1.一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，包括高压电源、储能电容、调制器、微波管、管体电流支路、收集极电流支路、管体电流调整电路；
高压电源与储能电容连接，储能电容与调制器连接，调制器与微波管的阴极连接；微波管的管体与管体电流调整电路连接，管体电流调整电路与管体电流支路连接；微波管的收集极与收集极电流支路连接；管体电流支路和收集极电流支路分别与储能电容连接。
2.根据权利要求1所述的一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，
所述高压电源E1的负端分别与储能电容C1的一端和调制器Q1的一端连接；调制器Q1的另一端与微波管的阴极连接；微波管的管体与管体电流调整电路S3的一端连接，并连接大地；管体电流调整电路S3的另一端与管体电流支路S1的一端连接；微波管的收集极与收集极电流支路S2的一端连接；管体电流支路S1的另一端和收集极电流支路S2的另一端共同连接至储能电容C1的另一端，再与高压电源E1的正端连接。
3.根据权利要求2所述的一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，所述管体电流调整电路S3是一个闭环系统，包括分压网络S31、误差放大器和补偿网络S32、功率放大电路S33和调整开关S34；所述分压网络S31为分压电路，一端连接C1的负端或微波管阴极，另一端连接大地；S31采样C1相对大地的电压，并将合适大小的取样电压送给误差放大器和补偿网络S32；误差放大器和补偿网络S32将S31送来的取样电压，与基准电压Vref进行比较，输出误差放大信号；功率放大电路S33将补偿网络S32送来的误差放大信号，进行功率放大，送给调整开关S34，作为调整开关的驱动信号；调整开关S34中采用绝缘栅双极晶体管IGBT或金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET作为调整开关管，一端与管体电流支路连接，另一端与微波管的管体连接。
4.根据权利要求3所述的一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，所述分压网络S31包括分压电阻R1～Rn和分压电容C1～Cn；电阻R1和电容C1并联，电阻R2和电容C2并联，类似地，直至电阻Rn和电容Cn并联，然后，所有并联的电阻和电容再依次串联；电阻R1未连接的一端为连接点P11，电阻Rn-1和电阻Rn的公共连接点为P12，电阻Rn未连接的一端为连接点P13；连接点P11连接储能电容C1负端或微波管阴极，连接点P13连接大地；连接点P12的取样电压根据储能电容C1两端电压实时变化。
5.根据权利要求3所述的一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，所述误差放大器和补偿网络S32包括电阻R21、R22、R23，电容C21、C22、C23，运算放大器N21和基准电压Vref；电阻R21和电容C21串联后，再与电阻R22并联，并联后的电路一端为连接点P21，另一端连接运算放大器N21的反相输入端；电阻R23和电容C23串联后，再与电容C22并联，并联后的电路一端连接运算放大器N21的反相输入端，另一端连接运算放大器N21的输出端；基准电压Vref连接运算放大器N21的同相输入端，运算放大器N21的输出端为连接点P22；连接点P21与分压网络S31电路中的连接点P12连接。
6.根据权利要求3所述的一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，所述功率放大电路S33包括NPN三极管V31、PNP三极管V32、辅助电压+15V和-15V；三极管V31的基极和三极管V32的基极连接，连接点为P31；三极管V31的集电极与辅助电压+15V连接，三极管V32的集电极与辅助电压-15V连接；三极管V31的发射极和三极管V32的发射极连接，连接点为P32；连接点P31与误差放大器和补偿网络S32中的连接点P22连接，连接点P32与调整开关S34中调整开关管的门极连接。
7.根据权利要求3所述的一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，所述调整开关S34包括开关组件K41、电容组件C41、电阻组件R41以及瞬态抑制二极管组件V41；所述开关组件K41、电容组件C41、电阻组件R41和瞬态抑制二极管组件V41并联后，一端作为连接点P41，另一端作为连接点P42；连接点P41与储能电容的另一端连接，连接点P42与微波管管体连接。
8.根据权利要求7所述的一种改善发射信号稳定性的电路,其特征在于，所述开关组件K41为单个大功率开关或多个小功率开关并联组成；所述瞬态抑制二极管组件V41为单个高压大电流TVS或多个TVS串并联组成。