放射线检测器及其制造方法、放射线图像摄影装置与流程

公开技术涉及放射线检测器及其制造方法、放射线图像摄影装置。

背景技术：

作为与放射线图像摄影装置相关的技术，例如已知有以下的技术。在日本特开2012-173275号公报(专利文献1)中记载有如下的放射线图像检测装置，具备：放射线图像检测装置主体，其具有将放射线转换成荧光的闪烁体及设置在闪烁体的放射线入射侧的光检测部；以及支承构件，其配置在放射线图像检测装置主体的放射线入射侧且对被摄物进行支承。光检测部具有：将荧光作为电信号来检测的薄膜部；以及设置在薄膜部的与闪烁体侧相反的一侧且与支承构件接合的加强构件。

在日本特表2017-532540号公报(专利文献2)中，记载有包含通过相互连接而接合的第一模块方式检测器及第二模块方式检测器在内的检测部。第一模块方式检测器及第二模块方式检测器具有可挠性。在第一模块方式检测器及第二模块方式检测器的受光面的相反侧装配有加强材料，加强材料构成为防止接近于加强材料的装配位置的模块方式检测器的弯曲。

技术实现要素：

发明要解决的课题

作为放射线图像摄影装置所使用的放射线检测器，已知有如下的放射线检测器，该放射线检测器包含：基板；设置于基板且分别包含光电转换元件的多个像素；以及层叠在基板上的闪烁体。近年来，作为构成放射线检测器的基板的材料，使用了树脂薄膜等具有可挠性的材料。在基板具有可挠性的情况下，例如在放射线检测器的制造工序中，在对基板进行处理时，由于层叠在基板上的闪烁体的重量而可能使基板产生比较大的局部挠曲。构成像素的光电转换元件由相对于非晶硅等的弯曲应力而脆弱的材料构成，因此，当基板产生较大的挠曲时，像素可能会损伤。

作为公开技术的一个方面，其目的在于，与不使用根据像素的尺寸而决定了刚性的挠曲抑制构件的情况相比，降低因闪烁体的重量产生的基板的挠曲所引起的像素的损伤的风险。

用于解决课题的手段

公开技术的第一方式的放射线检测器包括：基板，其具有可挠性；多个像素，其设置于基板，且分别包含光电转换元件；闪烁体，其层叠在基板上；以及挠曲抑制构件，其抑制基板的挠曲，在将像素的尺寸设为x、将因基板的挠曲引起的像素的极限变形量设为zl、将因闪烁体的重量而在基板上产生的挠曲的曲率半径设为r时，挠曲抑制构件具有满足下式的刚性：r≥x²/2zl。

在公开技术的第二方式的放射线检测器中，闪烁体层叠在基板的第一面侧，挠曲抑制构件层叠在基板的与第一面侧相反的一侧的第二面侧以及闪烁体的与基板相接的面侧的相反侧的面侧中的至少一方。

在公开技术的第三方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件层叠在基板的第二面侧、以及闪烁体的与基板相接的面侧的相反侧的面侧的双方。

在公开技术的第四方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件具有比基板高的刚性。

在公开技术的第五方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件在比闪烁体延伸的范围更大的范围内延伸。

在公开技术的第六方式的放射线检测器中，基板具有与可挠性的布线连接的连接区域，挠曲抑制构件设置在覆盖所述连接区域的至少一部分及所述闪烁体的区域。

在公开技术的第七方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件的弯曲弹性模量为1000mpa以上且3500mpa以下。

在公开技术的第八方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件的热膨胀系数相对于闪烁体的热膨胀系数之比为0.5以上且2以下。

在公开技术的第九方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件的热膨胀系数为30ppm/k以上且80ppm/k以下。

在公开技术的第十方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件构成为包含丙烯酸、聚碳酸酯及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

公开技术的第十一方式的放射线检测器还包括加强构件，该加强构件设置在跨越闪烁体的端部的区域，对挠曲抑制构件的挠曲抑制效果进行加强。

在公开技术的第十二方式的放射线检测器中，加强构件具有比基板高的刚性。

在公开技术的第十三方式的放射线检测器中，加强构件由与挠曲抑制构件相同的材料构成

在公开技术的第十四方式的放射线检测器中，基板构成为包含树脂薄膜。

在公开技术的第十五方式的放射线检测器中，基板构成为包含由具有微粒层的树脂材料构成的基材，该微粒层包含由平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机材料构成的微粒，微粒层设置在基板的与设置有所述多个像素的第一面相反的一侧的第二面侧。

在公开技术的第十六方式的放射线检测器中，微粒包含原子序数比构成树脂材料的元素大且原子序数为30以下的元素。

在公开技术的第十七方式的放射线检测器中，基板的300℃以上且400℃以下时的热膨胀系数为20ppm/k以下。

在公开技术的第十八方式的放射线检测器中，基板满足如下两种情况中的至少一方：将基板的厚度设为25μm的情况下的400℃时的纵向方向的热收缩率为0.5％以下、以及500℃时的弹性模量为1gpa以上。

在公开技术的第十九方式的放射线检测器中，还包括缓冲层，该缓冲层设置在基板与闪烁体之间，且具有基板的热膨胀系数与闪烁体的热膨胀系数之间的热膨胀系数。

在公开技术的第二十方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件在与闪烁体的中央部及周缘部对应的区域延伸。

在公开技术的第二十一方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件弯折为沿着闪烁体的周缘部处的倾斜。

在公开技术的第二十二方式的放射线检测器中，在挠曲抑制构件及闪烁体之间形成有与闪烁体的周缘部处的倾斜相应的空间。

在公开技术的第二十三方式的放射线检测器中，在形成于挠曲抑制构件及闪烁体之间的空间填充有填充材料。

在公开技术的第二十四方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件的端部由间隔件支承。

在公开技术的第二十五方式的放射线检测器中，挠曲抑制构件弯折为沿着闪烁体的周缘部处的倾斜，挠曲抑制构件的端部由密封构件密封。

在公开技术的第二十六方式的放射线检测器中，加强构件设置在不与像素区域重叠的区域。

公开技术的第二十七方式的放射线图像摄影装置包括：第一方式至第二十六方式中任一方式的放射线检测器；读出部，其进行蓄积在像素中的电荷的读出；以及生成部，其基于从像素读出的电荷而生成图像数据。

公开技术的第二十八方式的放射线图像摄影装置还包括壳体，该壳体具有供放射线入射的放射线入射面，且收容放射线检测器，基板及闪烁体中的基板配置在放射线入射面侧。

公开技术的第二十九方式的放射线检测器的制造方法包括如下工序：在具有可挠性的基板上形成分别包含光电转换元件的多个像素的工序；在基板上形成闪烁体的工序；以及配置用于抑制基板的挠曲的挠曲抑制构件的工序，像素的尺寸越大，越提高挠曲抑制构件的刚性。

在公开技术的第三十方式的制造方法中，在将像素的尺寸设为x、将因基板的挠曲引起的像素的极限变形量设为zl、将因闪烁体的重量而在基板上产生的挠曲的曲率半径设为r时，挠曲抑制构件具有满足下式的刚性：r≥x²/2zl。

发明效果

根据公开技术的第一方式，与不使用根据像素的尺寸而决定了刚性的挠曲抑制构件的情况相比，能够降低因闪烁体的重量产生的基板的挠曲所引起的像素的损伤的风险。

根据公开技术的第二方式，能够有效地发挥挠曲抑制构件的挠曲抑制效果。

根据公开技术的第三方式，能够进一步降低因基板的挠曲而使像素损伤的风险。

根据公开技术的第四方式，能够有效地发挥挠曲抑制构件的挠曲抑制效果。

根据公开技术的第五方式，能够有效地发挥挠曲抑制构件的挠曲抑制效果。

根据公开技术的第六方式，能够有效地发挥挠曲抑制构件的挠曲抑制效果。

根据公开技术的第七方式，能够具有作为挠曲抑制构件而优选的刚性。

根据公开技术的第八方式，与挠曲抑制构件的热膨胀系数相对于闪烁体的热膨胀系数之比不处于上述范围的情况相比，能够抑制基板与闪烁体剥离的风险。

根据公开技术的第九方式，与挠曲抑制构件的热膨胀系数不处于上述范围的情况相比，能够抑制基板与闪烁体产生剥离的风险。

根据公开技术的第十方式，与挠曲抑制构件构成为包含其他材料的情况相比，能够有效地发挥挠曲抑制构件的挠曲抑制效果，另外，能够抑制基板与闪烁体产生剥离的风险。

根据公开技术的第十一方式，与不包含加强构件的情况相比，能够抑制基板的与闪烁体端部对应的部分处的挠曲。

根据公开技术的第十二方式，有效地发挥了对挠曲抑制构件的挠曲抑制效果进行加强的效果。

根据公开技术的第十三方式，有效地发挥了对挠曲抑制构件的挠曲抑制效果进行加强的效果。

根据公开技术的第十四方式，与作为基板的材料而使用玻璃基板的情况相比，能够实现放射线检测器的轻质化及低成本化，此外，能够降低因冲击而使基板破损的风险。

根据公开技术的第十五方式，与基板不包含微粒层的情况相比，能够抑制在基板内产生的后向散射线。

根据公开技术的第十六方式，与微粒的原子序数不处于上述范围的情况相比，还能够有效地进行后向散射线的抑制，还能够抑制微粒层中的放射线的吸收。

根据公开技术的第十七方式，与基板的热膨胀系数不处于上述范围的情况相比，能够适当地进行像素向基板上的形成。

根据公开技术的第十八方式，与基板的热收缩率及弹性模量不处于上述范围的情况相比，能够适当地进行像素向基板上的形成。

根据公开技术的第十九方式，与不包含缓冲层的情况相比，能够抑制作用于基板与闪烁体的界面的热应力。

根据公开技术的第二十七方式，与不使用根据像素的尺寸而决定了刚性的挠曲抑制构件的情况相比，能够降低因闪烁体的重量产生的基板的挠曲所引起的像素的损伤的风险。

根据公开技术的第二十八方式，与基板及闪烁体中的闪烁体配置在放射线入射面侧的情况相比，能够提高放射线图像的分辨率。

根据公开技术的第二十九方式，与不使用根据像素的尺寸而决定了刚性的挠曲抑制构件的情况相比，能够降低因闪烁体的重量产生的基板的挠曲所引起的像素的损伤的风险。

根据公开技术的第三十方式，能够确保因闪烁体的重量而在基板上产生的挠曲所引起的像素的损伤风险的降低。

附图说明

图1是示出公开技术的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的立体图。

图2是示出公开技术的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。

图3是示出公开技术的实施方式的放射线图像摄影装置的电气结构的一例的图。

图4是示出公开技术的实施方式的基板呈圆弧状挠曲的状态的一例的图。

图5a是示出公开技术的实施方式的像素的外形的一例的图。

图5b是示出公开技术的实施方式的像素的外形的一例的图。

图5c是示出公开技术的实施方式的像素的外形的一例的图。

图6a是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的剖视图。

图6b是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的剖视图。

图6c是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的剖视图。

图6d是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的剖视图。

图7a是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图7b是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图8a是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图8b是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图8c是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图9是示出因闪烁体的重量产生的基板的挠曲的状态的一例的剖视图。

图10是示出公开技术的实施方式的基板的结构的一例的剖视图。

图11a是示出在具有微粒层的基材内产生的后向散射线的剖视图。

图11b是示出在不具有微粒层的基材内产生的后向散射线的剖视图。

图12是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图13是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图14是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图15是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图16是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图17是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图18是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图19是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图20是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图21是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图22是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图23是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图24是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图25是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图26是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图27是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图28是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图29是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图30是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图31是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图32是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图33是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图34是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图35是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图36是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图37是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图38是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图39是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图40是示出公开技术的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的俯视图。

图41是示出公开技术的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的立体图。

图42是示出公开技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。

图43是示出公开技术的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的俯视图。

图44是示出公开技术的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的俯视图。

图45是示出公开技术的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。

图46是示出公开技术的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。

图47是示出公开技术的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。

附图标记说明：

10放射线图像摄影装置；

12控制单元；

14壳体；

14a倾斜部；

15放射线入射面；

16支承板；

18粘接层；

19电路基板；

20缆线；

22栅极线驱动部；

24电荷放大器；

26信号处理部；

28图像存储器；

29控制部；

30、30a、30b放射线检测器；

32闪烁体；

32e端部；

33a中央部；

33b周缘部；

34基板；

34p微粒；

34l微粒层；

35端子；

36光电转换元件；

37基台；

39间隔件；

41像素；

41a像素区域；

42tft；

43栅极线；

44信号线；

50反射膜；

51粘合层；

52、54、54a、56粘接层；

53保护层；

55填充材料；

57密封构件；

60、60a挠曲抑制构件；

61开口；

62贯通孔；

63槽；

64断片；

70加强构件；

80连接区域；

81控制基板；

82电源部；

83电力线；

90缓冲层；

l切线；

r曲率半径；

s1第一面；

s2第二面；

s3、s4、s5、s6面；

x像素的尺寸；

z变形量；

zl极限变形量。

具体实施方式

以下，参照附图对公开技术的实施方式的一例进行说明。需要说明的是，在各附图中对相同或等效的构成要素及部分标注相同的参照标记。

[第一实施方式]

图1是示出公开技术的实施方式的放射线图像摄影装置10的结构的一例的立体图。放射线图像摄影装置10具有可移动式的电子暗盒的方式。放射线图像摄影装置10构成为包含放射线检测器30(fpd：flatpaneldetectors，平板探测器)、控制单元12、支承板16、以及收容放射线检测器30、控制单元12及支承板16的壳体14。

壳体14例如具有由x射线等放射线的透过性高、轻质且耐久性高的碳纤维强化树脂(碳纤维)构成的单壳构造。壳体14的上表面成为入射从放射线源(未图示)出射且透过了被摄物(未图示)的放射线的放射线入射面15。在壳体14内，从放射线入射面15侧依次配置有放射线检测器30、支承板16。

支承板16对搭载了进行信号处理等的集成电路芯片的电路基板19(参照图2)进行支承，且固定于壳体14。控制单元12配置在壳体14内的端部。控制单元12构成为包含蓄电池(未图示)及控制部29(参照图3)。

图2是示出放射线图像摄影装置10的结构的一例的剖视图。放射线检测器30具有：具有可挠性的基板34；设置于基板34的表面且分别包含多个光电转换元件36(参照图3)的多个像素41；层叠在基板34上的闪烁体32；以及抑制基板34的挠曲的挠曲抑制构件60。

基板34是具有可挠性的柔性基板。在本说明书中，基板34具有可挠性是指，在固定了矩形的基板34的四条边中一条边时，由于基板34的重量，从基板34的固定边分开了10cm的部位的高度比固定边的高度低2mm以上。例如，作为基板34的材料，能够使用树脂基板、金属箔基板、厚度0.1mm左右的薄玻璃，尤其能够适合使用作为高耐热性聚酰亚胺薄膜的xenomax(注册商标)等树脂薄膜。通过使用树脂薄膜作为基板34的材料，与使用玻璃基板作为基板34的材料的情况相比，能够实现放射线检测器30的轻质化及低成本化，此外，能够降低由于冲击而使基板34破损的风险。多个像素41分别设置在基板34的第一面s1上。

基板34的厚度是根据基板34的硬度及大小等而得到所希望的可挠性的厚度即可。在基板34构成为包含由树脂材料构成的基材的情况下，基板34的厚度例如优选为5μm以上且125μm以下，更优选为20μm以上且50μm以下。

需要说明的是，基板34的300℃以上且400℃以下时的热膨胀系数(cte：coefficientofthermalexpansion)优选与构成光电转换元件36的材料(例如非晶硅)的热膨胀系数(±5ppm/k左右)为相同的程度，具体而言，优选为20ppm/k以下。另外，基板34的在厚度为25μm的情况下的400℃时的md(machinedirection，纵向)方向的热收缩率优选为0.5％以下。另外，基板34优选在300℃以上且400℃以下的温度区域不具有通常的聚酰亚胺所具有的转移点，500℃时的弹性模量优选为1gpa以上。通过基板34具有上述的特性，能够耐受与像素41向基板34上的形成相伴的热处理，能够适当地进行像素41向基板34上的形成。

另外，在基板34构成为包含由聚酰亚胺等树脂材料构成的基材的情况下，如图10所示，由树脂材料构成的基材优选具有微粒层34l，该微粒层34l包含由平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机材料构成的多个微粒34p。另外，微粒层34l优选设置在基板34的与设置有像素41的第一面s1相反的一侧的第二面s2侧。即，微粒34p优选偏向基板34的第二面s2侧。微粒34p有时使基板34的表面产生凹凸，因此，难以在微粒层34l的表面形成像素41。通过将微粒层34l配置在基板34的第二面s2侧，能够确保第一面s1的平坦性，容易形成像素41。

作为微粒34p的材料，优选为包含原子序数大于构成基板34的基材的各元素的原子序数且为30以下的元素在内的无机材料。例如，在基板34的基材由包含c、h、o及n等在内的聚酰亚胺等树脂材料构成的情况下，微粒34p优选为包含原子序数大于树脂材料的构成元素(c、h、o及n)的原子序数且为30以下的元素在内的无机材料。作为这样的微粒34p的具体例，举出原子序数为14的硅的氧化物即sio2、原子序数为12的mg的氧化物即mgo、原子序数为13的al的氧化物即al2o3、及原子序数为22的ti的氧化物即tio2等。另外，作为具有上述那样的特性且具有微粒层34l的树脂片的具体例，举出xenomax(注册商标)。

需要说明的是，关于本实施方式中的上述的厚度，使用千分尺进行了测定。关于热膨胀系数，依据jisk7197：1991进行了测定。需要说明的是，测定通过如下方式进行：从基板34的主面中每次改变15度的角度而切出试验片，对切出的各试验片测定热膨胀系数，将最高值设为基板34的热膨胀系数。在热膨胀系数的测定中，针对md(machinedirection，纵向)方向及td(transversedirection，横向)方向分别在-50℃～450℃中以10℃间隔进行测定，将(ppm/℃)换算成(ppm/k)。在热膨胀系数的测定中，使用macscience公司制的tma4000s装置，将样本长度设为10mm，将样本宽度设为2mm，将初始载荷设为34.5g/mm²，将升温速度设为5℃/min，以及将环境气设为氩气。关于弹性模量，依据k7171：2016进行了测定。需要说明的是，测定通过如下方式进行：从基板34的主面每次改变15度的角度而切出试验片，对切出的各试验片进行拉伸试验，将最高值设为基板34的弹性模量。

闪烁体32层叠在基板34的第一面s1侧。闪烁体32包含将所照射的放射线转换成光的荧光体。作为一例，闪烁体32由包含csi:tl(添加了铊的碘化铯)的柱状晶体的集合体构成。csi:tl的柱状晶体例如能够通过气相生长法直接形成在基板34上。需要说明的是，也可以将形成在与基板34不同的基板上的csi:tl的柱状晶体粘贴于基板34。另外，作为闪烁体32的材料，能够使用gd2o2s:tb(添加了铽的氧硫化钆)。构成多个像素41的光电转换元件36(参照图3)分别基于从闪烁体32发出的光而生成电荷。

闪烁体32的与基板34相接的面s6的相反侧的面s3及与面s3交叉的面s4被反射膜50覆盖。反射膜50具有使从闪烁体32发出的光向基板34侧反射的功能。作为反射膜50的材料，例如能够使用al2o3。反射膜50覆盖闪烁体32的面s3及面s4，并且在闪烁体32的周边部也覆盖基板34上。需要说明的是，在即便不设置反射膜50也能够在放射线图像摄影装置10中得到所希望的画质的放射线图像的情况下，能够省略反射膜50。

在本实施方式中，放射线图像摄影装置10采用了基于在放射线的入射侧配置基板34的表面读取方式(iss：irradiationsidesampling，照射侧采样)的摄影方式。通过采用表面读取方式，与采用在放射线的入射侧配置闪烁体32的背面读取方式(pss：penetrationsidesampling，穿透侧采样)的情况相比，能够缩短闪烁体32中的强发光位置与像素41之间的距离，其结果是，能够提高放射线图像的分辨率。需要说明的是，放射线图像摄影装置10也可以采用背面读取方式。

支承板16配置在闪烁体32的与放射线入射侧相反的一侧。在支承板16与闪烁体32之间设置有间隙。支承板16固定于壳体14的侧部。在支承板16的与闪烁体32侧相反的一侧的面上设置有电路基板19。在电路基板19搭载有生成图像数据的信号处理部26、存储由信号处理部26生成的图像数据的图像存储器28等。

电路基板19与基板34经由在柔性印刷基板(fpc：flexibleprintedcircuit)、tcp(tapecarrierpackage，带载封装)或cof(chiponfilm，膜上芯片)上印刷的可挠性的缆线20而电连接。在缆线20上搭载有将从像素41读出的电荷转换成电信号的电荷放大器24。在将电路基板19与基板34电连接的、图2中未图示的其他的柔性印刷基板上，搭载有栅极线驱动部22(参照图3)。

挠曲抑制构件60层叠在基板34的与第一面s1相反的一侧的第二面s2侧。挠曲抑制构件60担负向基板34赋予基板34支承闪烁体32所需的刚性的作用。即，通过设置挠曲抑制构件60，与不设置挠曲抑制构件60的情况相比，抑制了因闪烁体32的重量引起的基板34的挠曲。挠曲抑制构件60在比闪烁体32延伸的范围更大的范围内延伸。即，俯视下的挠曲抑制构件60的面积大于闪烁体32的面积，在挠曲抑制构件60延伸的范围的内侧配置有闪烁体32。因此，挠曲抑制构件60的平面方向上的端部位于比闪烁体32的平面方向上的端部靠外侧的位置。由此，促进了抑制因闪烁体32的重量引起的基板34的挠曲的效果。另外，基板34在基板34的外周部具有与缆线20连接的连接区域80。挠曲抑制构件60设置在将连接区域80的至少一部分及闪烁体32覆盖的区域。在与可挠性的缆线20连接的连接区域80，基板34也容易发生挠曲，但通过在覆盖连接区域80的至少一部分的区域设置挠曲抑制构件60，能够抑制基板34的连接区域80中的挠曲。

从抑制基板34的挠曲的观点出发，挠曲抑制构件60优选具有比基板34高的刚性。挠曲抑制构件60优选为使用了弯曲弹性模量为1000mpa以上且3500mpa以下的原材料的构件。通过将构成挠曲抑制构件60的原材料的弯曲弹性模量设为1000mpa以上，能够有效地发挥挠曲抑制构件60中的抑制基板34的挠曲的功能。通过将构成挠曲抑制构件60的原材料的弯曲弹性模量设为3500mpa以下，例如在放射线检测器30的制造工序中，在向基板34安装了挠曲抑制构件60之后从基板剥离对基板34进行支承的支承体(未图示)的情况下，基板34适度地挠曲，因此，支承体从基板34的剥离变得容易。需要说明的是，关于弯曲弹性模量的测定方法，能够应用由jisk7171：2016规定的测定方法。另外，挠曲抑制构件60的弯曲刚性优选为3600pa·cm⁴以上且196000pa·em⁴以下。另外，挠曲抑制构件60的厚度优选为0.1mm左右。

挠曲抑制构件60的热膨胀系数优选为30ppm/k以上且80ppm/k以下。另外，挠曲抑制构件60的热膨胀系数优选接近于闪烁体32的热膨胀系数。具体而言，挠曲抑制构件60的热膨胀系数c2相对于闪烁体32的热膨胀系数c1之比(c2/c1)优选为0.5以上且2以下。通过挠曲抑制构件60的热膨胀系数满足上述的条件，能够在加热时及发热时等抑制基板34与闪烁体32剥离的风险。例如，在闪烁体32构成为主要包含csi:tl的情况下，闪烁体32的热膨胀系数为50ppm/k。在该情况下，作为挠曲抑制构件60的材料，能够使用热膨胀系数为60ppm/k～80ppm/k的聚氯乙烯(pvc)、热膨胀系数为70ppm/k～80ppm/k的丙烯酸、热膨胀系数为65～70ppm/k的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、热膨胀系数为65ppm/k的聚碳酸酯(pc)、以及热膨胀系数为45ppm/k～70ppm/k的特富龙(注册商标)等。当考虑上述的弯曲弹性模量时，作为挠曲抑制构件60的材料，优选为包含丙烯酸、pet及pc中的至少一种在内的材料。

作为挠曲抑制构件60的其他候补材料，例如能够使用聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚砜(psf)、聚醚砜(pes)、聚醚酰亚胺(pei)、聚酰胺酰亚胺(pai)、聚醚醚酮(peek)、酚醛树脂、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、硅酮树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等树脂。另外，作为挠曲抑制构件60的材料，还能够使用铝、铁或它们的合金等金属。另外，作为挠曲抑制构件60的材料，还能够使用将树脂及金属层叠而成的层叠体。挠曲抑制构件60的与基板34的接触面的相反侧的面s5经由粘接层18而粘贴于壳体14的内壁。

图3是示出放射线图像摄影装置10的电气结构的一例的图。在基板34的第一面s1上呈矩阵状地配置有多个像素41。像素41分别包含：基于从闪烁体32发出的光而产生电荷的光电转换元件36；以及在读出在光电转换元件36中生成的电荷时成为导通状态的作为开关元件的tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)42。光电转换元件36例如也可以是由非晶硅构成的光电二极管。

在基板34的第一面s1上设置有沿着像素41的排列而向一个方向(行方向)延伸的栅极线43、以及在与栅极线43延伸的方向交叉的方向(列方向)上延伸的信号线44。像素41分别对应于栅极线43与信号线44的各交叉部而设置。

栅极线43分别与栅极线驱动部22连接。栅极线驱动部22基于从控制部29供给的控制信号，进行蓄积在像素41中的电荷的读出。信号线44分别与电荷放大器24连接。电荷放大器24分别对应于多个信号线44而设置。电荷放大器24基于从像素41读出的电荷而生成电信号。电荷放大器24的输出端子与信号处理部26连接。信号处理部26基于从控制部29供给的控制信号，对从电荷放大器24供给的电信号实施规定的处理，由此，生成图像数据。在信号处理部26连接有图像存储器28。图像存储器28基于从控制部29供给的控制信号，对由信号处理部26生成的图像数据进行存储。

控制部29经由有线或无线的通信部(未图示)，与和放射线源连接的控制台(未图示)进行通信，对栅极线驱动部22、信号处理部26及图像存储器28进行控制，由此来控制放射线图像摄影装置10的动作。控制部29例如也可以构成为包含微型计算机。需要说明的是，栅极线驱动部22是公开技术中的读出部的一例。信号处理部26是公开技术中的生成部的一例。

以下，对放射线图像摄影装置10的动作的一例进行说明。当从放射线源(未图示)出射且透过了被摄物的放射线从放射线图像摄影装置10的放射线入射面15入射时，闪烁体32吸收放射线而发出可视光。构成像素41的光电转换元件36将从闪烁体32发出的光转换成电荷。由光电转换元件36生成的电荷蓄积在对应的像素41中。由光电转换元件36生成的电荷的量被对应的像素41的像素值反映出。

在生成放射线图像的情况下，栅极线驱动部22基于从控制部29供给的控制信号，经由栅极线43向tft42供给栅极信号。tft42通过该栅极信号以行单位而成为导通状态。通过tft42成为导通状态，将蓄积在像素41中的电荷从信号线44读出并向电荷放大器24供给。电荷放大器24基于在信号线44中读出的电荷而生成电信号，将该电信号向信号处理部26供给。

信号处理部26具备多个采样保持电路、复用器、模数转换器(均未图示)。多个采样保持电路分别对应于多个信号线44而设置。从电荷放大器24供给的电信号被采样保持电路保持。由各个采样保持电路保持的电信号经由复用器向模数转换器输入，转换成数字信号。信号处理部26生成将由模数转换器生成的数字信号与像素41的位置信息建立了对应的数据作为图像数据，向图像存储器28供给图像数据。图像存储器28存储由信号处理部26生成的图像数据。

由于基板34具有可挠性，因此，例如在放射线检测器30的制造工序中对基板34进行处理时，由于闪烁体32的重量而可能使基板34产生比较大的局部挠曲。当基板34产生较大的挠曲时，设置于基板34的表面的像素41可能会损伤。

图4是示出基板34呈圆弧状挠曲的状态的图。在图4中，r是在基板34上产生的挠曲的曲率半径，x是在基板34上形成的像素41的尺寸。即，作为像素41的一端部的点a与作为像素41的另一端部的点b之间的距离(线段ab的长度)是像素41的尺寸x。

需要说明的是，作为像素41的尺寸，也可以应用光电转换元件36的尺寸。另外，作为像素41的尺寸，也可以应用像素41(光电转换元件36)的最长部分的长度。例如，如图5a、图5b、图5c分别所示，在像素41(光电转换元件36)的外形为正方形、长方形或正六边形等多边形的情况下，也可以应用像素41的对角线的长度来作为像素41的尺寸x。另外，也可以应用像素41的一条边的长度来作为像素41(光电转换元件36)的尺寸x。在该情况下，在像素41的外形为长方形的情况等的、像素41包含长边和短边的情况下，优选应用长边的长度来作为像素41(光电转换元件36)的尺寸。

在图4中，z是因基板34的挠曲引起的像素41的变形量。即，变形量z相当于像素41的一端部(点a)处的切线l与像素41的另一端部(点b)之间的距离(线段bc的长度)。在图4中，θ相当于包含弧ab的扇形的中心角。

像素41的尺寸x相当于呈圆弧状挠曲的基板34的在该圆弧的弦ab上的长度。因此，像素41的尺寸x能够由下述的(1)式表示。

x＝2rsin(θ/2)···(1)

另一方面，∠bac为θ/2，因此能够导出下述的(2)式。

sin(θ/2)＝z/x···(2)

当将(2)式代入(1)式时，能够导出下述的(3)式及(4)式。

x＝2r×z/x···(3)

r＝x²/2z···(4)

这里，在将不使像素41损伤的变形量z的最大值(以下称为极限变形量)设为zl的情况下，通过将基板34的挠曲的曲率半径r限制在下述的(5)式的范围内，能够降低像素41的损伤的风险。

r≥x²/2zl···(5)

例如，在像素41的尺寸x为150μm且像素41的极限变形量zl为0.05μm的情况下，通过将基板34的挠曲的曲率半径r设为225mm以上，能够降低像素41的损伤的风险。

需要说明的是，容易受到损伤的部分是膜厚较厚的部分和脆性较高的部分。例如，在光电转换元件36包含形成于非晶硅层的光电二极管的情况下，该非晶硅层容易受到损伤。在该情况下，非晶硅层的厚度为0.5～2.5μm程度，在像素41中厚度特别厚，极限变形量zl小。

在本实施方式的放射线检测器30中，挠曲抑制构件60具有在固定了基板34的端部的状态下由于闪烁体32的重量而在基板34上产生的挠曲的曲率半径r满足(5)式的刚性。换言之，挠曲抑制构件60的刚性以如下方式调整：在固定了基板34的端部的状态下由于闪烁体32的重量而在基板34上产生的挠曲的曲率半径r满足(5)式。即，挠曲抑制构件60的刚性根据像素41的尺寸来决定。由此，例如，在放射线检测器30的制造工序中对基板34进行处理时，与不满足(5)式的情况相比，能够降低由于因闪烁体32的重量而在基板34上产生的挠曲而使像素41损伤的风险。例如，像素41的尺寸x越大，允许的曲率半径r越大，因此，使用具备高刚性的挠曲抑制构件60。

挠曲抑制构件60的刚性例如能够通过挠曲抑制构件60的厚度、密度、弹性模量等来调整。另外，挠曲抑制构件60的刚性也能够通过构成挠曲抑制构件60的材料的选择来调整。

以下，对放射线检测器30的制造方法进行说明。图6a～图6d是示出放射线检测器30的制造方法的一例的剖视图。

首先，在基板34的第一面s1上形成多个像素41(图6a)。需要说明的是，也可以在利用用于支承基板34的支承体(未图示)对基板34进行了支承的状态下，进行像素41的形成。

接着，在基板34的与第一面s1相反的一侧的第二面s2上粘贴挠曲抑制构件60(图6b)。挠曲抑制构件60具有由于闪烁体32的重量而在基板34上产生的挠曲的曲率半径r满足(5)式的刚性。例如，像素41的尺寸x越大，越提高挠曲抑制构件60的刚性。

接着，在基板34的第一面s1上形成闪烁体32(图6c)。闪烁体32能够通过例如使用气相生长法、使掺杂了tl的csi的柱状晶体在基板34上直接生长而形成。需要说明的是，也可以将在与基板34不同的基板上形成的csi:tl的柱状晶体粘贴于基板34。另外，作为闪烁体32的材料，能够使用gd2o2s:tb(添加了铽的氧硫化钆)。

接着，形成反射膜50，该反射膜50覆盖闪烁体32的与基板34相接的面s6的相反侧的面s3以及与面s3交叉的面s4(图6d)。作为反射膜50的材料，例如能够使用al2o3。反射膜50也可以形成为在闪烁体32的周边部也覆盖基板34上。

根据公开技术的实施方式的放射线检测器30及放射线图像摄影装置10，挠曲抑制构件60具有因闪烁体32的重量产生的基板34的挠曲的曲率半径r满足(5)式的刚性。因此，因闪烁体32的重量产生的基板34的挠曲的曲率半径r被限制在(5)式所示的范围内。因此，例如在放射线检测器30的制造工序中对基板34进行处理时，即便因闪烁体32的重量而使基板34产生挠曲，与不应用公开技术的情况相比，也能够降低像素41损伤的风险。

这里，图11a、图11b分别是示出作为放射线的读取方式而应用了iss方式的放射线图像摄影装置10的局部结构的一例的剖视图。图11a及图11b分别是基板34构成为包含由聚酰亚胺等树脂材料构成的基材的情况，图11a是基板34包含微粒层34l的情况，图11b是基板34不包含微粒层的情况。在应用iss方式的情况下，基板34及闪烁体32中的基板34配置在壳体14的放射线入射面15侧。即，入射到放射线入射面15的放射线r在透过基板34之后向闪烁体32入射。

当放射线向包含作为构成元素而具有原子序数比较小的c、h、o及n等的树脂材料在内的基板34入射时，由于康普顿效应而产生较多的后向散射线rb，后向散射线rb可能向被摄物200侧泄漏。如图11a所示，通过在基板34设置包含由无机材料构成的微粒34p在内的微粒层34l，从而能够在微粒层34l中吸收在基板34内产生的后向散射线rb，该无机材料包含原子序数比树脂材料的构成元素(c、h、o及n)的原子序数大的元素。由此，与基板34不包含微粒层的情况(参照图11b)相比，能够抑制向被摄物200侧泄漏的后向散射线rb的量。需要说明的是，构成微粒34p的元素的原子序数越大，吸收后向散射线rb的效果越高，另一方面，放射线的吸收量也变多，到达闪烁体32的放射线的线量变小。因此，构成微粒34p的元素的原子序数优选为30以下。

需要说明的是，在上述的实施方式中，例示了将挠曲抑制构件60设置于基板34的第二面s2侧的情况，但公开技术不局限于该方式。例如如图7a所示，挠曲抑制构件60也可以层叠在闪烁体32的与基板34相接的面s6的相反侧的面s3侧。根据该结构，能够得到与将挠曲抑制构件60设置于基板34的第二面s2侧的情况大致同样的效果。

另外，如图7b所示，挠曲抑制构件60也可以层叠在基板34的第二面s2侧以及闪烁体32的与基板34相接的面s6侧的相反侧的面s3侧的双方。通过将挠曲抑制构件60层叠在基板34的第二面s2侧以及闪烁体32的与基板34相接的面s6侧的相反侧的面s3侧中的至少一方，从而促进了挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果。另外，如图7b所示，通过将挠曲抑制构件60层叠在基板34的第二面s2侧及闪烁体32的面s3侧的双方，能够进一步促进挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果，能够进一步降低因基板34的挠曲而使像素41损伤的风险。需要说明的是，在基板34的第二面s2侧及闪烁体32的面s3侧的双方层叠挠曲抑制构件60的情况下，层叠在放射线的入射侧即基板34的第二面s2侧的挠曲抑制构件60的放射线的吸收量优选比层叠在闪烁体32的面s3侧的挠曲抑制构件60的放射线的吸收量少。

[第二实施方式]

图8a是示出公开技术的第二实施方式的放射线检测器30a的结构的一例的剖视图。放射线检测器30a与第一实施方式的放射线检测器30的不同之处在于，还包含对挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果进行加强的加强构件70。

在图8a所示的结构中，挠曲抑制构件60设置在基板34的第二面s2侧，加强构件70设置在挠曲抑制构件60的与基板34相接的面侧的相反侧的面s5侧。加强构件70设置在跨越闪烁体32的平面方向上的端部(外缘，边缘)32e的区域。即，加强构件70在挠曲抑制构件60的面s5侧以跨越存在闪烁体32的区域与不存在闪烁体32的区域的边界的状态设置于挠曲抑制构件60。从加强挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果的观点出发，加强构件70优选具有比基板34高的刚性。加强构件70中的弯曲弹性模量及热膨胀系数的优选范围与挠曲抑制构件60相同。加强构件70例如可以由与挠曲抑制构件60相同的材料构成，也可以由具有比挠曲抑制构件60高的刚性的材料构成。

这里，图9示出因闪烁体32的重量产生的基板34的挠曲的状态的一例的剖视图。如图9所示，在基板34的闪烁体32延伸的区域，由于闪烁体32的刚性，基板34的挠曲量比较小。另一方面，在基板34的与闪烁体32的端部32e对应的部分，基板34的挠曲量比较大。基板34的挠曲量较大的部分与挠曲量较小的部分相比，像素41损伤的风险变高。

根据公开技术的第二实施方式的放射线检测器30a，对挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果进行加强的加强构件70设置在跨越闪烁体32的端部32e的区域。由此，与不设置加强构件70的情况相比，能够抑制基板34的与闪烁体32的端部32e对应的部分处的挠曲。因此，与不设置加强构件70的情况相比，能够降低像素41损伤的风险。

需要说明的是，如图8b所示，在挠曲抑制构件60设置于闪烁体32的与基板34相接的面s6的相反侧的面s3上的情况下，加强构件70也可以设置在基板34的第二面s2上。另外，如图8c所示，在挠曲抑制构件60设置于基板34的第二面s2上及闪烁体32的面s3上的双方的情况下，加强构件70也可以设置在挠曲抑制构件60的与基板34相接的面侧的相反侧的面s5上。在图8b及图8c所示的任一结构中，加强构件70都设置在跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)32e的区域。即，在图8b所示的结构中，加强构件70在基板34的第二面s2侧以跨越存在闪烁体32的区域与不存在闪烁体32的区域的边界的状态设置于基板34。在图8c所示的结构中，加强构件70在挠曲抑制构件60的面s5侧以跨越存在闪烁体32的区域与不存在闪烁体32的区域的边界的状态设置于挠曲抑制构件60。

[第三实施方式]

图12是示出公开技术的第三实施方式的放射线检测器30b的结构的一例的剖视图。放射线检测器30b具有设置在基板34与闪烁体32之间的缓冲层90。缓冲层90具有基板34的热膨胀系数与闪烁体32的热膨胀系数之间的热膨胀系数。作为缓冲层90，例如能够使用聚酰亚胺膜及聚对二甲苯膜。在作为基板34的材料而使用xenomax(注册商标)的情况下，与作为基板34而使用例如玻璃基板的情况相比，基板34与闪烁体32之间的热膨胀系数之差变大，作用于基板34与闪烁体32的界面的热应力变得过大。通过在基板34与闪烁体32之间设置缓冲层90，能够抑制作用于基板34与闪烁体32的界面的热应力。

[其他实施方式]

图13～图33分别是示出将挠曲抑制构件60层叠在闪烁体32的与基板34相接的面的相反侧的面侧的情况下的挠曲抑制构件60的设置方式的例子的剖视图。在图13～图33中，示出基板34上的设置有多个像素41的区域即像素区域41a。

在使用气相沉积法而形成了闪烁体32的情况下，如图13～图33所示，闪烁体32形成为具有朝向其外缘而厚度逐渐变薄的倾斜。以下，将忽略制造误差及测定误差时的厚度视为大致固定的闪烁体32的中央区域称为中央部33a。另外，将相对于闪烁体32的中央部33a的平均厚度例如具有90％以下的厚度的闪烁体32的外周区域称为周缘部33b。即，闪烁体32在周缘部33b具有相对于基板34倾斜的倾斜面。

如图13～图33所示，在闪烁体32与挠曲抑制构件60之间也可以设置粘合层51、反射膜50、粘接层52、保护层53及粘接层54。

粘合层51覆盖包含闪烁体32的中央部33a及周缘部33b在内的闪烁体32的表面整体。粘合层51具有将反射膜50固定到闪烁体32上的功能。粘合层51优选具有光透过性。作为粘合层51的材料，例如能够使用丙烯酸系粘合剂、热熔系粘合剂及硅酮系粘接剂。作为丙烯酸系粘合剂，例如举出聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯及环氧丙烯酸酯等。作为热熔系粘合剂，例如举出eva(乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂)、eaa(乙烯和丙烯酸的共聚树脂)、eea(乙烯-丙烯酸乙酯共聚树脂)及emma(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等热塑性塑料。粘合层32的厚度优选为2μm以上且7μm以下。通过将粘合层32的厚度设为2μm以上，能够充分地发挥将反射膜50固定到闪烁体32上的效果。此外，能够抑制在闪烁体32与反射膜50之间形成空气层的风险。当在闪烁体32与反射膜50之间形成空气层时，可能会发生从闪烁体32发出的光在空气层与闪烁体32之间及空气层与反射膜50之间反复进行反射的多重反射。另外，通过将粘合层32的厚度设为7μm以下，能够抑制mtf(modulationtransferfunction，调制传递函数)及dqe(detectivequantumefficiency，探测量子效率)的下降。

反射膜50覆盖粘合层51的表面整体。反射膜50具有反射由闪烁体32转换后的光的功能。反射膜50优选由有机系材料构成。作为反射膜50的材料，例如能够使用白pet(polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、tio2、al2o3、发泡白pet、聚酯系高反射片及镜面反射铝等。需要说明的是，白pet是指在pet中添加了tio2或硫酸钡等白色颜料而得到的材料。另外，聚酯系高反射片是指具有将较薄的聚酯片重叠多个而成的多层构造的片材(薄膜)。另外，发泡白pet是指表面成为多孔质的白pet。反射膜50的厚度优选为10μm以上且40pm以下。

粘接层52覆盖反射膜50的表面整体。粘接层52的端部延伸至基板34的表面。即，粘接层52在其端部与基板34粘接。粘接层52具有将反射膜50及保护层53固定到闪烁体32的功能。作为粘接层52的材料，能够使用与粘合层51的材料相同的材料，但粘接层52具有的粘接力优选大于粘合层51具有的粘接力。

保护层53覆盖粘接层52的表面整体。即，保护层53设置为覆盖闪烁体32的整体，并且，其端部覆盖基板34的一部分。保护层53作为防止水分向闪烁体32的浸入的防湿膜发挥功能。作为保护层53的材料，例如能够使用包含pet、pps(polyphenylenesulfide：聚苯硫醚)、opp(orientedpolypropylene：双轴取向聚丙烯薄膜)、pen(polyethylenenaphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)、pi等有机材料在内的有机膜。另外，作为保护层53，也可以使用在聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性的片材(薄膜)上通过粘接铝箔等而将铝层叠而成的麦拉带(注册商标)的片材。

挠曲抑制构件60经由粘接层54而设置于保护层53的表面。作为粘接层54的材料，例如能够使用与粘合层51及粘接层54的材料相同的材料。

在图13所示的例子中，挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a及周缘部33b对应的区域延伸，挠曲抑制构件60的外周部弯折为沿着闪烁体32的周缘部33b处的倾斜。挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a对应的区域及与周缘部33b对应的区域的双方，经由粘接层54而粘接于保护层53。在图13所示的例子中，挠曲抑制构件60的端部配置在与闪烁体32的周缘部33b对应的区域。

如图14所示，挠曲抑制构件60仅设置在与闪烁体32的中央部33a对应的区域。在该情况下，挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a对应的区域经由粘接层54而粘接于保护层53。

如图15所示，在挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a及周缘部33b对应的区域延伸的情况下，挠曲抑制构件60也可以不具有沿着闪烁体32的外周部处的倾斜的弯折部。在该情况下，挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a对应的区域，经由粘接层54而粘接于保护层53。在与闪烁体32的周缘部33b对应的区域，在闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间，形成与闪烁体32的周缘部33b处的倾斜相应的空间。

这里，在设置于基板34的外周部的连接区域80的端子35上连接有缆线20。基板34经由缆线20而与控制基板(参照图45)连接。在基板34产生挠曲的情况下，缆线20可能从基板34剥离或产生位置偏移。在该情况下，需要进行重新连接缆线20与基板34的作业。将重新连接该缆线20与基板34的作业称为返工。如图13～图15所示，通过将挠曲抑制构件60的端部配置在比闪烁体32的端部靠内侧的位置，与挠曲抑制构件60延伸至连接区域80的附近的情况相比，能够容易地进行返工。

如图16～图19所示，挠曲抑制构件60也可以设置为，其端部配置在比闪烁体32的端部靠外侧的位置，并且与延伸至基板34上的粘接层52及保护层53的端部对齐。需要说明的是，挠曲抑制构件60的端部的位置与粘接层52及保护层53的端部的位置无需完全一致。

在图16所示的例子中，挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a对应的区域，经由粘接层54而粘接于保护层53，在与闪烁体32的周缘部33b对应的区域以及更靠其外侧的区域，在闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间，形成有与闪烁体32的周缘部33b处的倾斜相应的空间。

在图17所示的例子中，在与闪烁体32的周缘部33b对应的区域以及更靠其外侧的区域，在形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间的空间设置有填充材料55。填充材料55的材料没有特别限定，例如能够使用树脂。需要说明的是，在图17所示的例子中，为了将挠曲抑制构件60固定到填充材料55，将粘接层54设置于挠曲抑制构件60与填充材料55之间的整个区域。

形成填充材料55的方法没有特别限定。例如，也可以在由粘合层51、反射膜50、粘接层52及保护层53覆盖的闪烁体32上依次形成粘接层54及挠曲抑制构件60之后，向形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间的空间注入具有流动性的填充材料55，使填充材料55固化。另外，例如，也可以在基板34上依次形成闪烁体32、粘合层51、反射膜50、粘接层52及保护层53之后形成填充材料55，以覆盖由粘合层51、反射膜50、粘接层52及保护层53覆盖的闪烁体32及填充材料55的方式依次形成粘接层54及挠曲抑制构件60。

这样，通过向形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间的空间填充填充材料55，与图16所示的方式相比，能够抑制挠曲抑制构件60从闪烁体32(保护层53)的剥离。此外，闪烁体32成为通过挠曲抑制构件60及填充材料55的双方而固定于基板34的构造，因此，能够抑制闪烁体32从基板34的剥离。

在图18所示的例子中，挠曲抑制构件60的外周部弯折为沿着闪烁体32的周缘部33b处的倾斜，并且，还覆盖粘接层52及保护层53在基板34上覆盖的部分。另外，挠曲抑制构件60的端部与粘接层52及保护层53的端部对齐。需要说明的是，挠曲抑制构件60的端部的位置与粘接层52及保护层53的端部的位置无需完全一致。

挠曲抑制构件60、粘接层54、保护层53及粘接层52的端部由密封构件57密封。密封构件57优选设置在从基板34的表面到挠曲抑制构件60的表面的区域，并且不覆盖像素区域41a的区域。作为密封构件57的材料，能够使用树脂，尤其优选热塑性树脂。具体而言，能够将丙烯酸糊及聚氨酯系的糊等用作密封构件57。挠曲抑制构件60与保护层53相比刚性较高，在挠曲抑制构件60的弯折部，作用有要消除弯折的复原力，由此，保护层53可能会剥离。通过利用密封构件57将挠曲抑制构件60、粘接层54、保护层53及粘接层52的端部密封，能够抑制保护层53的剥离。

在图19所示的例子中，与图17所示的方式同样地，在与闪烁体32的周缘部33b对应的区域及更靠其外侧的区域，在形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间的空间设置有填充材料55。另外，在与闪烁体32的端部对应的区域，在挠曲抑制构件60的表面上还经由粘接层54a而层叠有其他的挠曲抑制构件60a。更具体而言，挠曲抑制构件60a设置在跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)的区域。挠曲抑制构件60a也可以由与挠曲抑制构件60相同的材料构成。如图9所示，在闪烁体32的端部，基板34的挠曲量比较大。通过在与闪烁体32的端部对应的区域形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造，能够促进抑制基板34在闪烁体32的端部处的挠曲的效果。

如图16～图19所示，即便在设置为将挠曲抑制构件60的端部配置在比闪烁体32的端部靠外侧的位置且与粘接层52及保护层53的端部对齐的情况下，与挠曲抑制构件60延伸至连接区域80的附近的情况相比，能够容易地进行返工。

如图20～图23所示，挠曲抑制构件60也可以设置为，其端部位于比延伸至基板34上的粘接层52及保护层53的端部靠外侧且比基板34的端部靠内侧的位置。

在图20所示的例子中，挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a对应的区域经由粘接层54而粘接于保护层53，在与闪烁体32的周缘部33b对应的区域以及更靠其外侧的区域，在闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间以及基板34与挠曲抑制构件60之间，形成有与闪烁体32的周缘部33b处的倾斜相应的空间。

在图21所示的例子中，挠曲抑制构件60的端部由间隔件39支承。即，间隔件39的一端与基板34的第一面s1连接，间隔件39的另一端经由粘接层56而与挠曲抑制构件60的端部连接。通过利用间隔件39来支承在与基板34之间形成空间的同时延伸的挠曲抑制构件60的端部，能够抑制挠曲抑制构件60的剥离。另外，能够使挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果作用至基板34的端部附近。需要说明的是，也可以代替设置间隔件39，仿效于图17所示的例子，向形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充填充材料。

在图22所示的例子中，挠曲抑制构件60的外周部弯折为沿着闪烁体32的周缘部33b处的倾斜，并且，还覆盖粘接层52及保护层53在基板34上覆盖的部分、以及粘接层52及保护层53的外侧的基板34上。即，粘接层52及保护层53的端部由挠曲抑制构件60密封。挠曲抑制构件60的在基板34上延伸的部分经由粘接层54而与基板34粘接。由此，通过利用挠曲抑制构件60来覆盖粘接层52及保护层53的端部，能够抑制保护层53的剥离。需要说明的是，也可以仿效于图18所记载的例子，使用密封构件来密封挠曲抑制构件60的端部。

在图23所示的例子中，在挠曲抑制构件60的端部由间隔件39支承的方式中，在挠曲抑制构件60的表面的与闪烁体32的端部对应的区域，经由粘接层54a还层叠有其他的挠曲抑制构件60a。更具体而言，挠曲抑制构件60a设置在跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)的区域。挠曲抑制构件60a也可以由与挠曲抑制构件60相同的材料构成。如图9所示，在闪烁体32的端部，基板34的挠曲量比较大。通过在与闪烁体32的端部对应的区域形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造，能够促进抑制基板34在闪烁体32的端部处的挠曲的效果。需要说明的是，也可以代替设置间隔件39，仿效于图17所示的例子，向形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间以及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充填充材料。

如图24～图28所示，挠曲抑制构件60也可以设置为，其端部与基板34的端部对齐。需要说明的是，挠曲抑制构件60的端部的位置与基板34的端部的位置无需完全一致。

在图24所示的例子中，挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a对应的区域，经由粘接层54而粘接于保护层53，在与闪烁体32的周缘部33b对应的区域及更靠其外侧的区域，在闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间以及基板34与挠曲抑制构件60之间，形成有与闪烁体32的周缘部33b处的倾斜相应的空间。

在图25所示的例子中，挠曲抑制构件60的端部由间隔件39支承。即，间隔件39的一端与设置于基板34的端部的缆线20连接，间隔件39的另一端经由粘接层56而与挠曲抑制构件60的端部连接。通过利用间隔件39来支承在与基板34之间形成空间的同时延伸的挠曲抑制构件60的端部，能够抑制挠曲抑制构件60的剥离。另外，能够使挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果作用至基板34的端部附近。

在图26所示的例子中，在形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充有填充材料55。在本实施方式中，缆线20与端子35的连接部被填充材料55覆盖。这样，通过向形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充填充材料55，与图24所示的方式相比，能够抑制挠曲抑制构件60从闪烁体32(保护层53)的剥离。此外，闪烁体32成为通过挠曲抑制构件60及填充材料55的双方而固定于基板34的构造，因此，能够抑制闪烁体32从基板34的剥离。另外，通过利用填充材料55来覆盖缆线20与端子35的连接部，能够抑制缆线20的剥离。

在图27所示的例子中，挠曲抑制构件60的外周部弯折为沿着闪烁体32的周缘部33b处的倾斜，并且还覆盖粘接层52及保护层53在基板34上覆盖的部分、粘接层52及保护层53的外侧的基板上、以及端子35与缆线20的连接部。挠曲抑制构件60的在基板34上及缆线20上延伸的部分分别经由粘接层54而粘接于基板34及缆线20。通过利用挠曲抑制构件60来覆盖缆线20与端子35的连接部，能够抑制缆线20的剥离。另外，在缆线20的另一端假定连接有搭载了电子部件的控制基板，因此，在缆线20与端子35的连接部，基板34可能产生比较大的挠曲。通过利用挠曲抑制构件60来覆盖缆线20与端子35的连接部，能够抑制基板34在该部分的挠曲。

在图28所示的例子中，在形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充有填充材料55。另外，在与闪烁体32的端部对应的区域，在挠曲抑制构件60的表面上经由粘接层54a还层叠有其他的挠曲抑制构件60a。更具体而言，挠曲抑制构件60a设置在跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)的区域。挠曲抑制构件60a也可以由与挠曲抑制构件60相同的材料构成。如图9所示，在闪烁体32的端部，基板34的挠曲量比较大。通过在与闪烁体32的端部对应的区域形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造，能够促进抑制基板34在闪烁体32的端部处的挠曲的效果。

如图29～图33所示，挠曲抑制构件60也可以设置为其端部位于比基板34的端部靠外侧的位置。

在图29所示的例子中，挠曲抑制构件60在与闪烁体32的中央部33a对应的区域，经由粘接层54而粘接于保护层53，在与烁体32的周缘部33b对应的区域及更靠其外侧的区域，在闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间，形成有与闪烁体32的周缘部33b处的倾斜相应的空间。

在图30所示的例子中，挠曲抑制构件60的端部由间隔件39支承。即，间隔件39的一端与设置于基板34的端部的缆线20连接，间隔件39的另一端经由粘接层56而与挠曲抑制构件60的端部连接。通过利用间隔件39来支承在与基板34之间形成空间的同时延伸的挠曲抑制构件60的端部，能够抑制挠曲抑制构件60的剥离。另外，能够使挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果作用至基板34的端部附近。

在图31所示的例子中，在形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充有填充材料55。在本实施方式中，缆线20与端子35的连接部由填充材料55覆盖。这样，通过向形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充填充材料55，与图29所示的方式相比，能够抑制挠曲抑制构件60从闪烁体32(保护层53)的剥离。此外，闪烁体32成为通过挠曲抑制构件60及填充材料55的双方而固定于基板34的构造，因此，能够抑制闪烁体32从基板34的剥离。另外，通过利用填充材料55来覆盖缆线20与端子35的连接部，能够抑制缆线20的剥离。

在图32所示的例子中，挠曲抑制构件60的外周部弯折为沿着闪烁体32的周缘部33b处的倾斜，并且，覆盖粘接层52及保护层53在基板34上覆盖的部分、粘接层52及保护层53的外侧的基板上、以及端子35与缆线20的连接部。挠曲抑制构件60的在基板34上及缆线20上延伸的部分分别经由粘接层54而粘接于基板34及缆线20。通过利用挠曲抑制构件60来覆盖缆线20与端子35的连接部，能够抑制缆线20的剥离。另外，在缆线20的另一端假定连接有搭载了电子部件的控制基板，因此，在缆线20与端子35的连接部，基板34可能产生比较大的挠曲。通过利用挠曲抑制构件60来覆盖缆线20与端子35的连接部，能够抑制基板34在该部分的挠曲。

在图33所示的例子中，在形成于闪烁体32(保护层53)与挠曲抑制构件60之间及基板34与挠曲抑制构件60之间的空间填充有填充材料55。另外，在与闪烁体32的端部对应的区域，在挠曲抑制构件60的表面上，经由粘接层54a还层叠有其他的挠曲抑制构件60a。更具体而言，挠曲抑制构件60a设置在跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)的区域。挠曲抑制构件60a也可以由与挠曲抑制构件60相同的材料构成。如图9所示，在闪烁体32的端部，基板34的挠曲量比较大。通过在与闪烁体32的端部对应的区域形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造，能够促进抑制基板34在闪烁体32的端部处的挠曲的效果。

这里，在放射线检测器30的制造工序中，在玻璃基板等支承体上粘贴具有可挠性的基板34，在基板34上层叠了闪烁体32之后，将支承体从基板34剥离。此时，在具有可挠性的基板34上可能产生挠曲，由此使形成在基板34上的像素41损伤。在将支承体从基板34剥离之前，通过以图13～图33所例示的方式在闪烁体32上预先层叠挠曲抑制构件60，能够抑制在将支承体从基板34剥离时产生的基板34的挠曲，能够降低像素41的损伤的风险。

图34～图39分别是示出将挠曲抑制构件设置在基板34的与闪烁体32相接的第一面s1的相反侧的第二面s2侧时的挠曲抑制构件的设置方式的例子的剖视图。

在图34～图39所示的例子中，基板34的第二面s2的大致整体分别经由粘接层54而与挠曲抑制构件60相接。即，挠曲抑制构件60的面积与基板34的面积大致相同。在挠曲抑制构件60的与基板34侧的面相反的一侧的面上，经由粘接层54a还层叠有其他的挠曲抑制构件60a。挠曲抑制构件60a也可以由与挠曲抑制部60相同的材料构成。在作为放射线检测器30的摄影方式而应用表面读取方式(iss)的情况下，为了尽量减小挠曲抑制构件60a与像素区域41a重叠的部分的面积，优选挠曲抑制构件60a仅设置在基板34的外周部。即，如图34～图39所示，挠曲抑制构件60a也可以是在与像素区域41a对应的部分具有开口61的环状。这样，通过在基板34的外周部形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造，能够加强比较容易产生挠曲的基板34的外周部的刚性。

在图34～图36所示的例子中，挠曲抑制构件60a设置在跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)的区域。如图9所示，在闪烁体32的端部，基板34的挠曲量比较大。通过在与闪烁体32的端部对应的区域形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造，能够促进抑制基板34在闪烁体32的端部处的挠曲的效果。

在作为放射线检测器30的摄影方式而应用表面读取方式(iss)的情况下，如图34所示，当挠曲抑制构件60a的一部分与像素区域41a重叠时，根据挠曲抑制构件60a的材质，可能会对图像造成影响。因此，在挠曲抑制构件60a的一部分与像素区域41a重叠的情况下，优选使用塑料作为挠曲抑制构件60a的材料。

如图35及图36所示，挠曲抑制构件60a最优选跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)且不与像素区域41a重叠的方式(即，挠曲抑制构件60a的开口61的端部配置在像素区域41a的外侧的方式)。在图35所示的例子中，挠曲抑制构件60a的开口61的端部的位置与像素区域41a的端部的位置大致一致。在图36所示的例子中，挠曲抑制构件60a的开口61的端部配置在像素区域41a的端部与闪烁体32的端部之间。

另外，如图37所示，挠曲抑制构件60a的开口61的端部的位置也可以与闪烁体32的端部的位置大致一致，另外，如图38所示，挠曲抑制构件60a的开口61的端部的位置也可以配置在比闪烁体32的端部靠外侧的位置。在该情况下，挠曲抑制构件60a没有成为跨越闪烁体32的端部(外缘，边缘)的构造，因此，抑制基板34在闪烁体32的端部处的挠曲的效果可能下降。然而，通过在存在有缆线20与端子35的连接部的基板34的外周部形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造，从而维持了抑制基板34在缆线20与端子35的连接部处的挠曲的效果。

在图39所示的例子中，挠曲抑制构件60的面积大于基板34的面积，挠曲抑制构件60的端部配置在比基板34的端部靠外侧的位置。根据该方式，通过将挠曲抑制构件60的从基板34伸出的部分螺纹固定于壳体14等，能够将放射线检测器30固定于壳体14的内部。

需要说明的是，在图34～图39中，例示出挠曲抑制构件60a的外侧的端部的位置与基板34的端部的位置大致一致的方式，但不局限于该方式。挠曲抑制构件60a的外侧的端部也可以配置在比基板34的端部靠外侧或靠内侧的位置。

另外，在图34～图39中，例示了在基板34的第二面s2侧形成基于挠曲抑制构件60及60a的层叠构造的方式，但不局限于该方式。例如，在图13～图33所例示的方式中，在挠曲抑制构件60设置于闪烁体32侧的情况下，也可以在基板34的第二面s2侧仅设置对基板34的外周部进行加强的挠曲抑制构件60a。

图40是示出挠曲抑制构件60的构造的一例的俯视图。挠曲抑制构件60也可以在其主面具有多个贯通孔62。贯通孔62的大小及间距被决定为，在挠曲抑制构件60中得到所希望的刚性。

通过挠曲抑制构件60具有多个贯通孔62，能够使向挠曲抑制构件60的与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面导入的空气从贯通孔62排出。由此，能够抑制挠曲抑制构件60的与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面处的气泡的产生。

在不存在使向挠曲抑制构件60的与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面导入的空气排出的单元的情况下，在上述接合面可能产生气泡。例如，在由于放射线图像摄影装置10的运转时的热而使上述接合面所产生的气泡膨胀时，挠曲抑制构件60与闪烁体32侧或基板34侧的紧贴性下降。由此，可能无法充分地发挥挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果。如图40所示，通过使用具有多个贯通孔62的挠曲抑制构件60，如上所述，能够抑制挠曲抑制构件60的与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面处的气泡的产生，因此，能够维持挠曲抑制构件60与闪烁体32侧或基板34侧的紧贴性，能够维持挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果。

图41是示出挠曲抑制构件60的构造的其他例的立体图。在图41所示的例子中，挠曲抑制构件60在与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面上具有凹凸构造。如图41所示，该凹凸构造也可以构成为包含相互平行地配置的多个槽63。例如如图42所示，挠曲抑制构件60的具有由多个槽63形成的凹凸构造的面与被反射膜50覆盖的闪烁体32接合。这样，通过挠曲抑制构件60在与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面具有凹凸构造，能够使向挠曲抑制构件60与闪烁体32侧或基板34侧的接合部导入的空气从槽63排出。由此，与图40所示的方式同样地，能够抑制挠曲抑制构件60的与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面处的气泡的产生。由此，能够维持挠曲抑制构件60与闪烁体32侧或基板34侧的紧贴性，能够维持挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果。

图43及图44分别是示出挠曲抑制构件60的构造的其他例的俯视图。如图43及图44所示，挠曲抑制构件60也可以被分割为多个断片64。如图43所示，挠曲抑制构件60也可以以多个断片64在一个方向上排列的方式分割。另外，如图44所示，挠曲抑制构件60也可以以多个断片64在纵向及横向上排列的方式分割。

挠曲抑制构件60的面积越大，在挠曲抑制构件60的与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面越容易产生气泡。如图43及图44所示，通过将挠曲抑制构件60分割成多个断片64，能够抑制挠曲抑制构件60的与闪烁体32侧或基板34侧接合的接合面处的气泡的产生。由此，能够维持挠曲抑制构件60与闪烁体32侧或基板34侧的紧贴性，能够维持挠曲抑制构件60的挠曲抑制效果。

图45～图47分别是示出放射线图像摄影装置10的其他结构例的图。放射线图像摄影装置10构成为包含壳体14、和收容于壳体14的内部的放射线检测器30、控制基板81及电源部82。

控制基板81是搭载有构成图3所示的控制部29、图像存储器28、栅极线驱动部22、电荷放大器24及信号处理部26的电子部件的一部分或全部的基板。控制基板81也可以是刚性比具有可挠性的基板34高的刚性基板。电源部82经由电力线83向搭载于控制基板81的电子部件供给电力。

壳体14优选轻质，x射线的吸收率低，且为高刚性，优选由弹性模量远高于挠曲抑制构件60的材料构成。作为壳体14的材料，优选使用弯曲弹性模量为10000mpa以上的材料。作为壳体14的材料，能够适合使用具有20000～60000mpa程度的弯曲弹性模量的碳或cfrp(carbonfiberreinforcedplastics，碳纤维增强塑料)。

在由放射线图像摄影装置10进行的放射线图像的摄影中，向壳体14的放射线入射面15施加来自被摄物的载荷。在挠曲抑制构件60例如由软质塑料等弹性模量比较低的材料构成的情况下，当壳体14的刚性不足时，通过来自被摄物的载荷而使基板34产生挠曲，可能产生像素41损伤等不良情况。通过在由具有10000mpa以上的弯曲弹性模量的材料构成的壳体14内部收容具备挠曲抑制构件60的放射线检测器30，即便在挠曲抑制构件60由例如软质塑料等弹性模量比较低的材料构成的情况下，也能够抑制基板34的因来自被摄物的载荷而产生的挠曲。通过使挠曲抑制构件60与壳体14的内壁面紧贴，能够进一步促进抑制基板34的因来自被摄物的载荷而产生的挠曲的效果。在该情况下，挠曲抑制构件60与壳体14的内壁面可以经由粘接层而粘接，也可以不经由粘接层而只是接触。

在图45及图46所示的例子中，例示了放射检测器30、控制基板81及电源部82沿图中横向并排配置的结构。如图46所示，也可以使壳体14的内部空间的收容放射线检测器30的区域的厚度比收容控制基板81及电源部82的区域的厚度薄。由此，能够构成与放射线检测器30的厚度相应的极薄型的可移动式电子暗盒。为了缓和收容放射线检测器30的区域与收容控制基板81及电源部82的区域之间的阶梯差，壳体14优选在连接这两个区域的部分具有倾斜部14a。通过壳体14具有倾斜部14a，在将放射线图像摄影装置10插入到作为被摄物的患者的下方的状态下使用时，能够降低患者的不适感。

在图47所示的例子中，在壳体14的内部空间，将尺寸与放射线检测器30的基板34大致相同的基台37设置在与基板34重叠的位置，在基台37上设置有控制基板81及电源部82。根据该结构，与放射检测器30、控制基板81及电源部82沿图中横向并排配置的情况相比，能够减小放射线图像摄影装置10的俯视下的尺寸。

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