一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置与流程

本申请涉及电子元器件检测领域，尤其涉及一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置。

背景技术：

随着时代的发展，芯片贴片技术的发展越来越快，如何确保芯片贴片的精准性和高效性渐渐成为人们研究的重点。

现有的芯片贴片技术中，芯片在放置的过程中常常会产生一定角度的偏移，且贴片机对偏移的芯片进行识别、贴片的效果并不好，故会在贴片机对芯片进行操作前，采用限制装置对芯片的位置进行限制，即便如此，芯片仍会产生一定角度的偏移，且采用限制装置会降低芯片贴片作业的效率。

技术实现要素：

本申请提供了一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置，可有利于提高芯片贴片作业的效率。

为了实现上述技术效果，本申请第一方面提供了一种基于电容阵列的芯片参数检测方法，上述电容阵列包括：m*n个电容，上述m和n不小于2；

上述芯片参数检测方法包括：

将待检测芯片置于上述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，其中，上述上极板阵列由上述m*n个电容的上极板构成，上述下极板阵列由上述m*n个电容的下极板构成；

分别采集上述m*n个电容中各个电容的电容值，得到m*n大小的电容值矩阵，其中，上述电容值矩阵中第i行第j列的元素为上述m*n个电容中第i行第j列的电容的电容值，i∈[1，m]，j∈[1，n]；

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线，其中，上述目标元素为电容值大于电容阈值的元素；

基于上述中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出上述待检测芯片的偏移角度，其中，上述偏移角度为上述中心轴线相对于上述0度参考线的偏移角度。

基于本申请第一方面，在第一种可能的实现方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线包括：

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置；

基于上述四个角点所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线。

基于本申请第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

以预设的矩阵窗口提取出上述电容值矩阵的全部子矩阵，将各个上述子矩阵分别与预设的角点算子矩阵进行乘积，得到哈达玛积矩阵，其中，上述角点算子矩阵与上述矩阵窗口具备相同的行数和列数；

基于各个上述哈达玛积矩阵和预设的角点矩阵特征信息，确定出左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；其中，上述角点矩阵特征信息包括：左上角矩阵特征信息、右上角矩阵特征信息、左下角矩阵特征信息和右下角矩阵特征信息，上述左上角子矩阵为与上述左上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述右上角子矩阵为与上述右上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；

分别将上述左上角子矩阵的左上角点所在位置、上述右上角子矩阵的右上角点所在位置、上述左下角子矩阵的左下角点所在位置和上述右下角子矩阵的右下角点所在位置确定为上述待检测芯片的四个角点所在位置。

基于本申请第一方面的第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

对上述电容值矩阵中目标元素所在区域进行整体特征识别；

基于上述整体特征识别的结果，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置。

基于本申请第一方面或本申请第一方面的第一种或第二种或第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，上述芯片参数检测方法还包括：

基于目标电容的极板面积、电容值和厚度关系参数，测算上述待检测芯片的厚度，其中，上述目标电容为一目标元素所对应的电容，上述极板面积为上述目标电容的上极板与下极板的正对面积。

本申请第二方面提供了一种基于电容阵列的芯片参数检测装置，上述电容阵列包括：m*n个电容，上述m和n不小于2；

上述芯片参数检测装置包括：

放置单元，用于将待检测芯片置于上述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，其中，上述上极板阵列由上述m*n个电容的上极板构成，上述下极板阵列由上述m*n个电容的下极板构成；

采集单元，用于分别采集上述m*n个电容中各个电容的电容值，得到m*n大小的电容值矩阵，其中，上述电容值矩阵中第i行第j列的元素为上述m*n个电容中第i行第j列的电容的电容值，i∈[1，m]，j∈[1，n]；

第一确定单元，用于基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线，其中，上述目标元素为电容值大于电容阈值的元素；

第二确定单元，用于基于上述中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出上述待检测芯片的偏移角度，其中，上述偏移角度为上述中心轴线相对于上述0度参考线的偏移角度。

基于本申请第二方面，在第一种可能的实现方式中，上述第一确定单元具体用于：

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置；

基于上述四个角点所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线。

基于本申请第二方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，上述第一确定单元具体还用于：

以预设的矩阵窗口提取出上述电容值矩阵的全部子矩阵，将各个上述子矩阵分别与预设的角点算子矩阵进行乘积，得到哈达玛积矩阵，其中，上述角点算子矩阵与上述矩阵窗口具备相同的行数和列数；

基于各个上述哈达玛积矩阵和预设的角点矩阵特征信息，确定出左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；其中，上述角点矩阵特征信息包括：左上角矩阵特征信息、右上角矩阵特征信息、左下角矩阵特征信息和右下角矩阵特征信息，上述左上角子矩阵为与上述左上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述右上角子矩阵为与上述右上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；

分别将上述左上角子矩阵的左上角点所在位置、上述右上角子矩阵的右上角点所在位置、上述左下角子矩阵的左下角点所在位置和上述右下角子矩阵的右下角点所在位置确定为上述待检测芯片的四个角点所在位置。

本申请第三方面提供了一种芯片参数检测装置，包括存储器、处理器和电容阵列，上述存储器存储有计算机程序，上述电容阵列包括：m*n个电容，上述m和n不小于2；

上述处理器执行上述计算机程序时实现上述第一方面或上述第一方面的任一可能实现方式中提及的芯片参数检测方法的步骤。

本申请第四方面提供了一种计算机可读存储介质，上述计算机可读存储介质存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面或上述第一方面的任一可能实现方式中提及的芯片参数检测方法的步骤。

由上可见，本申请方案将待检测芯片置于电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，之后分别采集各个电容的电容值，得到电容值矩阵，基于电容值矩阵中目标元素所在位置，确定待检测芯片的中心轴线，基于中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出待检测芯片的偏移角度。由于不同厚度的待检测芯片置于电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间时，会使电容阵列中各电容的电容值产生不同的变化，因此，一方面，通过检测上述电容值并加以算法处理的方案，确定待检测芯片的偏转角度可靠性较高；另一方面，在获知待检测芯片的偏转角度后，有利于贴片机根据得到的偏移角度对待检测芯片进行针对性操作，避免了限制装置的使用，提升了芯片贴片作业的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请提供的基于电容阵列的芯片参数检测方法一个实施例流程示意图；

图2-a为本申请提供的一种待检测芯片放置装置结构示意图之一；

图2-b为本申请提供的一种待检测芯片放置装置结构示意图之二；

图2-c为本申请提供的一种待检测芯片放置装置结构示意图之三；

图3为本申请提供的基于电容阵列的芯片参数检测装置一个实施例结构示意图；

图4为本申请提供的芯片参数检测装置一个实施例结构示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其他实施例中也可以实现本申请。在其它情况下，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

下面结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例一

本申请提供一种基于电容阵列的芯片参数检测方法，上述电容阵列包括：m*n个电容，上述m和n不小于2；

如图1所示，上述芯片参数检测方法包括：

步骤101，将待检测芯片置于上述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，其中，上述上极板阵列由上述m*n个电容的上极板构成，上述下极板阵列由上述m*n个电容的下极板构成；

本申请实施例中，将待检测芯片置于上述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，以改变电容阵列在该待检测芯片处的电容值。

具体的，如图2-a、图2-b和图2-c所示为本申请提供的一种待检测芯片放置装置在不同角度的结构示意图，如图2-a、图2-b和图2-c所示，该待检测芯片放置装置包括：待检测芯片201、包含上极板阵列2021和下极板阵列2022的电容阵列、移动平台203、驱动电机204和传动丝杠205；

在实际应用中，检测人员可将待检测芯片201放置于移动平台203上，并通过与驱动电机204连接的控制器输入移动指令，驱动电机204将根据该移动指令进行运作，以驱动传动丝杠205将移动平台203及其上放置的待检测芯片201移动至上极板阵列2021与下极板阵列2022之间，完成待检测芯片201的放置步骤。

需要说明的是，由于本申请采用电容阵列进行芯片参数的检测，需尽量避免将待检测芯片201在移动平台203上贴边放置，否则，可能会影响芯片参数检测的结果。

步骤102，分别采集上述m*n个电容中各个电容的电容值，得到m*n大小的电容值矩阵，其中，上述电容值矩阵中第i行第j列的元素为上述m*n个电容中第i行第j列的电容的电容值，i∈[1，m]，j∈[1，n]；

本申请实施例中，分别采集上述电容阵列中各个电容的电容值，并将该各个电容的电容值按照该各个电容所在位置进行排列，以得到电容值阵列。

以图2-a、图2-b和图2-c所示的待检测芯片放置装置为例进行说明，从上极板阵列2021可以看出，该电容阵列由8*8的电容构成，故在采集该电容阵列中各个电容的电容值，并将该各个电容的电容值按照该各个电容所在位置进行排列之后，可得到一个8*8大小的数字矩阵，该数字矩阵即为电容值矩阵。

步骤103，基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线，其中，上述目标元素为电容值大于电容阈值的元素；

本申请实施例中，可将上述电容值矩阵中大于电容阈值的元素确定为目标元素，由于该目标元素所在区域即为上述待检测芯片所在区域，可通过对该目标元素所在区域进行算法处理，以确定待检测芯片的中心轴线。

可选的，对上述电容值矩阵中的元素作二值化处理。具体的，可将上述电容值矩阵中大于2的元素二值化为3，并将上述电容值矩阵中小于或等于2的元素二值化为0。

可选的，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线包括：

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置；

基于上述四个角点所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线。

进一步的，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

以预设的矩阵窗口提取出上述电容值矩阵的全部子矩阵，将各个上述子矩阵分别与预设的角点算子矩阵进行乘积，得到哈达玛积矩阵，其中，上述角点算子矩阵与上述矩阵窗口具备相同的行数和列数；

基于各个上述哈达玛积矩阵和预设的角点矩阵特征信息，确定出左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；其中，上述角点矩阵特征信息包括：左上角矩阵特征信息、右上角矩阵特征信息、左下角矩阵特征信息和右下角矩阵特征信息，上述左上角子矩阵为与上述左上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述右上角子矩阵为与上述右上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；

分别将上述左上角子矩阵的左上角点所在位置、上述右上角子矩阵的右上角点所在位置、上述左下角子矩阵的左下角点所在位置和上述右下角子矩阵的右下角点所在位置确定为上述待检测芯片的四个角点所在位置。

为了更好地说明上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置的方案，举例如下：

上述电容值矩阵初始为：

对上述电容值矩阵中的元素作二值化处理：将上述电容值矩阵中大于2的元素二值化为3，将上述电容值矩阵中小于或等于2的元素二值化为0。

上述电容值矩阵二值化后为：

预设的角点算子矩阵为：

以3*3大小的矩阵窗口提取出上述电容值矩阵的全部子矩阵。

举例如下：

计算该子矩阵与上述角点算子矩阵乘积后的哈达玛积矩阵如下：

上述全部子矩阵包括：左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；

当提取到如下四种子矩阵：

子矩阵1：

子矩阵2：

子矩阵3：

子矩阵4：

将上述四种子矩阵分别与上述角点算子矩阵乘积，得到的四种哈达玛积矩阵如下：

哈达玛积矩阵1：

哈达玛积矩阵2：

哈达玛积矩阵3：

哈达玛积矩阵4：

基于对上述四种哈达玛积矩阵的特征信息与预设的角点矩阵特征信息的对比结果，确定上述四种哈达玛积矩阵分别为：左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；

基于上述四种哈达玛积矩阵与上述四种子矩阵的对应关系，确定上述子矩阵1为左上角子矩阵，上述子矩阵2为右上角子矩阵，上述子矩阵3为左下角子矩阵，上述子矩阵4为右下角子矩阵。

分别将上述左上角子矩阵的左上角点所在位置、上述右上角子矩阵的右上角点所在位置、上述左下角子矩阵的左下角点所在位置和上述右下角子矩阵的右下角点所在位置确定为上述待检测芯片的四个角点所在位置。

进一步的，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

对上述电容值矩阵中目标元素所在区域进行整体特征识别；

基于上述整体特征识别的结果，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置。

为了更好地说明上述基于上述四个角点所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线的方案，举例如下：

如图2-c所示，以预设的0度参考线206为纵坐标，建立坐标系；

基于上述四个角点所在位置，确定四个角点坐标；

将上述四个角点坐标的横坐标和纵坐标分别带入如下圆心拟合公式中的x圆和y圆中：

(x圆-x圆心)²+(y圆-y圆心)²＝r²

其中，(x圆心，y圆心)为圆心坐标，(x圆，y圆)为圆上点的坐标，r为圆的半径；

计算得出的圆心坐标(x圆心，y圆心)即为上述待检测芯片的中心坐标；

计算上述四个角点坐标中纵坐标最大和纵坐标第二大的角点坐标之间的中点坐标，或者计算上述四个角点坐标中纵坐标最小和纵坐标第二小的角点坐标之间的中点坐标；

基于上述中心坐标与上述中点坐标，两点确定一条直线，确定上述待检测芯片的中心轴线。

步骤104，基于上述中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出上述待检测芯片的偏移角度，其中，上述偏移角度为上述中心轴线相对于上述0度参考线的偏移角度。

本申请实施例中，如图2-c所示，由于上述待检测芯片在被放置时仅会产生较小的角度偏移，可通过测算上述中心轴线与预设的0度参考线206之间的锐角角度，以确定并输出上述待检测芯片的偏移角度。

可选的，上述芯片参数检测方法还包括：

基于目标电容的极板面积、电容值和厚度关系参数，测算上述待检测芯片的厚度，其中，上述目标电容为一目标元素所对应的电容，上述极板面积为上述目标电容的上极板与下极板的正对面积。

具体的，可将一目标元素所对应的电容的极板面积、电容值带入如下公式中：

d厚＝ε0d

其中，c为电容值，ε为介电常数，s为极板面积，k为静电力常量，d为板间距离，ε0为厚度关系参数，d厚为待检测芯片的厚度；

经上述计算得出上述待检测芯片的厚度。

具体的，上述一目标元素可以是上述中心坐标处所对应的元素。

需要说明的是，上述厚度关系参数为经验参数，用于对应上述板间距离d与上述待检测芯片的厚度d厚之间的关系。

由上可见，本申请的基于电容阵列的芯片参数检测方法通过将待检测芯片置于电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，分别采集各个电容的电容值，得到电容值矩阵，基于电容值矩阵中目标元素所在位置，确定待检测芯片的中心轴线，基于中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出待检测芯片的偏移角度。由于不同厚度的待检测芯片置于电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间时，会使电容阵列中各电容的电容值产生不同的变化，因此，一方面，通过检测上述电容值并加以算法处理的方案，确定待检测芯片的偏转角度可靠性较高；另一方面，在获知待检测芯片的偏转角度后，有利于贴片机根据得到的偏移角度对待检测芯片进行针对性操作，避免了限制装置的使用，提升了芯片贴片作业的效率。

实施例二

本申请还提供一种基于电容阵列的芯片参数检测装置，对应上文实施例一所述的芯片参数检测方法。图3示出了本申请实施例二提供的一种芯片参数检测装置。为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分。除非本实施例清楚地指明其它情况，否则本实施例中未明确说明之处皆与实施例一种的芯片参数检测方法相对应。

本申请实施例中，上述电容阵列包括：m*n个电容，上述m和n不小于2；

如图3所示，芯片参数检测装置30包括：放置单元301、采集单元302、第一确定单元303和第二确定单元304；

放置单元301用于：将待检测芯片置于上述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，其中，上述上极板阵列由上述m*n个电容的上极板构成，上述下极板阵列由上述m*n个电容的下极板构成；

采集单元302用于：分别采集上述m*n个电容中各个电容的电容值，得到m*n大小的电容值矩阵，其中，上述电容值矩阵中第i行第j列的元素为上述m*n个电容中第i行第j列的电容的电容值，i∈[1，m]，j∈[1，n]；

第一确定单元303用于：基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线，其中，上述目标元素为电容值大于电容阈值的元素；

第二确定单元304用于：基于上述中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出上述待检测芯片的偏移角度，其中，上述偏移角度为上述中心轴线相对于上述0度参考线的偏移角度。

可选的，第一确定单元303具体用于：

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置；

基于上述四个角点所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线。

进一步的，第一确定单元303具体还用于：

以预设的矩阵窗口提取出上述电容值矩阵的全部子矩阵，将各个上述子矩阵分别与预设的角点算子矩阵进行乘积，得到哈达玛积矩阵，其中，上述角点算子矩阵与上述矩阵窗口具备相同的行数和列数；

基于各个上述哈达玛积矩阵和预设的角点矩阵特征信息，确定出左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；其中，上述角点矩阵特征信息包括：左上角矩阵特征信息、右上角矩阵特征信息、左下角矩阵特征信息和右下角矩阵特征信息，上述左上角子矩阵为与上述左上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述右上角子矩阵为与上述右上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；

分别将上述左上角子矩阵的左上角点所在位置、上述右上角子矩阵的右上角点所在位置、上述左下角子矩阵的左下角点所在位置和上述右下角子矩阵的右下角点所在位置确定为上述待检测芯片的四个角点所在位置。

进一步的，第一确定单元303具体还用于：

对上述电容值矩阵中目标元素所在区域进行整体特征识别；

基于上述整体特征识别的结果，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置。

可选的，芯片参数检测装置30还包括：厚度测算单元305；

厚度测算单元305用于：

基于目标电容的极板面积、电容值和厚度关系参数，测算上述待检测芯片的厚度，其中，上述目标电容为一目标元素所对应的电容，上述极板面积为上述目标电容的上极板与下极板的正对面积。

需要说明的是，上述芯片参数检测装置可以集成于如图2-a、图2-b和图2-c所示的待检测芯片放置装置中，也可以是独立的装置，此处不作限定。

由上可见，本申请的基于电容阵列的芯片参数检测装置通过将待检测芯片置于电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，分别采集各个电容的电容值，得到电容值矩阵，基于电容值矩阵中目标元素所在位置，确定待检测芯片的中心轴线，基于中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出待检测芯片的偏移角度。由于不同厚度的待检测芯片置于电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间时，会使电容阵列中各电容的电容值产生不同的变化，因此，一方面，通过检测上述电容值并加以算法处理的方案，确定待检测芯片的偏转角度可靠性较高；另一方面，在获知待检测芯片的偏转角度后，有利于贴片机根据得到的偏移角度对待检测芯片进行针对性操作，避免了限制装置的使用，提升了芯片贴片作业的效率。

实施例三

本申请还提供一种芯片参数检测装置，如图4所示，本申请实施例中的芯片参数检测装置包括：存储器401、处理器402以及存储在存储器401中并可在处理器402上运行的计算机程序和电容阵列403，其中：存储器401用于存储软件程序以及模块，处理器402通过运行存储在存储器401的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理，电容阵列403包括：m*n个电容，上述m和n不小于2。存储器401、处理器402和电容阵列403通过总线404连接。

具体的，处理器402通过运行存储在存储器401的上述计算机程序时实现以下步骤：

将待检测芯片置于上述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，其中，上述上极板阵列由上述m*n个电容的上极板构成，上述下极板阵列由上述m*n个电容的下极板构成；

分别采集上述m*n个电容中各个电容的电容值，得到m*n大小的电容值矩阵，其中，上述电容值矩阵中第i行第j列的元素为上述m*n个电容中第i行第j列的电容的电容值，i∈[1，m]，j∈[1，n]；

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线，其中，上述目标元素为电容值大于电容阈值的元素；

基于上述中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出上述待检测芯片的偏移角度，其中，上述偏移角度为上述中心轴线相对于上述0度参考线的偏移角度。

假设上述为第一种可能的实施方式，则在基于上述第一种可能的实施方式的第二种可能的实施方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线包括：

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置；

基于上述四个角点所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线。

在基于上述第二种可能的实施方式的第三种可能的实施方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

以预设的矩阵窗口提取出上述电容值矩阵的全部子矩阵，将各个上述子矩阵分别与预设的角点算子矩阵进行乘积，得到哈达玛积矩阵，其中，上述角点算子矩阵与上述矩阵窗口具备相同的行数和列数；

基于各个上述哈达玛积矩阵和预设的角点矩阵特征信息，确定出左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；其中，上述角点矩阵特征信息包括：左上角矩阵特征信息、右上角矩阵特征信息、左下角矩阵特征信息和右下角矩阵特征信息，上述左上角子矩阵为与上述左上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述右上角子矩阵为与上述右上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；

分别将上述左上角子矩阵的左上角点所在位置、上述右上角子矩阵的右上角点所在位置、上述左下角子矩阵的左下角点所在位置和上述右下角子矩阵的右下角点所在位置确定为上述待检测芯片的四个角点所在位置。

在基于上述第二种可能的实施方式的第四种可能的实施方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

对上述电容值矩阵中目标元素所在区域进行整体特征识别；

基于上述整体特征识别的结果，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置。

在基于上述第一种或第二种或第三种或第四种可能的实施方式的第五种可能的实施方式中，基于目标电容的极板面积、电容值和厚度关系参数，测算上述待检测芯片的厚度，其中，上述目标电容为一目标元素所对应的电容，上述极板面积为上述目标电容的上极板与下极板的正对面积。

具体的，存储器401可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器402提供指令和数据。存储器401的一部分或全部还可以包括非易失性随机存取存储器；处理器402可以是中央处理单元(centralprocessingunit，cpu)，该处理器还可以是其它通用处理器、数字信号处理器(digitalsignalprocessor，dsp)、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmablegatearray，fpga)或者其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

需要说明的是，上述芯片参数检测装置可以集成于如图2-a、图2-b和图2-c所示的待检测芯片放置装置中，也可以是独立的装置，此处不作限定。

实施例四

本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存有计算机程序，该计算机程序被执行时可以实现上述实施例所提供的步骤。具体的，该计算机程序包括计算机程序代码，上述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式中的一种，此处不作限定；该计算机可读存储介质可以为能够携带上述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、u盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质中的一种，此处不作限定。需要说明的是，上述计算机可读存储介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将上述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

需要说明的是，上述实施例所提供的方法及其细节举例可结合至实施例提供的装置和设备中，相互参照，不再赘述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各实例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟是以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同的方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/设备实施例仅仅是示意性的，例如，上述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以由另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。

上述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。