用于确定IGBT驱动器的温度的方法与流程

文档序号:35457665发布日期:2023-09-14 23:46阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于确定igbt驱动器(1)的温度的方法(7),

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于

4.根据前述权利要求之一的方法,其特征在于

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于

6.根据前述权利要求之一所述的方法,其特征在于

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于

8.一种igbt驱动器(1),

9.根据权利要求8所述的igbt驱动器,其特征在于

10.根据权利要求8或9所述的igbt驱动器,其特征在于


技术总结
本发明涉及一种用于确定IGBT驱动器(1)的温度的方法(7)。所述IGBT驱动器(1)具有两个MOSFET元件(2a、2b)和交流电压源(3)。所述IGBT驱动器(1)还具有两个直流电压端子(4a、4b)、两个栅极端子(5a、5b)和测量输出端(6)。所述方法包括以下步骤:‑提供控制电压(VG1、VG2)、基极直流电压(V_CC)和交流电压(U_GAC);‑将交流电压(U_GAC)与基极直流电压(V_CC)叠加,其中,交流电压(U_GAC)和基极直流电压(V_CC)是始终叠加的;‑在IGBT驱动器(1)的测量输出端(6)处获得输出电压(DRIVE_OUT);‑根据所获得的输出电压(DRIVE_OUT)确定IGBT驱动器(1)的相应MOSFET元件(2a、2b)的温度。本发明还涉及所述IGBT驱动器(1)。

技术研发人员:蒂霍米尔·安格洛夫,马文·德施卡,福尔克尔·基施纳,汉斯·克里斯蒂安·尤伊贝尔艾森
受保护的技术使用者:马勒国际有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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