1.一种电容传感器微弱电容测量保护电路，其特征在于，包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一运算放大器、第二运算放大器、第一同相缓冲器和第二同相缓冲器，所述第一开关为输入端，所述第一开关的另一端分别连接所述第二开关和所述第一电容，所述第二电容的一端分别连接所述第三电容和所述第一运算放大器的负输入端，所述第二开关的另一端、所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端和所述第一运算放大器的正输入端分别接地，所述第三开关与所述第三电容并联，所述第一运算放大器的输出端有两路，一路依次通过所述第四开关、所述第一同相缓冲器连接所述第二运算放大器的正输入端，另一路依次通过所述第五开关、所述第二同相缓冲器连接所述第二运算放大器的负输入端，所述第一同相缓冲器的输入端通过所述第四电容接地，所述第二同相缓冲器的输入端通过所述第五电容接地，所述第二运算放大器的输出为输出端，外部被测电容位于所述第一电容和所述第二电容之间。
2.如权利要求1所述电容传感器微弱电容测量保护电路，其特征在于，所述第三电容的值为5pF。
3.如权利要求1所述电容传感器微弱电容测量保护电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关均采用型号为ADG212A的CMOS开关。
4.如权利要求1所述电容传感器微弱电容测量保护电路，其特征在于，所述第一运算放大器和所述第二运算放大器均采用TL081。