用于晶圆键合对准精度检测的装置及方法与流程

本申请大体上涉及半导体加工设备领域，且更具体来说，涉及一种用于晶圆键合对准精度检测的装置及方法。

背景技术：

1、晶圆键合完成后，将对两个晶圆的键合对准精度进行检测。在此过程中，需要对两个晶圆中间的标识成像。当前的透射式成像技术主要用于医学有关的检测，若用于晶圆的键合对准精度的检测，则两个晶圆各表面的反射光和晶圆内部杂质的散射光会降低成像对比度，从而影响检测精度。

技术实现思路

1、本申请提供了一种用于晶圆键合对准精度检测的装置及方法，其采用反射式成像技术，不会导致透射式成像技术所衍生的问题。详言之，本申请的装置及方法采用共焦显微技术，利用三维扫描分层成像的方法来对两个晶圆中间的标识成像，以提高成像的对比度，从而提高晶圆键合对准的检测精度。

2、在一方面，本申请提供了一种用于晶圆键合对准精度检测的装置，其包括：点光源，其用以产生光束；第一透镜，其用以透射部分的入射光且反射部分的入射光；第二透镜，其用以对晶圆的标识聚焦；及相机，其用以透过光阑对所述晶圆的所述标识进行拍摄，其中，所述点光源与所述相机位于所述晶圆的同一侧，且所述第一透镜经配置以朝所述第二透镜反射部分的所述光束，且所述部分的所述光束在所述标识所在的平面处反射并通过所述第二透镜后，朝所述光阑入射。

3、根据本申请的实施例，所述点光源是发光二极管光源与激光光源中的一者。

4、根据本申请的实施例，所述第一透镜是半反半透镜。

5、根据本申请的实施例，所述第二透镜是物镜。

6、根据本申请的实施例，所述光阑的孔径大小可调节。

7、根据本申请的实施例，所述晶圆具有第一表面与第二表面，其中所述点光源与所述相机位于所述晶圆的所述第二表面的一侧。

8、根据本申请的实施例，所述点光源、所述第一透镜与所述第二透镜位于所述晶圆的所述第二表面的所述一侧。

9、根据本申请的实施例，所述晶圆的所述标识位于所述第一表面与所述第二表面之间。

10、在另一方面，本申请还提供了一种用于晶圆键合对准精度检测的方法，其包括：提供点光源，其用以产生光束；提供第一透镜，其用以透射部分的入射光且反射部分的入射光；提供第二透镜，其用以对晶圆的标识聚焦；提供相机，其用以透过光阑对所述晶圆的所述标识进行拍摄；及使所述点光源朝所述第一透镜发出光束，其中，所述点光源与所述相机位于所述晶圆的同一侧，且所述第一透镜朝所述第二透镜反射部分的所述光束，且所述部分的所述光束在所述标识所在的平面处反射并通过所述第二透镜后，朝所述光阑入射。

11、在以下附图及描述中阐述本申请的一或多个实例的细节。其他特征、目标及优势将根据所述描述及附图以及权利要求书而显而易见。

技术特征：

1.一种用于晶圆键合对准精度检测的装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述点光源是发光二极管光源与激光光源中的一者。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一透镜是半反半透镜。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二透镜是物镜。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述光阑的孔径大小可调节。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述晶圆具有第一表面与第二表面，其中所述点光源与所述相机位于所述晶圆的所述第二表面的一侧。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述点光源、所述第一透镜与所述第二透镜位于所述晶圆的所述第二表面的所述一侧。

8.根据权利要求6所述的装置，其中所述晶圆的所述标识位于所述第一表面与所述第二表面之间。

9.一种用于晶圆键合对准精度检测的方法，其包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述点光源是发光二极管光源与激光光源中的一者。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一透镜是半反半透镜。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二透镜是物镜。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述光阑的孔径大小可调节。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述晶圆具有第一表面与第二表面，其中所述点光源与所述相机位于所述晶圆的所述第二表面的一侧。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述点光源、所述第一透镜与所述第二透镜位于所述晶圆的所述第二表面的所述一侧。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述晶圆的所述标识位于所述第一表面与所述第二表面之间。

技术总结
本申请涉及一种用于晶圆键合对准精度检测的装置及方法。在本申请的一实施例中，所述用于晶圆键合对准精度检测的装置包括：点光源，其用以产生光束；第一透镜，其用以透射部分的入射光且反射部分的所述入射光；第二透镜，其用以对晶圆的标识聚焦；及相机，其用以透过光阑对所述晶圆的所述标识进行拍摄，其中，所述点光源与所述相机位于所述晶圆的同一侧，且所述第一透镜经配置以朝所述第二透镜反射部分的所述光束，且所述部分的所述光束在所述标识所在的平面处反射并通过所述第二透镜后，朝所述光阑入射。

技术研发人员：马双义,王晨
受保护的技术使用者：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13