技术特征：
技术总结
本发明提供一种电压测量方法及电压测量电路，涉及半导体技术领域。该方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。通过在不同连接状态所对应的不同电压测量电路中，分别获取第一电压和第二电压，并结合电压测量电路中各个分压电阻对应的参数值进行计算，得到发光二极管两端的当前电压，避免了在发光二极管工作时添加分压电阻进行检测的情况，提高了获取当前电压的准确性和灵活性。
技术研发人员：费俊驰;竺际隆;张军;庄健;潘吉快;黄裕伟
受保护的技术使用者：无锡英迪芯微电子科技股份有限公司
技术研发日：2019.02.19
技术公布日：2019.06.07