半导体系统及其制造方法与流程

本公开涉及一种半导体系统及其制造方法，并且更具体地，涉及一种用于测试半导体装置的参数的半导体系统及其制造方法。

背景技术：

1、包括直接带隙半导体的组件，例如，包括iii-v族材料或iii-v族化合物(类别：iii-v化合物)的半导体组件由于其特性可以在各种条件下或在各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。

2、半导体组件可以包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)、高电子迁移率晶体管(hemt)、调制掺杂fet(modfet)等。

技术实现思路

1、在本公开的一些实施例中，提供一种半导体系统，该半导体系统包括：测试电路、信号电路和功率电路。测试电路电连接到半导体装置。测试电路被配置为测试半导体装置的参数。信号电路电连接到测试电路。信号电路被配置为从处理器接收第一控制信号。处理器被配置为生成第一控制信号。功率电路电连接到测试电路。信号电路、测试电路和功率电路在物理上彼此分离。

2、在本公开的一些实施例中，提供一种用于测试半导体装置的半导体系统。该半导体系统包括信号电路和测试电路。测试电路包括缓冲器和二极管。信号电路被配置为从处理器接收第一控制信号。测试电路电连接到信号电路。缓冲器被配置为将第四控制信号发送到半导体装置的第二电极。第四控制信号的电压高于第三控制信号的电压。二极管电连接到半导体装置的第一电极。半导体装置的动态电测试包括导通和关断二极管以打开和关闭该装置。

3、在本公开的一些实施例中，提供一种用于制造半导体系统的方法。该方法包括：形成测试电路，该测试电路电连接到半导体装置，其中测试电路被配置为测试半导体装置的参数；形成信号电路，该信号电路电连接到测试电路，其中信号电路被配置为从处理器接收第一控制信号，其中处理器被配置为生成第一控制信号；以及形成功率电路，该功率电路电连接到测试电路，其中信号电路、测试电路和功率电路在物理彼此分离。

4、所提出的半导体系统能够对诸如信号生成器和电源的某些硬件组件进行更换，从而减少制造成本。所提出的半导体系统还可以通过执行信号隔离和功率隔离来提高测量精度。此外，所提出的半导体系统中的几个单元或电路可以在物理上彼此分离。因此，可以在不影响测量精度的情况下实现测试灵活性。此外，所提出的半导体系统与不同的封装结构和驱动电压兼容，从而加速了系统开发并降低了维护成本。

技术特征：

1.一种半导体系统，包括：

2.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

9.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

10.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

11.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

12.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

13.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

14.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

15.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

16.一种用于制造半导体系统的方法，包括：

17.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：

18.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：

19.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：

20.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：

21.一种用于测试半导体装置的半导体系统，包括：

22.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

23.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

24.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，进一步包括：

25.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，

技术总结
本公开提供一种半导体系统。该半导体系统包括测试电路、信号电路和功率电路。测试电路电连接到半导体装置。测试电路被配置为测试半导体装置的参数。信号电路电连接到测试电路。信号电路被配置为从处理器接收第一控制信号。处理器被配置为生成第一控制信号。功率电路电连接到测试电路。信号电路、测试电路和功率电路在物理上彼此分离。

技术研发人员：银杉,金寿东,辛雄,林逸铭,黄敬源
受保护的技术使用者：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29