆环的外径相等，所述第一圆环的内径小于所述第二圆环的内径，所述第一圆环在其与所述第二圆环的连接处设置有一阶梯面，所述探测件安装于所述阶梯面处，所述连接件和所述探测件连接的一端与所述第二圆环的内壁过盈配合。
8.如权利要求6所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述中子探测装置还包括压环，所述压环沿径向由内至外设有依次连接的压块、连接部及外接环，所述压块穿过所述固定环与所述探测件连接，所述外接环与所述外壳连接。
9.如权利要求8所述的一种中子探测装置，其特征在于，所述压块上设置有通孔，所述通孔与所述压块同轴设置，所述通孔穿过所述固定环与所述探测件连接。
10.一种中子探测系统，其特征在于，包括中子探测装置、电子学装置、中子源装置，所述中子探测装置包括输出头、连接件、探测件以及外壳；所述中子探测装置安装于所述中子源装置中，所述输出头固定安装于所述外壳上，并与所述电子学装置连接；所述连接件和所述探测件安装于所述外壳内，所述连接件分别与所述输出头和所述探测件连接；
所述探测件用于采集所述中子源装置产生的电信号；
所述连接件用于将所述电信号传输至所述输出头，以传输至所述电子学装置进行分析处理，以得到中子数据。