技术特征：
1.一种放射线检测器，其中，具备：光检测面板，其具有受光部及多个焊盘，所述受光部包含一维或二维排列的多个光电转换元件，所述焊盘与所述光电转换元件电连接且配置于所述受光部的外侧；闪烁器层，其以覆盖所述受光部的方式层叠于所述光检测面板上，将放射线转换成光；面板保护部，其以在从所述闪烁器层的层叠方向观察的情况下，与所述闪烁器层及所述焊盘分离并通过所述闪烁器层与所述焊盘之间，且包围所述闪烁器层的方式，形成于所述光检测面板上；及闪烁器保护膜，其覆盖所述闪烁器层，且具有位于所述面板保护部上的外缘，在所述面板保护部，形成有与所述闪烁器保护膜的外缘连续的槽，所述槽包含：前照射部，其通过一边将激光的能量从较能够切断所述闪烁器保护膜的阈值能量小的值增加至较所述阈值能量大的值，一边沿着所述面板保护部进行扫描而形成；主照射部，其通过一边将所述激光的能量维持在较所述阈值能量大的值，一边沿着所述面板保护部进行扫描而形成；及后照射部，其通过一边将所述激光的能量从较所述阈值能量大的值减少至较所述阈值能量小的值，一边沿着所述面板保护部进行扫描而形成。2.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，还具备：包覆树脂，其覆盖所述闪烁器保护膜的所述外缘。3.如权利要求2所述的放射线检测器，其中，所述包覆树脂进一步覆盖所述面板保护部，所述包覆树脂，具有以所述包覆树脂与所述面板保护部的接触面的缘部形成于所述面板保护部上的方式，能够留于所述面板保护部的材料特性。4.如权利要求2或3所述的放射线检测器，其中，所述面板保护部的中央部较所述面板保护部的两缘部高。5.如权利要求1至4中任一项所述的放射线检测器，其中，所述面板保护部的宽度是700微米以上且1000微米以下。6.如权利要求1至5中任一项所述的放射线检测器，其中，所述面板保护部的高度是100微米以上且300微米以下。7.一种放射线检测器的制造方法，其中，具有：准备光检测面板，并将闪烁器层以覆盖受光部的方式层叠于所述光检测面板上的工序，其中，所述光检测面板具有所述受光部及多个焊盘，所述受光部包含一维或二维排列的多个光电转换元件，所述焊盘与所述光电转换元件电连接且配置于所述受光部的外侧，所述闪烁器层将放射线转换成光；以从所述闪烁器层的层叠方向观察的情况下，包围所述闪烁器层的方式，在所述光检测面板上配置面板保护部的工序；以覆盖所述光检测面板的层叠有所述闪烁器层的一侧的表面整体及所述面板保护部的表面的方式，形成闪烁器保护膜的工序；
通过沿着所述面板保护部照射激光，而切断所述闪烁器保护膜的工序；及去除所述闪烁器保护膜的外侧的部分的工序，在切断所述闪烁器保护膜的工序中，包含：前照射工序，其一边将所述激光的能量从较能够切断所述闪烁器保护膜的阈值能量小的值增加至较所述阈值能量大的值，一边沿着所述面板保护部进行扫描；主照射工序，其一边将所述激光的能量维持在较所述阈值能量大的值，一边沿着所述面板保护部进行扫描；及后照射工序，其一边将所述激光的能量从较所述阈值能量大的值减少至较所述阈值能量小的值，一边沿着所述面板保护部进行扫描。8.如权利要求7所述的放射线检测器的制造方法，其中，所述面板保护部包含树脂框，在配置所述面板保护部的工序中，以与所述闪烁器层及所述焊盘分离并通过所述闪烁器层与所述焊盘之间，且包围所述闪烁器层的方式，在所述光检测面板上配置所述树脂框。9.如权利要求8所述的放射线检测器的制造方法，其中，所述面板保护部还包含遮蔽构件，在配置所述面板保护部的工序中，以覆盖所述焊盘的方式，在所述光检测面板上进一步配置所述遮蔽构件。10.如权利要求7所述的放射线检测器的制造方法，其中，所述面板保护部包含遮蔽构件，在配置所述面板保护部的工序中，以覆盖所述闪烁器层与所述焊盘之间的区域、及所述焊盘的方式，在所述光检测面板上配置所述遮蔽构件，在形成所述闪烁器保护膜的工序中，在所述光检测面板的层叠有所述闪烁器层的一侧的表面整体及所述遮蔽构件的表面，形成所述闪烁器保护膜。11.如权利要求10所述的放射线检测器的制造方法，其中，在切断所述闪烁器保护膜的工序之后，还包含去除所述遮蔽构件的工序。12.如权利要求10或11所述的放射线检测器的制造方法，其中，在去除所述闪烁器保护膜的外侧的部分的工序之后，还包含形成覆盖所述闪烁器保护膜的外缘的包覆树脂的工序。
技术总结
本发明的放射线检测器(1)具备：光电转换元件阵列(7)；将放射线转换成光的闪烁器层(8)；形成于光电转换元件阵列(7)上的树脂框(9)；及覆盖闪烁器层(8)的保护膜(13)。在树脂框(9)，形成有与保护膜(13)的外缘(13a)连续的沟(30)。沟(30)包含：通过一边使激光的能量增加一边沿着树脂框(9)进行扫描所形成的前照射部(Rs)；通过一般维持激光的能量一边沿着树脂框(9)进行扫描所形成的主照射部(Ra)；及通过一边使激光的能量减少一边沿着树脂框(9)进行扫描所形成的后照射部(Re)。扫描所形成的后照射部(Re)。扫描所形成的后照射部(Re)。
技术研发人员：伊奈雅实 榑林章仁
受保护的技术使用者：浜松光子学株式会社
技术研发日：2020.10.12
技术公布日：2022/8/5