技术特征：
1.一种半导体器件温度校准装置，其特征在于，包括：箱体，所述箱体设有密闭空间，所述箱体用于放置待测半导体器件；加热装置，所述加热装置设置于所述箱体内壁上，所述加热装置用于对所述箱体内空气进行均匀加热。2.根据权利要求1所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器设置在所述箱体上，与所述加热装置电连接。3.根据权利要求2所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，所述加热装置还包括风扇，所述风扇设置于所述箱体内，所述风扇与所述控制器连接，用于使所述箱体内空气流动。4.根据权利要求3所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，所述加热装置还包括感温元件，所述感温元件与所述控制器电连接。5.根据权利要求1所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，所述箱体还设有检测孔，所述检测孔设置于所述箱体的顶部，所述检测孔用于连接检测镜头。6.根据权利要求5所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，所述箱体还包括密封套，所述密封套与所述检测孔的孔壁连接。7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，所述箱体还包括门板，所述门板与所述箱体活动连接。8.根据权利要求7所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，所述门板还包括密封条，所述密封条设置于所述门板的四周，并与所述箱体接触。9.根据权利要求1至6任一项所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，还包括支架，所述支架设置所述箱体内，所述支架为至少两个均匀间隔排列于所述箱体底部的骨架，至少两个所述骨架形成一个支撑平面，所述支撑平面用于放置待测半导体器件。10.一种测温方法，采用温度检测设备以及如权利要求1至9任一项所述的半导体器件温度校准装置，其特征在于，包括步骤：将待测半导体器件放置于箱体的密闭空间内；向加热装置通电，将箱体内空气温度均匀加热至设定值；使用温度检测设备测试对应温度下待测半导体器件辐射率或反射率。
技术总结
本发明涉及一种半导体器件温度校准装置，包括：箱体，所述箱体设有密闭空间，所述箱体用于放置待测半导体器件；加热装置，所述加热装置设置于所述箱体内壁上，所述加热装置用于对所述箱体内空气进行均匀加热。通过加热装置对所述箱体内空气进行均匀加热，能够实现对放置于箱体密闭空间内的待测半导体器件的均匀加热，使其温度达到符合要求的校准值，提高了对带有非平面型散热结构的待测半导体器件进行温度校准的准确性，便于分析半导体器件的散热结构性能、使用性能，指导半导体器件热设计、安全工作区设计以及失效分析。全工作区设计以及失效分析。全工作区设计以及失效分析。
技术研发人员：王宏跃 周斌 黄云 路国光
受保护的技术使用者：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
技术研发日：2022.03.21
技术公布日：2022/7/1