1.倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试装置，其特征在于，包括工装、pcb板和待测芯片，其中，
所述工装固定设置于所述pcb板上，所述工装与所述pcb板接触的接触面上设置有若干引脚触点；
所述工装开设有一空腔，所述空腔在与所述接触面相对的一端面上设有第一开口；
所述工装包括一旋转螺丝，所述旋转螺丝穿过所述第一开口，并可沿垂直于所述接触面的方向移动，所述旋转螺丝沿其移动方向开设有一第一贯通孔；
进行测试时，所述待测芯片放置在所述空腔内，通过旋转所述旋转螺丝，使所述旋转螺丝向所述接触面方向移动并压紧所述待测芯片，使所述待测芯片通过所述引脚触点与所述pcb板形成电连接，重离子通过所述第一贯通孔直接辐照至所述待测芯片。
2.根据权利要求1所述的倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试装置，其特征在于，所述工装包括芯片容器上盖、芯片容器和芯片容器底板，其中，
所述芯片容器底板固定设置于所述pcb板上，所述引脚触点设置于所述芯片容器底板上；
所述芯片容器固定设置于所述芯片容器底板上，所述芯片容器开设有一第二贯通孔，所述第二贯通孔的第一端口与所述芯片容器底板相接触，形成所述空腔，所述第二贯通孔的第二端口即为所述第一开口；
所述旋转螺丝穿设于所述芯片容器上盖上，所述芯片容器上盖通过一扣紧结构扣紧在所述芯片容器上。
3.根据权利要求1或2所述的倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试装置，其特征在于，进行测试时，所述待测芯片的裸芯片位于所述第一贯通孔径向截面在所述接触面的投影范围内。
4.根据权利要求1或2所述的倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试装置，其特征在于，所述待测芯片的基片减薄至一定厚度，使可穿透所述基片的重离子种类数量满足let截面拟合所需的最少数量。
5.根据权利要求1或2所述的倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试装置，其特征在于，所述若干引脚触点分布与所述待测芯片的引脚分布相对应，且所述引脚触点直径与所述待测芯片的引脚直径向对应。
6.根据权利要求1或2所述的倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试装置，其特征在于，所述第一贯通孔为圆柱形，其孔径大于所述待测芯片的裸芯片的直径。
7.根据权利要求1或2所述的倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试装置，其特征在于，所述pcb板下方加装硬质板材。
8.倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
将工装安装在电子系统的pcb板上；
减薄所述待测芯片的基片；
将所述待测芯片放入并固定在所述工装中；
选择若干种类的重离子对所述待测芯片进行重离子辐照试验，并获取测试数据；
根据所述测试数据，拟合所述待测芯片的let翻转截面。
9.根据权利要求8所述的倒扣封装芯片抗单粒子效应性能测试方法，其特征在于，采用weibull拟合方法拟合所述待测芯片的let翻转截面。