一种快速检测微处理器IO漏电的装置的制作方法

一种快速检测微处理器io漏电的装置
技术领域
1.本实用新型涉及一种快速检测微处理器io漏电的装置，属于集成电路技术领域。


背景技术：

2.mcu又称为微处理器，被广泛用于各类电子产品之中，但是其内部可能会因为工艺等原因存在io口泄漏电流的现象，这不但会造成整个电子产品的耗电增加，也将影响电子产品的精度，导致故障的发生，目前对微处理器io接口漏电检测往往在出厂前采用大型仪器检测，缺乏对使用中的微处理器检测手段。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种快速检测微处理器io漏电的装置，能对出厂前和使用中的微处理器是否存在漏电进行快速检测。
4.技术方案：
5.一种快速检测微处理器io漏电的装置，包括外壳、接触探针、电源接口、比较电路和指示单元；其中接触探针安装在外壳的一端，指示单元和电源接口安装在外壳表面，电源接口比较电路安装在外壳中，比较电路分别与电源接口、指示单元和接触探针连接。
6.进一步的，指示单元为led灯、喇叭、显示屏之一或其之间的任意组合，在检测到漏电时能通过led闪灯、喇叭蜂鸣，显示屏显示内容来指示，如灯是否亮起、闪烁次数，蜂鸣次数，显示屏显示图案或文字等帮助判别是否存在漏电。
7.进一步的，电源接口与微处理器所用电源连接，使检测装置与待测微处理器共用一组电源。
8.进一步的，比较电路为两块，分别为n管比较电路和p管比较电路，并通过设置在外壳表面的切换开关切换。
9.更进一步的，n管比较电路包括一个比较器和三个电阻，比较器的一路通过接触探针连接微处理器io口，并通过r3与电源接口连接，使被测io口n管等效电阻rt与vdd形成通路；比较器的另一路连接r1和r2分压；
10.其中r1、r2、r3相等，且为rt目标值；比较器通过比较将r3与rt的分压和r1与r2的分压比较来判定是rt》r2还是rt《r2，并通过连接至指示单元的out1输出结果的信号。
11.更进一步的，p管比较电路包括一个比较器和三个电阻，比较器的一路通过接触探针连接微处理器io口，并通过r3与电源接口地连接，使被测io口p管等效电阻rd与gnd形成通路；比较器的另一路连接r1和r2分压；其中r1、r2、r3相等，且为rd目标值；比较器通过将比较r3与rd的分压和r1与r2的分压比较来判定是rt》r1还是rt《r1，并通过连接至指示单元的out2输出结果的信号。
12.有益效果：
13.1)本实用新型通过一个便携装置能在微处理器出厂前和使用中对其io漏电情况进行快速检测，省事省力。
14.2)通过切换开关能同时检测n管漏电和p管漏电。
附图说明
15.图1为本实用新型的结构示意图；
16.图2为n管比较电路的电路示意图；
17.图3为p管比较电路的电路示意图；
18.其中：1为外壳，2为接触探针，3为比较电路，4为电源接口，5为指示单元，6为切换开关。
具体实施方式
19.下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明：
20.如图1所示，一种快速检测微处理器io漏电的装置，包括外壳1、接触探针2、电源接口4、比较电路3和指示单元5；其中接触探针安装在外壳的一端，指示单元和电源接口安装在外壳表面，电源接口比较电路安装在外壳中，比较电路分别与电源接口、指示单元和接触探针连接。
21.指示单元为led灯、喇叭、显示屏之一或其之间的任意组合。
22.电源接口与微处理器所用电源连接，使检测装置与待测微处理器共用一组电源。
23.比较电路为两块，分别为n管比较电路和p管比较电路，并通过设置在外壳表面的切换开关6切换。
24.n管比较电路包括一个比较器和三个电阻，比较器的一路通过接触探针连接微处理器io口，并通过r3与电源接口连接，使被测io口n管等效电阻rt与vdd形成通路；比较器的另一路连接r1和r2分压；其中r1、r2、r3相等，且为rt目标值；比较器通过比较将r3与rt的分压和r1与r2的分压比较来判定是rt》r2还是rt《r2，并通过连接至指示单元的out1输出结果的信号，如判断rt》r2时输出高电平，rt《r2时输出低电平。
25.p管比较电路包括一个比较器和三个电阻，比较器的一路通过接触探针连接微处理器io口，并通过r3与电源接口地连接，使被测io口p管等效电阻rd与gnd形成通路；比较器的另一路连接r1和r2分压；其中r1、r2、r3相等，且为rd目标值；比较器通过将比较r3与rd的分压和r1与r2的分压比较来判定是rt》r1还是rt《r1，并通过连接至指示单元的out2输出结果的信号，如判断rt》r1时输出高电平，rt《r1时输出低电平。
26.实施例1：对运行中的微处理器进行检测时，将为微处理器供电的电源接入到本检测装置的电源接口，并将切换开关按需切换到n管比较电路或p管比较电路，用接触探针触碰微处理器的io口，根据指示单元的灯光情况或蜂鸣情况或显示屏显示内容判断是否存在io的p管或n管漏电。
27.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的原则和精神之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种快速检测微处理器io漏电的装置，其特征在于：包括外壳(1)、接触探针(2)、电源接口(4)、比较电路(3)和指示单元(5)；其中接触探针安装在外壳的一端，指示单元和电源接口安装在外壳表面，电源接口比较电路安装在外壳中，比较电路分别与电源接口、指示单元和接触探针连接。2.如权利要求1所述的快速检测微处理器io漏电的装置，其特征在于：所述的指示单元为led灯、喇叭、显示屏之一或其之间的任意组合。3.如权利要求1所述的快速检测微处理器io漏电的装置，其特征在于：所述的电源接口与微处理器所用电源连接，使检测装置与待测微处理器共用一组电源。4.如权利要求1所述的快速检测微处理器io漏电的装置，其特征在于：所述的比较电路为两块，分别为n管比较电路和p管比较电路，并通过设置在外壳表面的切换开关(6)切换。5.如权利要求4所述的快速检测微处理器io漏电的装置，其特征在于：所述的n管比较电路包括一个比较器和三个电阻，比较器的一路通过接触探针连接微处理器io口，并通过r3与电源接口连接，使被测io口n管等效电阻rt与vdd形成通路；比较器的另一路连接r1和r2分压；其中r1、r2、r3相等，且为rt目标值；比较器通过将r3与rt的分压和r1与r2的分压比较来判定是rt>r2还是rt<r2，并通过连接至指示单元的out1输出结果的信号。6.如权利要求4所述的快速检测微处理器io漏电的装置，其特征在于：所述的p管比较电路包括一个比较器和三个电阻，比较器的一路通过接触探针连接微处理器io口，并通过r3与电源接口地连接，使被测io口p管等效电阻rd与gnd形成通路；比较器的另一路连接r1和r2分压；其中r1、r2、r3相等，且为rd目标值；比较器通过将r3与rd的分压和r1与r2的分压比较来判定是rt>r1还是rt<r1，并通过连接至指示单元的out2输出结果的信号。

技术总结
本实用新型涉及一种快速检测微处理器IO漏电的装置，属于集成电路技术领域。包括外壳、接触探针、电源接口、比较电路和指示单元；其中接触探针安装在外壳的一端，指示单元和电源接口安装在外壳表面，电源接口比较电路安装在外壳中，比较电路分别与电源接口、指示单元和接触探针连接。本实用新型通过一个便携装置能在微处理器出厂前和使用中对其IO漏电情况进行快速检测，并通过切换开关能同时检测N管漏电和P管漏电。和P管漏电。和P管漏电。


技术研发人员：张茂林 杨校 万荣 李肖迪
受保护的技术使用者：上海芯旺微电子技术有限公司
技术研发日：2022.01.14
技术公布日：2022/8/5