一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法与流程

本发明属于药物制剂。更具体地，涉及一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法。

背景技术：

1、药用辅料是药物制剂中不可或缺的重要部分，辅料不但决定了药物的具体给药途径，还能左右药物稳定性、药效发挥以及制剂质量等。在处方设计和生产过程中，通常需要同时采用多种辅料以满足制剂的工艺要求。于是，企业开发出能够改善制剂质量、提高生产效率、便于辅料管理的预混和共处理辅料。其中，预混辅料是指两种或两种以上药用辅料通过简单物理混合制成的混合辅料；共处理辅料是由两种或两种以上药用辅料通过特定的物理加工工艺，如喷雾干燥、热熔、冷冻干燥、熔融-挤出、共同结晶、制粒等处理而得，以达到特定功能的混合辅料。由于共处理辅料经过特定的物理工艺加工而得，其颗粒状态发生变化从而产生功能协同作用，能达到增强可压性、降低吸湿性等效果，使产品物理机械性能更佳，更有利于固体制剂的制备。

2、但是在实际应用过程中，共处理辅料在压片过程中仍然存在流动性不好，粘冲等问题，并且在包芯片的生产中，由于共处理辅料性能不佳，造成堵塞片芯助推杆的问题更是屡见不鲜。一旦产生堵塞片芯助推杆的问题，不但需要拆解压片机进行清理，使得压片无法继续进行，还需要重新制备共处理辅料以改善压片状况，提高生产连续性。这种情况不但增加了时间、人力、财力、物力的消耗，还严重制约了生产的连续性，严重影响生产效能。

3、目前常用确认共处理辅料是否会造成粘冲或堵塞片芯助推杆的方法为小试生产，即先进行共处理辅料的制备，再进行小试压片，看看是否存在粘冲或者堵塞助推杆的现象，如依然粘冲或堵塞助推杆，则需重新进行共处理辅料的制备，直到不产生粘冲或者堵塞助推杆的现象为止。该方法最大的问题是在压片前无法预测结果，而且在修改共处理辅料的制备方法或者更换辅料型号或者来源时，也缺乏明显的方向性和目标，企业通常通过更换不同种类、不同生产企业或者不同型号的辅料，多次试验也不一定能达到改善堵塞助推杆的目的。并且一旦辅料确定下来后，如果更换供应商，虽然配料表一致，但仍然常会出现粘冲和堵塞助推杆的问题，使得难以更换供应商，生产严重受限。

4、因此，迫切需要提供一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法，以减少生产前的试验工作，减少时间、人力、物力的消耗，为生产提供简便快捷的条件。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是克服现有辅料选择缺乏方向性，需要多次试验，耗时耗力的缺陷和不足，提供一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法，以减少生产前的试验工作，减少时间、人力、物力的消耗，为生产提供简便快捷的条件。

2、本发明上述目的通过以下技术方案实现：

3、一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法，具体包括以下步骤：

4、s1、根据共处理晶体辅料的配方，将共处理晶体辅料搅拌混合均匀，得预混辅料，根据药物规定工艺制备得到共处理晶体辅料；

5、s2、测定共处理晶体辅料及预混辅料的结晶度，根据共处理晶体辅料及预混辅料所测得峰位2θ与相对强度值i/i0数据，以相对强度i/i0≥20％的峰为共有峰，获得共有峰数目和相对强度，对共有峰的峰位和相对强度进行列表，并通过向量夹角余弦法(cosinesimilarity)进行相似度评价，相关系数不得低于0.90；

6、s3、对共处理晶体辅料及预混辅料的热稳定性能进行测定，并对热峰的位置及个数进行分析比较，吸、放热峰的出峰位置及数量基本一致；

7、s4、对共处理晶体辅料的粒径分布进行测定，得到粒径数据，d10、d50，其中d10不小于30μm；

8、s5、测定共处理晶体辅料的粒形，得到粒形数据，球形度、对称性和凹凸度，当d50小于100μm时，共处理晶体辅料的球型度、宽长比、凹凸度分别应不低于0.90、0.90和0.98，当d50大于100μm时，则不受粒形影响。

9、进一步地，步骤s2中，所述结晶度的测定采用x-射线衍射仪进行测定。

10、更进一步地，步骤s2中，所述x-射线衍射仪的参数设定为：cu靶，ka线，电压10～40kv，电流10～40ma，步长为0.02°～1°，扫描速度0.1～10°/min，扫描范围2°～90°。

11、进一步地，步骤s3中，所述热稳定性能采用差示扫描量热仪进行测定。

12、更进一步地，步骤s3中，所述差示扫描量热仪的参数设定为：以1～20℃/min的加热速率，从室温加热至100～400℃。

13、进一步地，步骤s4中，所述粒径分布采用粒度粒形分析仪或激光粒度分析仪进行测定。

14、更进一步地，步骤s4中，如采用粒度粒形仪则所述粒度粒形分析仪的参数设定为：x-jet或x-fall模式，使用x-jet模式时分散压力在5～50kpa，表观覆盖面积不高于0.2％。

15、进一步地，步骤s4中，如采用激光粒度分析仪则所述激光粒度分析仪的参数设定为：采用通用模式，遮光度0.2％～10.0％，分散气压为1.0～10bar。

16、更进一步地，步骤s5中，所述粒形采用粒度粒形分析仪进行测定。

17、进一步地，步骤s5中，所述粒度粒形分析仪的参数设定为：x-jet或x-fall模式，使用x-jet模式时分散压力在10～50kpa，表观覆盖面积不高于0.2％。

18、本发明具有以下有益效果：

19、本发明提供了一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法。该方法通过对共处理或预混晶体辅料的结晶度、热稳定性能、粒形、粒径分布等指标进行对比评价，可以准确预测、轻松判断出所使用的共处理辅料是否会造成片芯助推杆堵塞，直接避免包芯片生产过程中产生的助推杆堵塞现象，从而减少时间与人力、物力的消耗，为生产提供了简便快捷的条件，准确性高，可以显著提高包芯片的生产能效，非常适于大规模产业化生产。

技术特征：

1.一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述评价方法，其特征在于，步骤s2中，所述结晶度的测定采用x-射线衍射仪进行测定。

3.根据权利要求2所述评价方法，其特征在于，步骤s2中，所述x-射线衍射仪的参数设定为：cu靶，ka线，电压10～40kv，电流10～40ma，步长为0.02°～1°，扫描速度0.1～10°/min，扫描范围2°～90°。

4.根据权利要求1所述评价方法，其特征在于，步骤s3中，所述热稳定性能采用差示扫描量热仪进行测定。

5.根据权利要求4所述评价方法，其特征在于，步骤s3中，所述差示扫描量热仪的参数设定为：以1～20℃/min的加热速率，从室温加热至100～400℃。

6.根据权利要求1所述评价方法，其特征在于，步骤s4中，所述粒径分布采用粒度粒形分析仪或激光粒度分析仪进行测定。

7.根据权利要求6所述评价方法，其特征在于，步骤s4中，所述粒度粒形分析仪的参数设定为：x-jet或x-fall模式，使用x-jet模式时分散压力在5～50kpa，表观覆盖面积不高于0.2％。

8.根据权利要求6所述评价方法，其特征在于，步骤s4中，所述激光粒度分析仪的参数设定为：采用通用模式，遮光度0.2％～10.0％，分散气压为1.0～10bar。

9.根据权利要求1所述评价方法，其特征在于，步骤s5中，所述粒形采用粒度粒形分析仪进行测定。

10.根据权利要求9所述评价方法，其特征在于，步骤s5中，所述粒度粒形分析仪的参数设定为x-jet或x-fall模式，使用x-jet模式时分散压力在5～50kpa，表观覆盖面积不高于0.2％。

技术总结
本发明属于药物制剂技术领域，具体涉及一种防止压片过程中堵塞机器的共处理晶体辅料评价方法。该方法通过对共处理或预混晶体辅料的结晶度、热稳定性能、粒形、粒径分布等指标进行对比评价，可以准确预测、轻松判断出所使用的共处理辅料是否会造成片芯助推杆堵塞，直接避免包芯片生产过程中产生的助推杆堵塞现象，从而减少时间与人力、物力的消耗，为生产提供了简便快捷的条件，准确性高，可以显著提高包芯片的生产能效，非常适于大规模产业化生产。

技术研发人员：余少文,陈英,胡淑君,叶秀金,林嗣翔
受保护的技术使用者：广东省药品检验所（广东省药品质量研究所、广东省口岸药品检验所）
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15