本实用新型提供了一种抑制高频发射信号尖峰的装置，是电磁探测发射系统的配套设备，主要应用于探测信号的优化。
背景技术：
伴随着科学技术的不断发展和人类社会的不断进步，运用电磁法进行地质勘探、资源勘探、城市建设以及军事探测等方面已是大势所趋。相对于其他勘测手段，如重力勘探、弹性波勘探等，电磁勘探是通过测量介质的各类电性参数和磁性参数来判断地下构造和物质的成分组成。通过人造场激发地下物质产生二次场信号，通过采集二次场信号进行分析后得到地下物质的构造、组成等信息。
目前，国内外的电磁探测发射系统功率较大，均已达到10kW级别，然而，发射频率却较低，大多属于低频波段。
因此，如何在保证高频发射的情况下，还能抑制高频发射信号的电压尖峰，成为人们亟待解决的问题。
技术实现要素：
鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种抑制高频发射信号尖峰的装置，以解决现有电磁探测的发射频率较低，高频电磁发射机的实际应用能力差等问题。
本实用新型提供的技术方案是：一种抑制高频发射信号尖峰的装置，包括：驱动控制系统和逆变桥路，驱动控制系统包括第一驱动芯片IR2110、第二驱动芯片IR2110，第一驱动芯片IR2110的HIN管脚和第二驱动芯片IR2110的LIN管脚相连后与10-50kHz频率可调相位为0°的方波信号连接，第一驱动芯片IR2110的LIN管脚和第二驱动芯片IR2110的HIN管脚相连后与10-50kHz的频率可调相位为180°的方波信号连接，两路输入信号的频率一致，第一驱动芯片IR2110和第二驱动芯片IR2110的VCC管脚、 VB管脚、VS管脚之间构成自举电路，其中，所述自举电路包括连接于VB 管脚和VS管脚之间的0.22uF独石电容和连接于VCC管脚和VB管脚之间的MUR8100快恢复二极管，VCC管脚与+15V稳压电源连接，VCC管脚和GND管脚之间接1uF电容，然后与逆变桥路的地相连，VDD管脚和VSS 管脚之间接0.22uF电容，VDD管脚的上端与VCC管脚连接，VSS管脚下端连控制信号的地，HO管脚和LO管脚为输出端口，与逆变桥路连接，逆变桥路由+72V电源驱动，包括型号为IRFP450的MOS管M1、M2、M3、 M4，其中，M1和M2的栅极分别经22Ω电阻与第一驱动芯片IR2110的 HO管脚和LO管脚连接，M3和M4的栅极分别经22Ω电阻与第二驱动芯片IR2110的HO管脚和LO管脚连接，M1、M2、M3、M4均并联一个IN4007 二极管，IN4007二极管均并联一个由5uF的无感电容和MUR8100快恢复二极管组成的串联电路，M1和M3和源极分别与第一驱动芯片IR2110和第二驱动芯片IR2110的VS管脚连接，M1和M3的MUR8100快恢复二极管与5uF的无感电容之间引出后分别经5Ω电阻与地相连，M2和M4的 MUR8100快恢复二极管与5uF的无感电容之间引出后分别经5Ω电阻与 +72V电源的正极相连。
本实用新型提供的抑制高频发射信号尖峰的装置，可以降低逆变桥路器件的电压应力，提高输出波形质量，提升高频电磁探测信号质量，并降低电磁干扰，使高频发射系统的电压尖峰问题得到较好的解决，提升高频电磁发射机的实际应用能力。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
图1为本实用新型提供的抑制高频发射信号尖峰的装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施方案对本实用新型进行进一步的解释，但并不局限本实用新型。
如图1所示，本实用新型提供了一种抑制高频发射信号尖峰的装置，包括：驱动控制系统和逆变桥路，驱动控制系统包括第一驱动芯片IR2110、第二驱动芯片IR2110，第一驱动芯片IR2110的HIN管脚和第二驱动芯片 IR2110的LIN管脚相连后与10-50kHz频率可调相位为0°的方波信号连接，第一驱动芯片IR2110的LIN管脚和第二驱动芯片IR2110的HIN管脚相连后与10-50kHz的频率可调相位为180°的方波信号连接，两路输入信号的频率一致，第一驱动芯片IR2110和第二驱动芯片IR2110的VCC管脚、 VB管脚、VS管脚之间构成自举电路，其中，所述自举电路包括连接于VB 管脚和VS管脚之间的0.22uF独石电容和连接于VCC管脚和VB管脚之间的MUR8100快恢复二极管，VCC管脚与+15V稳压电源连接，VCC管脚和GND管脚之间接1uF电容，然后与逆变桥路的地相连，VDD管脚和VSS 管脚之间接0.22uF电容，VDD管脚的上端与VCC管脚连接，VSS管脚下端连控制信号的地，HO管脚和LO管脚为输出端口，与逆变桥路连接，逆变桥路由+72V电源驱动，包括型号为IRFP450的MOS管M1、M2、M3、M4，其中，M1和M2的栅极分别经22Ω电阻与第一驱动芯片IR2110的 HO管脚和LO管脚连接，M3和M4的栅极分别经22Ω电阻与第二驱动芯片IR2110的HO管脚和LO管脚连接，M1、M2、M3、M4均并联一个IN4007 二极管，IN4007二极管均并联一个由5uF的无感电容和MUR8100快恢复二极管组成的串联电路，M1和M3和源极分别与第一驱动芯片IR2110和第二驱动芯片IR2110的VS管脚连接，M1和M3的MUR8100快恢复二极管与5uF的无感电容之间引出后分别经5Ω电阻与地相连，M2和M4的 MUR8100快恢复二极管与5uF的无感电容之间引出后分别经5Ω电阻与 +72V电源的正极相连。
该抑制高频发射信号尖峰的装置，在第一驱动芯片IR2110和第二驱动芯片IR2110上构成自举电路，并使VS管脚分别与上桥臂MOS管M1和 M3的源极连接，作为驱动电压的参考点，自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压提供对上桥臂的驱动，就能够使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通，10-50kHz的输入信号频率，使探测信号从普遍使用低频信号进入高频领域；逆变桥路中RCD缓冲电路的使用，极大的削弱了电压信号的尖峰现象，提高了波形质量。
本实用新型的具体实施方式是按照递进的方式进行撰写的，着重强调各个实施方案的不同之处，其相似部分可以相互参见。
上面结合附图对本实用新型的实施方式做了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。