技术特征：
1.一种监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于，监控流程包括步骤：步骤一、提供形成有二极管的晶圆；步骤二、将所述晶圆放置在所述探针台的卡盘上；步骤三、利用所述探针台对所述晶圆上的所述二极管进行正向导通的电压和电流的测试；步骤四、根据对所述晶圆上的所述二极管的测试数据确定所述卡盘的温度，从而实现对所述卡盘温度的监控。2.如权利要求1所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：步骤一中，所述晶圆上包括多个所述二极管，且所述二极管均匀分布在所述晶圆上；步骤三中，在所述晶圆的所有所述二极管中选择多个所述二极管进行测试，所选取的所述二极管均匀分布在所述晶圆上；步骤四中，形成所选取的所述二极管的测试数据在所述晶圆上的测试数据分布图；根据所述晶圆上的所述测试数据分布图形成所述卡盘的温度分布图，并从而判断所述卡盘上的温度分布的均匀性。3.如权利要求2所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：步骤三中，测试时采用正向恒流供电，对所述二极管的电压进行测试以及最后得到的测试数据为电压数据。4.如权利要求3所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：步骤四中，对各所述二极管的测试数据进行统一处理，所述统一处理包括计算平均值和标准偏差值，然后绘制整片所述晶圆上的所述测试数据分布图。5.如权利要求3所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：所述卡盘的温度没升高1℃，所述电压数据降低2mv～2.5mv。6.如权利要求5所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：步骤一中选取的所述晶圆上的所有所述二极管的工艺结构均匀，所述晶圆上的所有所述二极管的本身的工艺结构差异形成的所述二极管的电压数据差异小于等于1mv。7.如权利要求6所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：所述晶圆采用标准片。8.如权利要求1或3所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：所述探针台包括二极管电压测试程序，步骤三中直接选取所述探针台中的所述二极管电压测试程序进行自动测试。9.如权利要求1或3所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：每隔一定时间间隔对所述探针台的所述卡盘的温度进行一次所述监控流程。10.如权利要求9所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：每天对所述探针台的所述卡盘的温度进行一次或多次所述监控流程。11.如权利要求9所述的监控探针台卡盘的温度的方法，其特征在于：在进行第一次所述监控流程时或者在进行了一段时间段的监控之后，还包括采用多个热敏电阻温度测试仪对所述探针台的所述卡盘温度进行抽测，用于验证所述监控流程对所述卡盘温度测试的准确性。
技术总结
本发明公开了一种监控探针台卡盘的温度的方法，监控流程包括：步骤一、提供形成有二极管的晶圆。步骤二、将晶圆放置在探针台的卡盘上。步骤三、利用探针台对晶圆上的二极管进行正向导通的电压和电流的测试。步骤四、根据对晶圆上的二极管的测试数据确定卡盘的温度，从而实现对卡盘温度的监控。本发明不需要采用温度传感器或温度测试仪就能实现对探针台卡盘温度进行监控，特别容易实现对探针台卡盘的温度的均匀性进行监控，从而能实时、准确、自动、快速、完整地反映探针台卡盘温度的均匀性。完整地反映探针台卡盘温度的均匀性。完整地反映探针台卡盘温度的均匀性。
技术研发人员：李龚涛 刘晓明
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.06.23
技术公布日：2022/9/6