磁场探头和磁场探测方法与流程

1.本技术涉及磁场探测技术领域，特别是涉及一种磁场探头和磁场探测方法。


背景技术：

2.随着大规模集成电路的高速发展，对微波毫米波电子系统的小型化、高频化以及高集成度提出了更高的要求。微波毫米波电子系统内部组件之间的电磁干扰已成为无法忽视的技术性难题。为了研究内部组件之间的电磁干扰，就需要抓取干扰源发射的电磁场信息。
3.目前，采用磁场探头抓取干扰源发射的电磁场信息。但是，这种磁场探头只能探测一个单分量磁场(hx或hy)，导致现有的磁场探头的场景适应性差。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高场景适应性的磁场探头和磁场探测方法。
5.第一方面，本技术提供了一种磁场探头。该磁场探头包括第一端口和第二端口；第一端口与第二端口之间形成有第一探测回路，第一端口和第二端口与接地端之间形成有第二探测回路，第一探测回路与第二探测回路正交；
6.第一端口，用于输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第一电压；
7.第二端口，用于输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第二电压；
8.其中，第一电压和第二电压用于确定探测区域中x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。
9.在其中一个实施例中，磁场探头还包括第一线圈、第二线圈和第三线圈；
10.第一线圈分别与第一端口和第二端口连接，以形成第一探测回路；
11.第二线圈分别与第一线圈和第三线圈连接，第三线圈接地，以形成第二探测回路。
12.在其中一个实施例中，磁场探头还包括第一信号线、第二信号线、第三信号线和第一同轴连接器；
13.第一端口和第一线圈通过第一信号线连接；
14.第二端口和第一线圈通过第二信号线连接；
15.第一线圈和第二线圈通过第一同轴连接器连接；
16.第二线圈和第三线圈通过第三信号线连接。
17.在其中一个实施例中，磁场探头还包括第一电路板，第一电路板包括第一主体和可伸入探测区域的第一延伸部；
18.第一端口和第二端口均设置在第一主体上，第一线圈设置在第一延伸部上，第一信号线从第一端口延伸至第一线圈，第二信号线从第二端口延伸至第一线圈。
19.在其中一个实施例中，磁场探头还包括第二电路板，第二电路板包括第二主体和可伸入探测区域的第二延伸部；
20.第二线圈和第三线圈均设置在第二延伸部上，第三信号线从第二线圈延伸至第三线圈。
21.在其中一个实施例中，磁场探头还包括两个第三电路板；
22.两个第三电路板之间设置第一电路板和第二电路板，且第三电路板与第一电路板或第二电路板之间间隔预设距离；
23.两个第三电路板均接地。
24.在其中一个实施例中，磁场探头还包括第二同轴连接器和多个第三同轴连接器；
25.第三线圈通过第二同轴连接器与第三电路板连接；
26.多个第三同轴连接器的内芯与第一信号线或第二信号线连接，外芯分别与两个第三电路板连接。
27.第一方面，本技术提供了一种磁场探测方法。应用于如第一方面的磁场探头，该方法包括：
28.获取磁场探头的第一端口输出的第一电压；
29.获取磁场探头的第二端口输出的第二电压；
30.根据第一电压和第二电压确定x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。
31.在其中一个实施例中，根据第一电压和第二电压确定x方向的磁场强度和y方向的磁场强度，包括：
32.获取电压矩阵，电压矩阵用于表征第一电压与x方向的感应电压和y方向的感应电压的关联关系，以及第二电压与x方向的感应电压和y方向的感应电压的关联关系；
33.根据电压矩阵、第一电压和第二电压，确定x方向的感应电压和y方向的感应电压；
34.根据x方向的感应电压确定x方向的磁场强度；
35.根据y方向的感应电压确定y方向的磁场强度。
36.在其中一个实施例中，方法还包括：
37.根据x方向的磁场强度和y方向的磁场强度，确定电磁场抑制比。
38.在其中一个实施例中，该还包括：
39.获取磁场探头对预设宽度的微带线进行探测，得到探测信号；
40.根据探测信号确定磁场探头的空间分辨率。
41.上述磁场探头和磁场探测方法，磁场探头包括第一端口和第二端口；第一端口与第二端口之间形成有第一探测回路，第一端口和第二端口与接地端之间形成有第二探测回路，第一探测回路与第二探测回路正交；第一端口输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第一电压；第二端口输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第二电压，第一电压和第二电压用于确定探测区域中x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。本技术通过正交的第一探测回路和第二探测回路进行磁场探测，只需要一次探测即可探测两个磁场分量，场景适应性强。
附图说明
42.图1a为传统技术中磁场探测的示意图之一；
43.图1b为传统技术中磁场探测的示意图之二；
44.图2为一个实施例中磁场探头的示意图之一；
45.图3a为一个实施例中第一探测回路所在平面的示意图；
46.图3b为一个实施例中第二探测回路所在平面的示意图；
47.图3c为一个实施例中探测x方向磁场的示意图；
48.图3d为一个实施例中探测y方向磁场的示意图；
49.图3e为一个实施例中探测z方向电场的示意图；
50.图4为一个实施例中磁场探头的示意图之二；
51.图5为一个实施例中第一电路板的示意图；
52.图6为一个实施例中第二电路板的示意图；
53.图7为一个实施例中第三电路板的示意图；
54.图8a为一个实施例中磁场探头的示意图之三；
55.图8b为一个实施例中磁场探头的示意图之四；
56.图8c为一个实施例中磁场探头的示意图之五；
57.图9为一个实施例中磁场探头的实物图；
58.图10为一个实施例中磁场探测方法的流程示意图；
59.图11为另一个实施例中根据第一电压和第二电压确定x方向的磁场强度和y方向的磁场强度步骤的流程示意图。
具体实施方式
60.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
61.首先，在具体介绍本技术实施例的技术方案之前，先对本技术实施例基于的技术背景或者技术演进脉络进行介绍。随着大规模集成电路的高速发展，对微波毫米波电子系统的小型化、高频化以及高集成度提出了更高的要求。微波毫米波电子系统内部组件之间的电磁干扰已成为无法忽视的技术性难题。为了研究内部组件之间的电磁干扰，就需要抓取干扰源发射的电磁场信息。目前，采用磁场探头抓取干扰源发射的电磁场信息。但是，这种磁场探头只能探测一个单分量磁场(hx或hy)。如图1a和图1b所示，a为输出端口，当需要同时测量两个磁场分量(hx和hy)时，单分量探头必须分别旋转0
°
和90
°
来探测两个磁场分量(hx和hy)，导致现有的磁场探头的场景适应性差。并且，这种探测方式还会导致探测时间翻倍，以及引入机械位置误差等问题。
62.本技术提供了一种磁场探头，该磁场探头包括第一端口和第二端口；第一端口与第二端口之间形成有第一探测回路，第一端口和第二端口与接地端之间形成有第二探测回路，第一探测回路与第二探测回路正交。通过第一探测回路和第二探测回路可以分别对两个磁场分量(hx和hy)进行探测，从而将感应电压叠加并分别从第一端口和第二端口输出。之后，根据第一端口输出的第一电压和第二端口输出的第二电压，可以确定出x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。采用本技术实施例的磁场探头，只需要一次探测即可探测两个磁场分量(hx和hy)，场景适应性强；而且，由于无需旋转探头，因此，还可以缩短探测时间，减小机械位置误差。
63.在一个实施例中，如图2所示，本技术提供了一种磁场探头。该磁场探头包括第一
端口a和第二端口b；第一端口a与第二端口b之间形成有第一探测回路，第一端口a和第二端口b与接地端之间形成有第二探测回路，第一探测回路与第二探测回路正交；第一端口a，用于输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第一电压；第二端口b，用于输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第二电压；其中，第一电压和第二电压用于确定探测区域中x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。
64.在本技术实施例中，磁场探头包括第一端口a和第二端口b。第一端口a与第二端口b之间形成有第一探测回路，第一探测回路所在的平面如图3a所示的斜纹面。第一端口a和第二端口b与接地端之间形成有第二探测回路，第二探测回路所在的平面如3b所示的网格面。从图3a和图3b可以看出，第一探测回路所在的平面与第二探测回路所在的平面互相垂直，即第一探测回路与第二探测回路正交。
65.其中，第一探测回路用于探测x方向的磁场强度，第二探测用于探测y方向的磁场强度；或者，第一探测回路用于探测y方向的磁场强度，第二探测用于探测x方向的磁场强度。本技术实施例对此不做限定，可以根据实际情况进行设置。
66.如图3c所示，探测区域中的x方向磁场hx穿过第一探测回路，感应电流-i
hx
被激发在端口a，而感应电流i
hx
被激发在端口b。如图3d所示，y方向磁场hy穿过第二探测回路，感应电流i
hy
被激发在端口a和端口b。如图3e所示，电场ez垂直穿过第一探测回路和第二探测回路的底部，感应电流i
ez
被激发在端口a和端口b。
67.端口a输出的第一电压va和端口b输出的第二电压vb，可以采用x方向磁场的感应电压v
hx
、y方向磁场的感应电压v
hy
和z方向电场的感应电压v
ez
表示，如公式(1)：
[0068][0069]
由于磁场的感应区域远远大于电场的感应区域，因此感应电流i
hx
和i
hy
远远大于感应电流i
ez
。因此，v
ez
《《v
hx
和v
ez
《《v
hy
。基于公式(1)和上述情况，可以求解出公式(2)：
[0070][0071]
其中，v
hx
与x方向磁场hx的磁场强度成正比，v
hy
与y方向磁场hy的磁场强度成正比，求解出v
hx
和v
hy
后，即可根据v
hx
和v
hy
和正比关系确定x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。需要说明的是，利用正交的第一探测回路和第二探测回路，在x方向和y方向的磁场耦合能够被分别提取。耦合值的大小由探测回路的材料、尺寸和形状决定，它们与探测区域无关。
[0072]
上述实施例中，磁场探头包括第一端口和第二端口；第一端口与第二端口之间形成有第一探测回路，第一端口和第二端口与接地端之间形成有第二探测回路，第一探测回路与第二探测回路正交；第一端口输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第一电压；第二端口输出第一探测回路和第二探测回路在探测区域感应的第二电压，第一电压和第二电压用于确定探测区域中x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。本技术通过正交的第一探测回路和第二探测回路进行磁场探测，只需要一次探测即可探测两个磁场分量(hx和hy)，场景适应性强；而且，由于无需旋转探头，因此，还可以缩短探测时间，减小机械
位置误差。
[0073]
在一个实施例中，如图4所示，磁场探头还包括第一线圈11、第二线圈12和第三线圈13；第一线圈11分别与第一端口a和第二端口b连接，以形成第一探测回路；第二线圈12分别与第一线圈11和第三线圈13连接，第三线圈13接地，以形成第二探测回路。
[0074]
本技术实施例中，磁场探头还包括第一线圈11、第二线圈12和第三线圈13。第一线圈11和第二线圈12可以捕获干扰源在近场区辐射的磁场形成的射频信号。
[0075]
第一线圈11与第一端口a和第二端口b连接，第一端口a、第一线圈11和第二端口b依次连接形成了第一探测回路。
[0076]
第一端口a和第二端口b分别与第一线圈11连接，第一线圈11与第二线圈12连接，第二线圈12与第三线圈13连接，第三线圈13接地，则第一端口a、第一线圈、第二线圈、第三线圈和接地端依次连接形成了一个第二探测回路，第二端口b第一线圈、第二线圈、第三线圈和接地端依次连接形成了一个第二探测回路。第一探测回路所在的平面，与第二探测回路所在的平面互相垂直。即形成的第一探测回路与第二探测回路互相正交。
[0077]
上述实施例中，磁场探头还包括第一线圈、第二线圈和第三线圈；第一线圈分别与第一端口和第二端口连接，以形成第一探测回路；第二线圈分别与第一线圈和第三线圈连接，第三线圈接地，以形成第二探测回路。本技术实施例通过第一线圈、第二线圈、第三线圈之间的连接关系，以及第一线圈与第一端口和第二端口的连接关系，形成互相正交的第一探测回路和第二探测回路，可以一次性通过两个探测回路探测两个磁场分量，不仅场景适应性强，而且还可以节省探测时间，减小机械位置误差。
[0078]
在一个实施例中，如图4所示，磁场探头还包括第一信号线21、第二信号线22、第三信号线23和第一同轴连接器31；第一端口a和第一线圈11通过第一信号线21连接；第二端口b和第一线圈11通过第二信号线22连接；第一线圈11和第二线圈12通过第一同轴连接器31连接；第二线圈12和第三线圈13通过第三信号线23连接。
[0079]
本技术实施例中，磁场探头还包括第一信号线21、第二信号线22、第三信号线23和第一同轴连接器31。其中，第一端口a通过第一信号线21与第一线圈11连接，第二端口b通过第二信号线22与第一线圈11连接。这样，第一端口a、第一信号线21、第一线圈11、第二信号线22和第二端口b依次连接，形成第一探测回路。
[0080]
第一线圈11还通过第一同轴连接器31的内芯与第二线圈12连接，第二线圈12通过第三信号线23与第三线圈13连接，第三线圈13接地。这样，第一端口a、第一信号线21、第一线圈11、第二线圈12、第三线圈13和接地端依次连接形成一个第二探测回路，第二端口b、第一信号线21、第一线圈11、第二线圈12、第三线圈13和接地端依次连接形成另一个第二探测回路。
[0081]
上述实施例中，磁场探头还包括第一信号线、第二信号线、第三信号线和第一同轴连接器；第一端口和第一线圈通过第一信号线连接；第二端口和第一线圈通过第二信号线连接；第一线圈和第二线圈通过第一同轴连接器连接；第二线圈和第三线圈通过第三信号线连接。本技术实施例中，通过信号线和同轴连接器实现线圈与线圈、线圈与端口之间的连接，从而形成互相正交的第一探测回路和第二探测回路，进而可以实现一次探测两个磁场分量，不仅场景适应性强，而且还可以节省探测时间，减小机械位置误差。
[0082]
在一个实施例中，如图5所示，磁场探头还包括第一电路板41，第一电路板41包括
第一主体411和可伸入探测区域的第一延伸部412；第一端口a和第二端口b均设置在第一主体411上，第一线圈11设置在第一延伸部412上，第一信号线21从第一端口a延伸至第一线圈11，第二信号线22从第二端口b延伸至第一线圈11。
[0083]
本技术实施例中，磁场探头还包括第一电路板41，第一电路板41包括第一主体411和第一延伸部412，第一延伸部412狭长从而可以伸入探测区域。本技术实施例对第一延伸部的长度和宽度不做限定，可以根据实际情况进行设置。
[0084]
第一端口a和第二端口b均设置在第一主体411上，并且，第一端口a与第二端口b之间可以间隔预设距离，避免端口之间出现信号干扰。
[0085]
第一线圈11设置在第一延伸部412上。
[0086]
第一信号线21和第二信号线22均设置在第一电路板41上。并且，第一信号线21从第一主体411上设置的第一端口a，延伸至第一延伸部412上设置的第一线圈11，实现第一端口a与第一线圈11之间的连接。
[0087]
第二信号线22从第一主体411上设置的第二端口b，延伸至第一延伸部412上设置的第一线圈11，实现第二端口b与第一线圈11之间的连接。
[0088]
上述实施例中，磁场探头还包括第一电路板，第一电路板包括第一主体和可伸入探测区域的第一延伸部；第一端口和第二端口均设置在第一主体上，第一线圈设置在第一延伸部上，第一信号线从第一端口延伸至第一线圈，第二信号线从第二端口延伸至第一线圈。本技术实施例通过第一电路板可以较容易地实现第一线圈的设置，以及第一端口和第二端口与第一线圈之间的连接，从而为实现磁场探头提供了基础。
[0089]
在一个实施例中，如图6所示，磁场探头还包括第二电路板42，第二电路板包括第二主体421和可伸入探测区域的第二延伸部422；第二线圈12和第三线圈13均设置在第二延伸部422上，第三信号线23从第二线圈12延伸至第三线圈13。
[0090]
本技术实施例中，磁场探头还包括第二电路板42，第二电路板42包括第二主体421和第二延伸部422，第二延伸部422狭长从而可以伸入探测区域中。可选地，第二电路板42与第一电路板41形状相同、大小相同。
[0091]
第二线圈12和第三线圈13均设置在第二延伸部422上。第三信号线23设置在第二电路板42上，从第二延伸部422上设置的第二线圈12延伸至第二延伸部422上设置的第三线圈13，实现第二线圈12与第三线圈13的连接。
[0092]
上述实施例中，磁场探头还包括第二电路板，第二电路板包括第二主体和可伸入探测区域的第二延伸部；第二线圈和第三线圈均设置在第二延伸部上，第三信号线从第二线圈延伸至第三线圈。本技术实施例通过第二电路板可以较容易地实现第二线圈和第三线圈的设置，从而为实现磁场探头提供了基础。
[0093]
在一个实施例中，如图7所示，磁场探头还包括两个第三电路板43；如图8a、图8b和图8c所示，两个第三电路板43之间设置第一电路板41和第二电路板42，且第三电路板43与第一电路板41或第二电路板42之间间隔预设距离；两个第三电路板43均接地。
[0094]
本技术实施例中，磁场探头还包括两个第三电路板43，可选地，第三电路板43与第一电路板41和第二电路板42形状相同，大小相同。第一电路板41和第二电路板42设置在两个第三电路板43之间。第一电路板41、第二电路板42和两个第三电路板43中，每两个电路板之间的间隔距离可以相同，也可以不同，本技术实施例对该距离不做限定。
[0095]
两个第三电路板43均接地，可以起屏蔽作用。并且，两个第三电路板43在对应第一线圈11和第二线圈12的位置设置有缺口，如图8a所示，使第一线圈11和第二线圈12可以捕获干扰源在近场区辐射的磁场形成的射频信号。
[0096]
上述实施例中，磁场探头还包括两个第三电路板；两个第三电路板之间设置第一电路板和第二电路板，且第三电路板与第一电路板或第二电路板之间间隔预设距离；两个第三电路板均接地。本技术实施例通过两个第三电路板实现屏蔽作用，避免磁场对信号线传输的电流产生影响，从而提高磁场探测的准确性。
[0097]
在一个实施例中，如图8b和8c所示，磁场探头还包括第二同轴连接器32和多个第三同轴连接器33；第三线圈13通过第二同轴连接器32与第三电路板43连接；多个第三同轴连接器33的内芯与第一信号线21或第二信号线22连接，外芯分别与两个第三电路板43连接。
[0098]
本技术实施例中，磁场探头还包括第二同轴连接器32。第三线圈13通过第二同轴连接器32的内芯与第三电路板43连接，从而使第三线圈13接地。
[0099]
磁场探头还包括多个第三同轴连接器33，部分第三同轴连接器33的内芯与第一信号线21连接，另一部分第三同轴连接器33的内芯与第二信号线22连接；所有第三同轴连接器33的外芯与两个第三电路板43连接。
[0100]
其中，磁场探头的实物如图9所示。
[0101]
上述实施例中，磁场探头还包括第二同轴连接器和多个第三同轴连接器；第三线圈通过第二同轴连接器与第三电路板连接；多个第三同轴连接器的内芯与第一信号线或第二信号线连接，外芯分别与两个第三电路板连接。本技术实例通过第二同轴连接器实现第三线圈接地，通过多个第三同轴连接器可以提高第一信号线和第二信号线的传输可靠性。
[0102]
在一个实施例中，如图10所示，本技术提供了一种磁场探测方法。以该方法应用于上述实施例描述的磁场探头为例进行说明，本技术实施例可以包括如下步骤：
[0103]
步骤501，获取磁场探头的第一端口输出的第一电压。
[0104]
步骤502，获取磁场探头的第二端口输出的第二电压。
[0105]
步骤503，根据第一电压和第二电压确定x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。
[0106]
本技术实施例中，磁场探头的第一端口与第二端口之间形成有第一探测回路，第一端口和第二端口与接地端之间形成有第二探测回路。第一探测回路与第二探测回路正交，其中，第一探测回路用于探测x方向的磁场强度，第二探测用于探测y方向的磁场强度；或者，第一探测回路用于探测y方向的磁场强度，第二探测用于探测x方向的磁场强度。本技术实施例对此不做限定，可以根据实际情况进行设置。
[0107]
例如，探测区域的x方向磁场hx穿过第一探测回路，y方向磁场hy穿过第二探测回路，z方向电场ez垂直穿过第一探测回路和第二探测回路的底部。第一端口叠加x方向磁场、y方向磁场和z方向电场的感应电压，并输出第一电压；第二端口叠加x方向磁场、y方向磁场和z方向电场的感应电压，并输出第二电压。
[0108]
由于第一端口输出的第一电压与x方向磁场和y方向磁场的感应电压存在关联关系，第二端口输出的第二电压与x方向磁场和y方向磁场的感应电压存在关联关系，因此，可以根据上述关联关系，以及第一电压和第二电压解算出x方向磁场和y方向磁场的感应电压，从而根据x方向磁场和y方向磁场的感应电压确定x方向磁场和y方向磁场的磁场强度。
[0109]
在实际应用中，可以将磁场探头的第一端口和第二端口与频谱分析仪的输入端连接。频谱分析仪获取磁场探头的第一端口输出的第一电压，以及第二端口输出的第二电压，根据第一电压和第二电压确定x方向磁场和y方向磁场的感应电压，根据x方向磁场和y方向磁场的感应电压确定x方向磁场和y方向磁场的磁场强度。需要说明的是，确定磁场强度的设备不限于频谱分析仪，还可以是其他设备，本技术实施例对此不做限定。
[0110]
上述实施例中，获取磁场探头的第一端口输出的第一电压；获取磁场探头的第二端口输出的第二电压；根据第一电压和第二电压确定x方向的磁场强度和y方向的磁场强度。本技术实施例中，第一电压与x方向磁场和y方向磁场存在关联关系，第二电压与x方向磁场和y方向磁场存在关联关系，因此，通过第一电压和第二电压可以一次性探测出两个磁场分量，不仅场景适应性强，而且还可以节省探测时间，减小机械位置误差。
[0111]
在一个实施例中，如图11所示，涉及上述根据第一电压和第二电压确定x方向的磁场强度和y方向的磁场强度的过程，可以包括如下步骤：
[0112]
步骤601，获取电压矩阵。
[0113]
其中，电压矩阵用于表征第一电压与x方向的感应电压和y方向的感应电压的关联关系，以及第二电压与x方向的感应电压和y方向的感应电压的关联关系。
[0114]
步骤602，根据电压矩阵、第一电压和第二电压，确定x方向的感应电压和y方向的感应电压。
[0115]
步骤603，根据x方向的感应电压确定x方向的磁场强度。
[0116]
步骤604，根据y方向的感应电压确定y方向的磁场强度。
[0117]
本技术实施例中，电压矩阵可以表示为公式(1)，在公式(1)中，va为第一端口输出的第一电压，vb为端口b输出的第二电压，v
hx
为x方向磁场的感应电压、v
hy
为y方向磁场的感应电压，v
ez
为z方向电场的感应电压。
[0118]
在构建出电压矩阵后，可以解算出x方向的感应电压与第一电压和第二电压的关系，以及y方向的感应电压与第一电压和第二电压的关系，如公式(2)。
[0119]
在获取到第一端口输出的第一电压和第二端口输出的第二电压后，将第一电压和第二电压代入公式(2)中，则可以求解出x方向的感应电压和y方向的感应电压。
[0120]
由于x方向的感应电压与x方向的磁场强度成线性正比关系，因此，可以根据x方向的感应电压确定出x方向的磁场强度。同样地，y方向的感应电压与y方向的磁场强度成线性正比关系，因此，可以根据y方向的感应电压确定出y方向的磁场强度。
[0121]
上述实施例中，获取电压矩阵，根据电压矩阵、第一电压和第二电压，确定x方向的感应电压和y方向的感应电压；根据x方向的感应电压确定x方向的磁场强度；根据y方向的感应电压确定y方向的磁场强度。本技术实施例通过第一电压与x方向磁场和y方向磁场之间的关联关系，以及第二电压与x方向磁场和y方向磁场之间的关联关系，可以一次性探测出两个磁场分量，不仅场景适应性强，而且还可以节省探测时间，减小机械位置误差。
[0122]
在一个实施例中，本技术实施例还可以包括：根据x方向的磁场强度和y方向的磁场强度，确定电磁场抑制比。
[0123]
本技术实施例中，计算x方向的磁场强度和y方向的磁场强度的差值，可以得到电磁场抑制比。
[0124]
上述实施例中，根据x方向的磁场强度和y方向的磁场强度，确定电磁场抑制比，可
以便于后续利用电磁场抑制比进行相应处理，从而降低电磁干扰。
[0125]
在一个实施例中，本技术实施例还可以包括：获取磁场探头对预设宽度的微带线进行探测，得到探测信号；根据探测信号确定磁场探头的空间分辨率。
[0126]
本技术实施例中，将磁场探头与微带线垂直放置，即微带线所在平面与磁场探头探测的电场方向互相垂直。磁场探头对不同宽度的微带线进行探测得到多个探测信号，即输出多个第一电压和多个第二电压。对于任一探测信号，若根据探测信号可以确定出微带线产生的磁场强度，则确定磁场探头可以实现对应宽度的微带线的磁场探测。若根据探测信号难以确定微带线产生的磁场强度，则确定磁场探头难以实现对应宽度的微带线的磁场探测。
[0127]
以此类推，可以确定出磁场探头可以探测的微带线的宽度范围，将该宽度范围确定为磁场探头的空间分辨率。
[0128]
上述实施例中，获取磁场探头对预设宽度的微带线进行探测，得到探测信号；根据探测信号确定磁场探头的空间分辨率。本技术实施例确定磁场探头的空间分辨率，可以将磁场探头应用于合适的探测范围，从而保证探测准确性。
[0129]
在一个实施例中，本技术实施例还可以包括：获取磁场探头对预设宽度的微带线进行探测，得到探测信号；根据该探测信号和预设的映射关系，对磁场探头进行校准处理。
[0130]
本技术实施例中，将磁场探头与微带线垂直放置，即微带线所在平面与磁场探头探测的电场方向互相垂直。磁场探头对预设宽度的微带线进行探测得到探测信号。根据探测信号确定出微带线产生的磁场强度，根据预设的映射关系对该磁场强度进行校准处理，得到校准后的磁场强度。
[0131]
例如，计算出的磁场强度为a，预设的映射关系为磁场强度a与磁场强度b对应，则可以确定该磁场探头实际探测出的磁场强度为b，即实现了探测结果的校准。
[0132]
上述实施例中，获取磁场探头对预设宽度的微带线进行探测，得到探测信号；根据该探测信号和预设的映射关系，对磁场探头进行校准处理。本技术实施例通过校准处理，可以提高磁场探头的探测准确性。
[0133]
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0134]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器
(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0135]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0136]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。