电阻温度系数的获取方法、装置及存储介质与流程

1.本技术涉及测试技术领域，尤其涉及一种电阻温度系数的获取方法、装置及存储介质。


背景技术：

2.电阻温度系数(temperature coefficient of resistance，tcr)是指在一定温度范围内，温度改变1摄氏度(℃)，电阻值的平均相对变化量。
3.tcr在工业应用中具有重要作用。例如，在半导体集成电路中，tcr能够反映半导体器件的电阻值在不同温度下对该器件运行的影响，从而影响对该器件性能的提高与改善。
4.因此，如何获取测量精度较高的tcr是目前亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种电阻温度系数的获取方法、装置及存储介质，可以提高tcr的测量精度。
6.为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案：
7.第一方面，本技术提供一种电阻温度系数的获取方法，该方法包括：对待测电阻进行加热或降温；获取待测电镀的多组测量数据；每组测量数据均为按照预设周期获取的；每组测量数据包括m个温度值和m个电阻值；m为大于或等于2的整数；基于m个温度值的标准差和/或m个电阻参考值，确定获取每组测量数据时待测电阻是否处于稳定状态；电阻参考值为电阻值的自然对数；基于获取的多组稳定数据，确定待测电阻的电阻温度系数；稳定数据为在待测电阻处于稳定状态下获取的测量数据。
8.本技术通过设置判断待测电阻是否处于稳定状态的判断条件，可以在不同温度点下筛选出待测电阻处于稳定状态时获取的稳定数据，利用稳定状态时获取的稳定数据，可以提高tcr的测量精度。
9.此外，实际测量过程中不同温度下的电阻值波动水平可能呈现数量级之间的差异，即使是相同的温差，也可能导致电阻值之差相差较大，影响tcr的测量精度。本技术实施例通过计算电阻值的自然对数来判断待测电阻的电阻值是否稳定，可以将不同温度下的电阻值波动拉到同一水平，在判断待测电阻的电阻值是否稳定时可以避免电阻值波动水平的差异而影响判断的准确率，从而提高了tcr测量时的准确率。
10.一种可能的实现方式中，基于m个温度值的标准差和/或m个电阻参考值的标准差，确定获取每组测量数据时待测电阻是否处于稳定状态，包括：确定m个温度值的标准差；当m个温度值的标准差小于第一阈值时，确定待测电阻处于稳定状态。
11.另一种可能的实现方式中，基于m个温度值的标准差和/或m个电阻参考值的标准差，确定获取每组测量数据时待测电阻是否处于稳定状态，包括：根据m个电阻值各自的自然对数，确定m个电阻参考值；确定m个电阻参考值的标准差；当m个电阻参考值的标准差小于第二阈值时，确定待测电阻处于稳定状态。
12.又一种可能的实现方式中，基于m个温度值的标准差和/或m个电阻参考值的标准差，确定获取每组测量数据时待测电阻是否处于稳定状态，包括：确定m个温度值的标准差；根据m个电阻值各自的自然对数，确定m个电阻参考值；确定m个电阻参考值的标准差；当m个温度值的标准差小于第一阈值，且m个电阻参考值的标准差小于第二阈值时，确定待测电阻处于稳定状态。
13.可选地，多组稳定数据包括第一数据和第二数据；第一数据和第二数据为多组稳定数据中的任意两组不同的稳定数据；基于多组稳定数据，确定待测电阻的电阻温度系数，包括：根据第一值与第二值之商确定待测电阻的电阻温度系数；第一值为第一电阻值的对数和第二电阻值的对数之差；第一电阻值为第一数据中的m个电阻值的平均值；第二电阻值为第二数据中的m个电阻值的平均值；第二值为第一温度值和第二温度值之差；第一温度值为第一数据中的m个温度值的平均值；第二温度值为第二数据中的m个温度值的平均值。
14.可选地，第一数据、第二数据、以及待测电阻的电阻温度系数之间的关系满足下述公式：
[0015][0016]
其中，tcr表示待测电阻的电阻温度系数；r
t
表示第一电阻值；r
t0
表示第二电阻值；t表示第一温度值；t0表示第二温度值。
[0017]
可选地，基于多组稳定数据，确定待测电阻的电阻温度系数，包括：对多组稳定数据进行线性拟合，得到tcr曲线图；tcr曲线图的横坐标为温度值；tcr曲线图的纵坐标为电阻值的自然对数；基于tcr曲线图的斜率，确定待测电阻的电阻温度系数。
[0018]
第二方面，本技术提供一种温度系数的获取装置，该装置包括：温控模块、测量模块、以及处理模块。温控模块，用于对待测电阻进行加热或降温。测量模块，用于获取待测电阻的多组测量数据；每组测量数据均为按照预设周期获取的；每组测量数据包括m个温度值和m个电阻值；m为大于或等于2的整数。处理模块，用于基于m个温度值的标准差和/或m个电阻参考值的标准差，确定获取每组测量数据时待测电阻是否处于稳定状态；电阻参考值为电阻值的自然对数；基于获取的多组稳定数据，确定待测电阻的电阻温度系数；稳定数据为在待测电阻处于稳定状态下获取的测量数据。
[0019]
可选地，处理模块，具体用于确定m个温度值的标准差；当m个温度值的标准差小于第一阈值时，确定待测电阻处于稳定状态；
[0020]
可选地，处理模块，具体用于根据m个电阻值各自的自然对数，确定m个电阻参考值；确定m个电阻参考值的标准差；当m个电阻参考值的标准差小于第二阈值时，确定待测电阻处于稳定状态；
[0021]
可选地，处理模块，具体用于确定m个温度值的标准差；根据m个电阻值各自的自然对数，确定m个电阻参考值；确定m个电阻参考值的标准差；当m个温度值的标准差小于第一阈值，且m个电阻参考值的标准差小于第二阈值时，确定待测电阻处于稳定状态；
[0022]
可选地，多组稳定数据包括第一数据和第二数据；第一数据和第二数据为多组稳定数据中的任意两组不同的稳定数据；处理模块，具体用于根据第一值与第二值之商确定待测电阻的电阻温度系数；第一值为第一电阻值的对数和第二电阻值的对数之差；第一电阻值为第一数据中的m个电阻值的平均值；第二电阻值为第二数据中的m个电阻值的平均
值；第二值为第一温度值和第二温度值之差；第一温度值为第一数据中的m个温度值的平均值；第二温度值为第二数据中的m个温度值的平均值；
[0023]
可选地，第一数据、第二数据、以及待测电阻的电阻温度系数之间的关系满足下述公式：
[0024][0025]
其中，tcr表示待测电阻的电阻温度系数；r
t
表示第一电阻值；r
t0
表示第二电阻值；t表示第一温度值；t0表示第二温度值；
[0026]
可选地，处理模块，具体用于对多组稳定数据进行线性拟合，得到tcr曲线图；tcr曲线图的横坐标为温度值；tcr曲线图的纵坐标为电阻值的自然对数；基于tcr曲线图的斜率，确定待测电阻的电阻温度系数。
[0027]
第三方面，本技术提供一种可读存储介质，该可读存储介质包括：软件指令；当软件指令在电阻温度系数的获取装置中运行时，使得电阻温度系数的获取装置实现上述第一方面所述的方法。
[0028]
第四方面，本技术提供一种芯片，该芯片包括处理器和接口，处理器通过接口与存储器耦合，当处理器执行存储器中的计算机程序或电阻温度系数的获取装置执行指令时，使得上述第一方面所述的方法被执行。
[0029]
上述第二至第四方面的有益效果可以参照第一方面所述，不再赘述。
附图说明
[0030]
为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]
图1为本技术实施例提供的电阻温度系数的获取装置的组成示意图；
[0032]
图2为本技术实施例提供的电阻温度系数的获取方法的流程示意图；
[0033]
图3为本技术实施例提供的待测电阻的表面温度稳定的判断逻辑图；
[0034]
图4为本技术实施例提供的待测电阻的电阻值稳定的判断逻辑图；
[0035]
图5为本技术实施例提供的电阻温度系数的获取方法的另一种流程示意图；
[0036]
图6为本技术实施例提供的tcr曲线图。
具体实施方式
[0037]
以下，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”或“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0038]
tcr是指在一定温度范围内，温度改变1℃，电阻值的平均相对变化量(也即电阻值的增加值与原始值的比值)，单位为百万分之一(part per million，ppm)/℃。tcr是电阻随温度变化的指标，在一定温度范围内，电阻与温度的关系满足下述公式(1)。
[0039]rt
＝r
t0
[1+α(t-t0)+β(t-t0)2]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式(1)
[0040]
公式(1)中，r
t
表示温度(温度点)为t时被测电阻的电阻值，单位为欧姆(ω)。r
t0
表示温度(温度点)为t0时被测电阻的电阻值，单位为欧姆(ω)。α表示一次电阻温度系数，单位为℃-1
。β表示二次电阻温度系数，单位为℃-2
。
[0041]
在实际应用中，通常采用一次电阻温度系数α作为tcr，在这种情况下，上述公式(1)可以变形为下述公式(2)。
[0042][0043]
公式(2)中，温度为自变量，被测电阻的电阻值为因变量，(t-t0)为自变量的变动值。
[0044]
基于上述公式(2)的原理，目前tcr的测量方法是，通过加热或制冷待测电阻，得到不同温度下的电阻值，并拟合出电阻值和温度之间的曲线，根据电阻值和温度之间的曲线得到tcr的值。
[0045]
目前的tcr的测量方法存在以下几个问题：
[0046]
1、同样基于上述公式(2)的原理，相对于分子的变动而言，分母(t-t0)的变动将引起更大的测试误差。
[0047]
2、tcr测试时，测试的温度点多，温度跨度大。由于温度跨度大，且不同温度下，温度波动引起的电阻波动是不一样的，即使是相同的温差，不同的温度下对应的电阻值波动也相差较大，甚至相差几个数量级。
[0048]
3、不同的温度下，测量被测电阻的电阻值的探针会产生热胀冷缩，从而造成探针与被测电阻的接触压力发生变化，影响被测电阻的电阻值。所以，测量电阻值时，探针与被测电阻未必接触良好，电阻值未必准确采集。
[0049]
因此，如何提高tcr的测量精度就成为了我们的需要。
[0050]
基于此，本技术实施例提供了一种电阻温度系数的获取方法、装置及存储介质，可以通过判断待测电阻是否处于稳定状态来筛选出稳定状态下的测量数据，利用稳定状态下的测量数据来确定电阻温度系数，提高了测量精度。
[0051]
以下结合附图进行介绍。
[0052]
图1为本技术实施例提供的电阻温度系数的获取装置的组成示意图。如图1所示，该电阻温度系数的获取装置100包括：温控模块10、测量模块20、以及处理模块30。
[0053]
其中，温控模块10用于对待测电阻进行加热或降温。
[0054]
在一些实施例中，温控模块10可以包括加热单元和降温单元。
[0055]
加热单元用于对待测电阻进行加热。
[0056]
例如，加热单元可以包括加热控制电路和加热电阻丝，加热控制电路可以接收处理模块30发出的控制信号并对控制信号进行功率放大后驱动加热电阻丝加热待测电阻。
[0057]
降温单元用于对待测电阻进行降温。
[0058]
例如，降温单元可以是风扇，风扇可以通过转动来对待测电阻进行风冷降温。
[0059]
再例如，降温单元可以包括流通有冷媒的管路，冷媒可以通过管路吸收待测电阻的热量来对待测电阻进行降温。
[0060]
在一些实施例中，温控模块10具体用于分步对待测电阻进行加热或降温。
[0061]
例如，以加热为例，则在待测电阻的温度每增加x℃时(x为正数，可以由管理人员
预设)，温控模块10可以保持待测电阻恒温一段时间，待测量模块20测量完测量数据之后，温控模块10继续加热待测电阻。
[0062]
在一些实施例中，温控模块10具体用于通过传热介质对待测电阻进行加热或降温。
[0063]
例如，传热介质可以是盛放于烧杯中的水，待测电阻可以置于烧杯中的水中，温控模块10可以通过对水的加热或降温来实现对待测电阻进行加热或降温。
[0064]
再例如，传热介质可以是导热砂粒，待测电阻可以埋于导热砂粒中，温控模块10可以通过对导热砂粒的加热或降温来实现对待测电阻进行加热或降温。
[0065]
测量模块20用于测量待测电阻的温度值和电阻值。
[0066]
在一些实施例中，测量模块20可以包括温度测量单元和电阻测量单元。
[0067]
温度测量单元用于测量待测电阻的温度。
[0068]
例如，温度测量单元可以是温度计、温度传感器、或者温度检测电路等，温度测量单元可以通过与温度计、温度传感器、或者温度检测电路连接并且贴于待测电阻的贴片来测量待测电阻的温度。
[0069]
电阻测量单元用于测量待测电阻的电阻值。
[0070]
例如，电阻测量单元可以是欧姆表、包括惠思登电桥的电阻检测电路、或者包括凯尔文电桥的电阻检测电路等，电阻测量单元可以通过欧姆表或电阻检测电路的探针来测量待测电阻的电阻值。本申实施例对此不作限制。
[0071]
处理模块30用于根据测量模块20测量的温度值和电阻值确定待测电阻的电阻温度系数。具体过程可以参照下述电阻温度系数的获取方法处所述，此处不再赘述。
[0072]
在一些实施例中，处理模块30可以包括控制器和存储器。
[0073]
控制器，用于执行存储器中存储的指令，以实现申请下述实施例提供的电阻温度系数的获取方法。控制器可以是中央处理器(central processing unit，cpu)、通用处理器网络处理器(network processor，np)、数字信号处理器(digital signal processing，dsp)、微处理器、微控制器、可编程逻辑器件(programmable logic device，pld)或它们的任意组合。控制器还可以是其它任意具有处理功能的装置，例如电路、器件或软件模块，本技术实施例对此不作限制。
[0074]
存储器用于存储指令。例如，指令可以是计算机程序。可选地，存储器可以是只读存储器(read-only memory，rom)或可存储静态信息和/或指令的其他类型的静态存储设备，也可以是存取存储器(random access memory，ram)或者可存储信息和/或指令的其他类型的动态存储设备，还可以是电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory，eeprom)、只读光盘(compact disc read-only memory，cd-rom)或其他光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质或者其他磁存储设备等，本技术实施例对此不作限制。
[0075]
需要说明的是，存储器可以独立于控制器存在，也可以和控制器集成在一起。存储器可以位于处理模块30内，也可以位于处理模块30外，本技术实施例对此不作限制。
[0076]
下面结合附图对本技术实施例提供的电阻温度系数的获取方法进行介绍。
[0077]
首先对该方法中涉及电阻值的计算的原理进行介绍。
[0078]
基于上述公式(2)的多种可能的变形，申请人在对电阻温度系数的计算进行研究
之后，选择了下述公式(3)的计算方案。
[0079][0080]
可以看出，进一步变形后的公式(3)相较于公式(2)，电阻值的对数和温度值呈一次函数关系，在对电阻值的对数和温度值进行曲线拟合时较为简单且误差较小。基于公式(3)的原理，本技术实施例提供的电阻温度系数的获取方法中与电阻值相关的计算均可以由电阻值的对数来替换。
[0081]
图2为本技术实施例提供的电阻温度系数的获取方法的流程示意图。可选地，该方法可以由上述电阻温度系数的获取装置或者该装置中的处理模块30或者控制器执行，如图2所示，该方法包括s101至s104。
[0082]
s101、对待测电阻进行加热或降温。
[0083]
其中，待测电阻可以是任意一种电阻器，例如，晶圆电阻器、碳膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器、或者集成型电阻器等。本技术实施例对待测电阻的具体种类不作限制。s101中的具体加入或降温过程可以参照上述温控模块10处所述，此处不再赘述。
[0084]
需要说明的是，当该方法的执行主体为处理模块30或控制器时，上述s101可以理解为处理模块30或控制器通过温控模块10对待测电阻进行加热或降温。
[0085]
s102、获取待测电阻的多组测量数据。
[0086]
其中，每组测量数据均为按照预设周期获取的。预设周期可以由管理人员预设在电阻温度系数的获取装置中。每组测量数据可以包括m个温度值和m个电阻值，m为大于或等于2的整数。
[0087]
可选地，如上所述，温控模块10可以具体用于分步对待测电阻进行加热或降温。待测电阻的温度每改变x℃之后，温控模块10可以保持待测电阻恒温并由测量模块20获取测量数据。或者，温控模块10也可以具体用于持续对待测电阻进行加热或降温，测量模块20可以持续获取测量数据，并在多个预设温度点附近选取部分测量数据进行计算。本技术实施例对此不作限制。
[0088]
可选地，预设周期可以取10秒或者20秒等。
[0089]
应理解，实际测量环境中，温度变化比较缓慢，当预设周期较小，例如预设周期为1毫秒(ms)时，在采集的测量数据的组数一定的情况下，在一小段时间内，采集的测量数据基本相同，可能无法判断待测电阻是否处于稳定状态。本技术实施例通过将预设周期设置为10秒或者20秒等，预设周期较大，温度和电阻变化范围跨度较大，易于判断待测电阻是否处于稳定状态。
[0090]
可选地，m可以取200或者300等。
[0091]
应理解，实际测量环境中，当采集的测量数据较少时，无法充分显示某一时间段内温度值和电阻值的变化趋势，也就无法判断该时间段内待测电阻是否处于稳定状态。本技术实施例通过将获取的温度值和电阻值的数量设置为200或者300等，测量数据足够多，便于判断待测电阻是否处于稳定状态。
[0092]
示例性地，如上所述，以温度测量单元通过与温度计、温度传感器、或者温度检测电路连接并且贴于待测电阻的贴片来测量待测电阻的温度为例，假设预设周期为10秒，m取200，则贴片可以包括一个，获取装置可以通过一个贴片每隔10秒获取一个温度值，直至获
取到200个温度值；或者，贴片也可以包括多个，以4个为例，则获取装置可以通过4个贴片每隔10秒获取四个温度值，直至获取到200个温度值。
[0093]
示例性地，如上所述，以电阻测量单元通过欧姆表或电阻检测电路的探针来测量待测电阻的电阻值为例，假设预设周期为10秒，m取200，则探针可以包括一组，获取装置可以通过一组探针每隔10秒获取一个电阻值，直至获取到200个电阻值；或者，探针也可以包括多组，以4组为例，则获取装置可以通过4组探针每隔10秒获取四个电阻值，直至获取到200个温度值。
[0094]
s103、基于m个温度值的标准差和/或m个电阻参考值的标准差，确定获取每组测量数据时待测电阻是否处于稳定状态。
[0095]
其中，电阻参考值为电阻值的自然对数。
[0096]
一种可能的实现方式中，稳定状态可以是待测电阻的表面温度稳定。在这种情况下，s103可以具体包括：确定m个温度值的标准差；当m个温度值的标准差小于第一阈值时，确定待测电阻处于稳定状态。
[0097]
其中，第一阈值可以由管理人员预设，例如，第一阈值可以是0.04或者0.05等。本技术实施例对第一阈值的具体数值不作限制。
[0098]
可选地，当m个温度值的标准差大于第一阈值时，可以确定待测电阻处于不稳定状态。
[0099]
需要说明的是，当m个温度值的标准差等于第一阈值时，可以确定待测电阻处于稳定状态或者处于不稳定状态。本技术实施例对此不作限制。
[0100]
示例性地，图3为本技术实施例提供的待测电阻的表面温度稳定的判断逻辑图。如图3所示，针对某一组测量数据，判断获取该组测量数据时待测电阻的表面温度稳定的过程可以具体包括s201至s204。
[0101]
s201、获取m个温度值。
[0102]
s201可以参照上述s102所述，此处不再赘述。
[0103]
s202、计算m个温度值的标准差。
[0104]
s203、判断m个温度值的标准差是否小于第一阈值。
[0105]
若是，则执行s204；若否，则返回s201。
[0106]
s204、确定待测电阻的表面温度稳定。
[0107]
另一种可能的实现方式中，稳定状态可以是待测电阻的电阻值稳定。
[0108]
基于上述公式(3)的原理，申请人在根据理论研究及实验验证之后，对公式(3)进行进一步变形，得到下述公式(4)。
[0109][0110]
将公式(4)中等号右边的分母部分用tcr的设计值或者理论值替代，则可以将ln(r
t
)的电阻值波动折合为温度的波动。在tcr的设计值或理论值未知的情况下，可以利用一个常数a来替代tcr的设计值或理论值，则上述公式(4)可以变形为下述公式(5)。
[0111]
ln(r
t
)-ln(r
t0
)＝a(t-t0)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式(5)
[0112]
由公式(5)中可以看出，虽然实际测量过程中不同温度下的电阻值波动水平(或者幅度)不一样，例如温度点1左右时的电阻值相差可能在10千欧姆(kω)，温度点2左右时的
电阻值相差可能在1000kω，电阻波动水平相差较大。而根据自然对数的函数图像可知，随着自变量的增加，因变量的增加趋势越来越平缓，不会出现电阻值的波动水平呈现数量级之间的差异的情况。
[0113]
在这种情况下，s103可以具体包括：根据m个电阻值各自的自然对数，确定m个电阻参考值；确定m个电阻参考值的标准差；当m个电阻参考值的标准差小于第二阈值时，确定待测电阻处于稳定状态。
[0114]
其中，第二阈值可以由管理人员预设。第二阈值可以与第一阈值相同，或者不同。例如，第二阈值可以是0.04或者0.05等。本技术实施例对第二阈值的具体数值不作限制。
[0115]
可选地，当m个电阻参考值的标准差大于第二阈值时，可以确定待测电阻处于不稳定状态。
[0116]
需要说明的是，当m个电阻参考值的标准差等于第二阈值时，可以确定待测电阻处于稳定状态或者处于不稳定状态。本技术实施例对此不作限制。
[0117]
示例性地，图4为本技术实施例提供的待测电阻的电阻值稳定的判断逻辑图。如图4所示，针对某一组测量数据，判断获取该组测量数据时待测电阻的电阻值稳定的过程可以具体包括s301至s304。
[0118]
s301、获取m个电阻值。
[0119]
s301可以参照上述s102所述，此处不再赘述。
[0120]
s302、计算m个电阻值的自然对数的标准差。
[0121]
s303、判断m个电阻值的自然对数的标准差是否小于第二阈值。
[0122]
若是，则执行s304；若否，则返回s301。
[0123]
s304、确定待测电阻的电阻值稳定。
[0124]
应理解，实际测量过程中不同温度下的电阻值波动水平可能呈现数量级之间的差异，即使是相同的温差，也可能导致电阻值之差相差较大，影响tcr的测量精度。本技术实施例通过计算电阻值的自然对数来判断待测电阻的电阻值是否稳定，可以将不同温度下的电阻值波动拉到同一水平，在判断待测电阻的电阻值是否稳定时可以避免电阻值波动水平的差异而影响判断的准确率，从而提高了tcr测量时的准确率。
[0125]
又一种可能的实现方式中，稳定状态可以是待测电阻的表面温度稳定且电阻值稳定。在这种情况下，s103可以具体包括：确定m个温度值的标准差；根据m个电阻值各自的自然对数，确定m个电阻参考值；确定m个电阻参考值的标准差；当m个温度值的标准差小于第一阈值，且m个电阻参考值的标准差小于第二阈值时，确定待测电阻处于稳定状态。
[0126]
可选地，获取装置可以采集当前温度点的测量数据，并在采集下一个预设温度点的测量数据之前对当前预设温度点采集的测量数据进行稳定状态的判断。
[0127]
示例性地，图5为本技术实施例提供的电阻温度系数的获取方法的另一种流程示意图。如图5所示，该方法可以包括s401至s408。
[0128]
s401、在第一温度点下，按照预设周期获取一组待测电阻的测量数据。
[0129]
s402、判断测量数据中的m个温度值的标准差是否小于第一阈值。
[0130]
若是，则执行s403；若否，则返回s401。
[0131]
s403、判断测量数据中的m个电阻值的自然对数的标准差是否小于第二阈值。
[0132]
若是，则执行s404；若否，则返回s401。
[0133]
s404、确定第一温度点时的稳定数据为测量数据中的m个温度值的平均值和m个电阻值的平均值。
[0134]
s405、在第二温度点下，按照预设周期获取一组待测电阻的测量数据。
[0135]
s406、判断测量数据中的m个温度值的标准差是否小于第一阈值。
[0136]
若是，则执行s407；若否，则返回s405。
[0137]
s407、判断测量数据中的m个电阻值的自然对数的标准差是否小于第二阈值。
[0138]
若是，则执行s408；若否，则返回s405。
[0139]
s408、确定第二温度点时的稳定数据为测量数据中的m个温度值的平均值和m个电阻值的平均值。
[0140]
以此类推，可以获取到多个温度点下对应的多组稳定数据。
[0141]
s104、基于获取的多组稳定数据，确定待测电阻的电阻温度系数。
[0142]
其中，稳定数据为在待测电阻处于稳定状态下获取的测量数据。
[0143]
一种可能的实现方式中，以多组稳定数据包括第一数据和第二数据为例，假设第一数据和第二数据为多组稳定数据中的任意两组不同的稳定数据，则上述s104可以具体包括：根据第一值与第二值之商确定待测电阻的电阻温度系数。
[0144]
其中，第一值为第一电阻值的对数和第二电阻值的对数之差；第一电阻值为第一数据中的m个电阻值的平均值；第二电阻值为第二数据中的m个电阻值的平均值；第二值为第一温度值和第二温度值之差；第一温度值为第一数据中的m个温度值的平均值；第二温度值为第二数据中的m个温度值的平均值。
[0145]
可选地，第一数据、第二数据、以及待测电阻的电阻温度系数之间的关系可以满足下述公式(6)。
[0146][0147]
公式(6)中也即上述公式(3)中的连等式的开头和结尾。如公式(3)中的参数含义所述，r
t
表示温度(温度点)为t时被测电阻的电阻值，r
t0
表示温度(温度点)为t0时被测电阻的电阻值，此处以t为第一温度值、t0为第二温度值为例，则r
t
可以理解为上述第一电阻值，r
t0
可以理解为上述第二电阻值。
[0148]
另一种可能的实现方式中，s104可以具体包括：对多组稳定数据进行线性拟合，得到tcr曲线图；基于tcr曲线图的斜率，确定待测电阻的电阻温度系数。
[0149]
其中，tcr曲线图的横坐标为温度值，tcr曲线图的纵坐标为电阻值的自然对数。
[0150]
示例性地，参见图6，图6为本技术实施例提供的tcr曲线图，如图6所示，tcr曲线图基本呈一条斜线，该条斜线的斜率即为待测电阻的电阻温度系数。
[0151]
本技术实施例通过设置判断待测电阻是否处于稳定状态的判断条件，可以在不同温度点下筛选出待测电阻处于稳定状态时获取的稳定数据，利用稳定状态时获取的稳定数据，可以提高tcr的测量精度。
[0152]
上述主要从方法的角度对本技术实施例提供的方案进行了介绍。为了实现上述功能，其包含了执行各个功能相应的硬件结构和/或软件模块。本领域技术目标应该很容易意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，本技术能够以硬件或硬件和计算机软件的结合形式来实现。某个功能究竟以硬件还是计算机软件驱动硬件的方
式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术目标可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。
[0153]
在示例性的实施例中，本技术实施例还提供了一种可读存储介质，包括执行指令，当其在电阻温度系数的获取装置上运行时，使得电阻温度系数的获取装置执行上述实施例提供的任意一种方法。
[0154]
在示例性的实施例中，本技术实施例还提供了一种芯片，包括：处理器和接口，处理器通过接口与存储器耦合，当处理器执行存储器中的计算机程序或电阻温度系数的获取装置执行指令时，使得上述实施例提供的任意一种方法被执行。
[0155]
在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件程序实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式来实现。该计算机程序产品包括一个或多个计算机执行指令。在计算机上加载和执行计算机执行指令时，全部或部分地产生按照本技术实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。计算机执行指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，计算机执行指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或者数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digital subscriber line，dsl))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可以用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质(例如，软盘、硬盘、磁带)，光介质(例如，dvd)、或者半导体介质(例如固态硬盘(solid state disk，ssd))等。
[0156]
尽管在此结合各实施例对本技术进行了描述，然而，在实施所要求保护的本技术过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
[0157]
尽管结合具体特征及其实施例对本技术进行了描述，显而易见的，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本技术的示例性说明，且视为已覆盖本技术范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。
[0158]
以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何在本技术揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。